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IRF640NSPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 150W(Tc) 20V 4V@ 250µA 67nC@ 10 V 1个N沟道 200V 150mΩ@ 11A,10V 18A 1.16nF@25V D2PAK 贴片安装
供应商型号: SEU-IRF640NSPBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF640NSPBF

IRF640NSPBF概述


    产品简介


    HEXFET® Power MOSFET(如IRF640NSPbF)是一种高性能功率场效应晶体管(Power MOSFET),其主要应用于工业自动化、电力转换系统、电机驱动等领域。这些产品具有极低的导通电阻(RDS(on))和高可靠性,使得它们在各种需要高效电能转换的应用中表现出色。

    技术参数


    - 连续漏极电流 (ID):@ TC = 25°C 时为 18A,@ TC = 100°C 时为 13A。
    - 脉冲漏极电流 (IDM):最高可达 72A。
    - 功耗 (PD):@ TC = 25°C 时为 150W。
    - 线性降额因子:1.0 W/°C。
    - 栅源电压 (VGS):±20V。
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS):247mJ。
    - 雪崩电流 (IAR):18A。
    - 重复雪崩能量 (EAR):15mJ。
    - 峰值二极管恢复速度 (dv/dt):≤8.1V/ns。
    - 工作温度范围 (TJ):-55°C 到 +175°C。
    - 存储温度范围 (TSTG):-55°C 到 +175°C。

    产品特点和优势


    1. 先进的工艺技术:利用先进的处理技术实现极低的导通电阻。
    2. 快速开关能力:能够快速响应并减少能耗。
    3. 坚固的设计:具备重复雪崩能力,提高了整体耐用性。
    4. 简单的驱动需求:降低了设计复杂度。
    5. 表面贴装版本:如D2Pak,适用于高电流应用,提供较低的内部连接电阻。

    应用案例和使用建议


    HEXFET® Power MOSFET 适用于多种电力转换和控制应用,例如:
    - 电动机驱动:高效的电流调节。
    - 电源转换器:高速开关特性的应用。
    - 工业自动化设备:用于驱动马达和执行机构。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需要注意散热措施,以避免过热。
    - 高速开关应用中,确保驱动电路满足最小上升时间 (tr) 和下降时间 (tf) 的要求。
    - 在大电流应用中,尽量使用 D2Pak 或 TO-262 封装,这些封装具有更低的内阻和更高的散热能力。

    兼容性和支持


    HEXFET® Power MOSFET 支持多种封装类型,包括 TO-220、TO-262 和 D2Pak。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,以帮助客户正确使用和维护这些产品。此外,还有专门的应用笔记(如应用笔记 #AN-994),详细介绍安装和焊接技术。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:温度过高导致损坏
    - 解决办法:使用合适的散热片和风扇,确保良好的空气流通。
    - 问题2:驱动电路不稳定
    - 解决办法:确保驱动电路的上升时间和下降时间符合 MOSFET 的要求。
    - 问题3:电流超过额定值
    - 解决办法:选择合适型号的 MOSFET,并在实际使用中注意不要超出其最大电流额定值。

    总结和推荐


    HEXFET® Power MOSFET(如IRF640NSPbF)是一款性能卓越的功率器件,具有低导通电阻、高可靠性和优良的热性能。其独特的设计使其成为众多电力转换和控制应用的理想选择。强烈推荐给需要高效电能转换和可靠性能的工程师和技术人员。
    本文档根据 IRF640NSPbF 的技术手册编写,包含全面的产品信息和技术细节,希望对您的项目有所帮助。更多详细信息请参考官方网站或联系 IRF 的技术支持团队。

IRF640NSPBF参数

参数
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 200V
Id-连续漏极电流 18A
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 67nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.16nF@25V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 150mΩ@ 11A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 150W(Tc)
10.67mm(Max)
9.65mm(Max)
5.08mm(Max)
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

IRF640NSPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF640NSPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF640NSPBF IRF640NSPBF数据手册

IRF640NSPBF封装设计

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