处理中...

首页  >  产品百科  >  IRF630NS

IRF630NS

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 82W(Tc) 20V 4V@ 250µA 35nC@ 10 V 1个N沟道 200V 300mΩ@ 5.4A,10V 575pF@25V D2PAK 贴片安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF630NS

IRF630NS概述

    HEXFET® Power MOSFET: IRF630N/S/L

    1. 产品简介


    HEXFET® Power MOSFET是一款由International Rectifier(现为Infineon Technologies的一部分)制造的第五代功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。这种晶体管以其超低的导通电阻和快速开关速度而闻名,广泛应用于商业、工业和汽车市场。IRF630N/S/L系列涵盖了TO-220AB、D2Pak和TO-262三种封装形式,使其适用于各种不同的应用需求。

    2. 技术参数


    - 最大连续漏极电流:\( V{GS} = 10V \)时为9.3A(\( TC = 25°C \)); \( V{GS} = 10V \)时为6.5A(\( TC = 100°C \))
    - 脉冲漏极电流:\( I{DM} \leq 37A \)
    - 最大功耗:\( PD \leq 82W \)
    - 线性降额因子:\( 0.5W/°C \)
    - 栅源电压:\( V{GS} = \pm20V \)
    - 单脉冲雪崩能量:\( E{AS} \leq 94mJ \)
    - 雪崩电流:\( I{AR} \leq 9.3A \)
    - 重复雪崩能量:\( E{AR} \leq 8.2mJ \)
    - 峰值二极管恢复dv/dt:\( \frac{dv}{dt} \leq 8.1V/ns \)
    - 工作结温范围:\(-55°C\)至\(+175°C\)
    - 存储温度范围:\(-55°C\)至\(+175°C\)
    - 焊接温度:在距外壳1.6mm处为\( 300°C \),持续10秒

    3. 产品特点和优势


    HEXFET® Power MOSFET拥有先进的处理技术,能够实现极低的导通电阻,结合其快速开关速度和坚固耐用的设计,使得这些MOSFET成为设计人员在多种应用中的理想选择。具体优势如下:
    - 先进的工艺技术
    - 动态dv/dt额定值
    - 最高可承受175°C的工作温度
    - 快速开关
    - 完全的雪崩额定值
    - 易于并联
    - 简单的驱动要求

    4. 应用案例和使用建议


    IRF630N/S/L系列可用于广泛的工业和汽车应用,包括但不限于电源管理、电机控制、电池充电和直流-直流转换器。根据手册中的应用场景,建议如下:
    - 在需要高可靠性的应用中,应考虑工作温度范围较宽的情况。
    - 对于高电流应用,D2Pak封装是首选,因其具有较低的内部连接电阻。
    - 要避免在瞬态条件下超过最大额定值,特别是在高功率应用中,应谨慎设定驱动器的参数。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:HEXFET® Power MOSFET与多种驱动电路兼容,适合不同类型的电源系统。此外,不同封装形式(如TO-220AB和D2Pak)可以灵活适配各种安装方式。
    - 支持:国际整流器公司提供了详尽的应用文档和在线资源,帮助用户进行设计和调试。技术支持团队也可提供专业指导。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定合适的栅极驱动电压?
    - 解答:通常情况下,栅极驱动电压应在栅源电压的最小和最大值之间选择,例如10V左右。

    - 问题2:如何计算MOSFET的最大允许功率损耗?
    - 解答:使用公式 \( PD = V{DS} \times ID \),结合手册中的参数,确保不超过最大允许值。

    - 问题3:如何处理高温环境下的热管理问题?
    - 解答:在高温环境下,通过优化散热片设计或使用带有内置散热片的封装来降低结温,从而避免过热损坏。

    7. 总结和推荐


    总体而言,HEXFET® Power MOSFET IRF630N/S/L是一款集高效、可靠和多功能于一体的电子元器件,特别适用于高功率、高速切换的应用场合。由于其优秀的性能指标和广泛的应用场景,强烈推荐在各类电力电子系统中使用。然而,用户仍需根据具体应用需求和环境条件进行细致评估和调整,以确保最佳效果。

IRF630NS参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 35nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 575pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 300mΩ@ 5.4A,10V
最大功率耗散 82W(Tc)
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 200V
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装

IRF630NS厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF630NS数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF630NS IRF630NS数据手册

IRF630NS封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336