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BCR108E6433HTMA1

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: 300mV@ 500µA,10mA NPN - Pre-Biased 200mW 100nA 50V 100mA SOT-23 贴片安装
供应商型号: 726-BCR108E6433HTMA1
供应商: Mouser
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) BCR108E6433HTMA1

BCR108E6433HTMA1概述

    电子元器件产品技术手册:BCR108 NPN硅数字晶体管

    1. 产品简介


    BCR108是一款NPN硅数字晶体管,广泛应用于多种电路中。它具有内置偏置电阻(R1=2.2 kΩ,R2=47 kΩ),特别适用于开关电路、逆变器、接口电路和驱动电路。BCR108S型号具有两个内部隔离且匹配良好的晶体管,适用于多芯片封装。所有型号均符合无铅标准(RoHS合规)并已通过AEC Q101认证。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-发射极电压:VCEO = 50 V
    - 集电极-基极电压:VCBO = 50 V
    - 输入正向电压:Vi(fwd) = 20 V
    - 输入反向电压:Vi(rev) = 5 V
    - 集电极电流:IC = 100 mA
    - 功耗:Ptot (BCR108) ≤ 200 mW,BCR108S ≤ 250 mW,BCR108W ≤ 250 mW
    - 结温:Tj = 150 °C
    - 储存温度:Tstg = -65 ... 150 °C
    - 热阻:RthJS (BCR108) ≤ 240 K/W,BCR108S ≤ 140 K/W,BCR108W ≤ 105 K/W
    - 电气特性
    - 集电极-发射极击穿电压:V(BR)CEO = 50 V
    - 集电极-基极击穿电压:V(BR)CBO = 50 V
    - 集电极-基极截止电流:ICBO = - - 100 nA
    - 发射极-基极截止电流:IEBO = - - 164 µA
    - 直流增益(hFE):IC = 5 mA, VCE = 5 V时,hFE = 70
    - 饱和电压(VCEsat):IC = 10 mA, IB = 0.5 mA时,VCEsat = 0.3 V
    - 输入关断电压:Vi(off) = 0.4 - 0.8 V
    - 输入导通电压:Vi(on) = 0.5 - 1.1 V
    - 输入电阻:R1 = 1.5 - 2.9 kΩ
    - 电阻比:R1/R2 = 0.042 - 0.052
    - 转换频率:fT = 170 MHz
    - 集电极-基极电容:Ccb = 2 pF

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:符合AEC Q101标准,确保在汽车和其他严苛环境下的稳定性能。
    - 内置偏置电阻:减少外部电路设计的复杂度,提高集成度。
    - 高精度匹配:BCR108S型号具有两个内部隔离且匹配良好的晶体管,适用于精密测量和控制应用。
    - 环境友好:无铅(RoHS)包装,符合环保要求。
    - 宽温范围:支持从-65°C到150°C的工作温度范围,适合各种恶劣环境应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:BCR108可以用于电池管理系统、电机驱动电路、传感器接口等领域。BCR108S特别适合于需要高精度匹配的应用场景,如精密放大器电路。
    - 使用建议:
    - 确保散热设计合理,避免过热导致性能下降。
    - 选择合适的外部电阻值,以达到最佳的性能表现。
    - 在高频率应用中,注意集电极-基极电容的影响,可能需要增加额外的去耦电容。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:BCR108系列与标准SOT23、SOT363和SOT323封装相兼容,易于与其他电子元器件集成。
    - 支持:Infineon Technologies提供详细的技术文档和应用指南,并设有专门的技术支持团队,帮助客户解决实际应用中的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的结温会导致晶体管损坏。
    - 解决方案:优化散热设计,使用更大的散热片或散热器。
    - 问题2:输入导通电压范围较窄,难以满足某些应用场景。
    - 解决方案:根据具体应用需求,选择合适的外部电阻或调整电源电压。
    - 问题3:高频率下饱和电压波动较大。
    - 解决方案:增加去耦电容,减少高频干扰影响。

    7. 总结和推荐


    BCR108系列NPN硅数字晶体管具有高可靠性和广泛的适用性,在多个关键参数上表现出色。其内置偏置电阻的设计简化了外部电路设计,使其成为高性能应用的理想选择。总体而言,BCR108是值得推荐的产品,适用于多种应用场景,尤其是在需要高可靠性和宽温范围的场合。

BCR108E6433HTMA1参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 300mV@ 500µA,10mA
配置 -
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
最大集电极发射极饱和电压 300mV@ 500µA,10mA
VEBO-最大发射极基极电压 -
集电极截止电流 100nA
集电极电流 100mA
VCBO-最大集电极基极电压 -
最大功率耗散 200mW
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

BCR108E6433HTMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BCR108E6433HTMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) INFINEON TECHNOLOGIES BCR108E6433HTMA1 BCR108E6433HTMA1数据手册

BCR108E6433HTMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.299 ¥ 2.5266
10+ $ 0.2139 ¥ 1.8075
100+ $ 0.1346 ¥ 1.1369
1000+ $ 0.0572 ¥ 0.4833
2500+ $ 0.0486 ¥ 0.4107
10000+ $ 0.0378 ¥ 0.3194
20000+ $ 0.0356 ¥ 0.3012
50000+ $ 0.0284 ¥ 0.2396
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