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IRFR4510TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 63 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 26M-IRFR4510TRPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFR4510TRPBF

IRFR4510TRPBF概述

    HEXFET Power MOSFET

    1. 产品简介


    HEXFET Power MOSFET 是一种高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),主要用于高效率的应用场景。它具有多种封装形式,包括D-Pak 和 I-Pak。这款MOSFET在多个关键领域表现出色,包括电源管理、不间断电源系统(UPS)、高速功率开关等。HEXFET Power MOSFET 的设计目的是为了提供更高的可靠性和更优异的性能,适用于硬开关和高频电路。

    2. 技术参数


    以下是从技术手册中提取的关键技术参数:
    - 电压额定值
    - VDSS (漏源击穿电压): 100V
    - RDS(on) (静态漏源导通电阻): 11.1 mΩ (典型值), 13.9 mΩ (最大值)
    - ID (持续漏极电流):
    - 硅限流时:63A (TC = 25°C), 45A (TC = 100°C)
    - 封装限流时:252A (TC = 25°C)
    - IDM (脉冲漏极电流): 127A (见图14, 15, 22a, 22b)
    - 绝对最大额定值
    - VGS (栅极-源极电压): ±20V
    - PD (最大功率耗散): 127W (TC = 25°C)
    - 转换温度线性系数: 0.95 W/°C
    - 热阻抗
    - RθJC (结到壳热阻): 1.05 °C/W
    - RθJA (结到环境热阻):
    - PCB安装: 50 °C/W
    - 空气环境: 110 °C/W
    - 动态和静态参数
    - 门阈电压 VGS(th): 2.0V 至 4.0V
    - 总门电荷 Qg: 54nC 至 81nC
    - 有效输出电容 Coss eff.(TR): 478 pF (时间相关)

    - 雪崩特性
    - 单脉冲雪崩能量 EAS: 143 mJ
    - 重复雪崩能量 EAR: 143 mJ

    3. 产品特点和优势


    HEXFET Power MOSFET 在以下方面具备显著优势:
    - 耐用性强: 改进了栅极、雪崩和动态 dv/dt 的坚固性
    - 全面的电容和雪崩特性: 完全测试的电容和雪崩安全区(SOA)
    - 增强的二极管性能: 提升了二极管的 dv/dt 和 di/dt 能力
    - 无铅: 采用无铅工艺
    这些特点使得HEXFET Power MOSFET 在高频和硬开关应用中表现尤为出色,能够实现高效率和高可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    根据技术手册中的应用场景示例,HEXFET Power MOSFET 可应用于以下几个领域:
    - 高效率同步整流器:在开关模式电源(SMPS)中,利用其高效率特性,可以提高系统的整体能效。
    - 不间断电源系统:保证在主电源中断时,能够迅速切换到备用电源,保持系统运行。
    - 高速功率开关:适合于要求快速响应时间的应用,例如电机驱动控制。
    使用建议:
    - 确保在高频应用中使用适当的散热措施,以避免过热。
    - 在设计电路时,考虑 RθJA 的热阻特性,合理布置散热片和散热器,确保 MOSFET 的工作温度不超过其额定范围。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: HEXFET Power MOSFET 兼容现有的 D-Pak 和 I-Pak 封装标准。
    - 支持和维护: 用户可以联系 Infineon Technologies 销售代表获取技术支持和详细信息。此外,用户还可以参考应用指南 AN-994 了解推荐的安装和焊接技术。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - 问题: MOSFET 的最大漏极电流 (ID) 达到限制。
    - 解决方案: 检查电路的电流路径,确保负载和驱动器能够在规定的电流范围内正常工作。如果需要更大的电流,可考虑并联使用 MOSFET。
    - 问题: 在高电压和高频率下出现不稳定现象。
    - 解决方案: 重新检查电路设计,确保电容和电感匹配,调整驱动信号的上升和下降时间,减少 dv/dt 和 di/dt 的影响。

    7. 总结和推荐


    HEXFET Power MOSFET 在高效率和高可靠性方面表现出色,适合在多种电力应用中使用。其出色的耐用性、全面的电容和雪崩特性使其成为各种高要求应用场景的理想选择。强烈推荐给寻求高效、可靠的 MOSFET 解决方案的设计工程师和系统集成商。

IRFR4510TRPBF参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 56A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.031nF@50V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 100µA
栅极电荷 81nC@ 10 V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 13.9mΩ@ 38A,10V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 143W(Tc)
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRFR4510TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFR4510TRPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFR4510TRPBF IRFR4510TRPBF数据手册

IRFR4510TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.5941
10+ ¥ 4.1186
50+ ¥ 3.8866
100+ ¥ 3.6304
500+ ¥ 3.5376
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