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IPP65R095C7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 128W 20V 4V 45nC@ 10V 1个N沟道 650V 95mΩ@ 10V 24A 2.14nF@ 400V TO-220 通孔安装 10mm*4.4mm*15.65mm
供应商型号: 726-IPP65R095C7
供应商: Mouser
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP65R095C7

IPP65R095C7概述

    650V CoolMOS™ C7 Power Transistor IPP65R095C7 技术手册概述

    产品简介


    CoolMOS™ C7系列是一种高压功率MOSFET技术,由Infineon Technologies公司开发。CoolMOS™ C7系列集成了快速开关超结MOSFET的所有优点,提供更高的系统效率、减少的栅极电荷、易于使用和卓越的可靠性。该系列产品适用于PFC(功率因数校正)阶段和硬开关PWM(脉宽调制)阶段,例如在计算机、服务器、电信、不间断电源(UPS)和太阳能等领域。

    技术参数


    以下是从技术手册中提取的关键性能参数:
    - 最大连续漏极电流 (ID):24A(TC=25°C),15A(TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse):100A(TC=25°C)
    - 雪崩能量 (EAS):118mJ(ID=8.4A;VDD=50V)
    - 重复雪崩能量 (EAR):0.59mJ(ID=8.4A;VDD=50V)
    - 雪崩电流 (IAS):8.4A
    - 电压变化率 (dv/dt):100V/ns(VDS=0...400V)
    - 栅源电压 (VGS):-20到+20V(静态),-30到+30V(动态)
    - 功率耗散 (Ptot):128W(TC=25°C)
    - 存储温度 (Tstg):-55到+150°C
    - 工作结温 (Tj):-55到+150°C
    - 连续二极管正向电流 (IS):24A(TC=25°C)
    - 二极管脉冲电流 (IS,pulse):100A(TC=25°C)

    产品特点和优势


    CoolMOS™ C7系列具备如下特点和优势:
    - 增强的dv/dt耐用性
    - 最佳的RDS(on)Eoss和RDS(on)Qg组合,实现更好的效率
    - 优秀的RDS(on)/封装比例
    - 易于使用和驱动
    - 无铅镀层,无卤素模塑化合物
    - 通过工业级标准(J-STD020和JESD22)认证
    这些特点使得CoolMOS™ C7系列能够实现更高的系统效率,提高频率和功率密度解决方案,同时降低冷却需求和系统成本/尺寸。

    应用案例和使用建议


    CoolMOS™ C7系列被广泛应用于PFC阶段和硬开关PWM阶段。例如,在计算机、服务器、电信、不间断电源(UPS)和太阳能等领域中。根据手册中的应用示例,以下是使用建议:
    - 并联MOSFET:当需要并联MOSFET时,推荐使用铁氧体磁珠或独立的推挽结构。
    - 温度管理:确保适当的散热管理以保持在安全的工作温度范围内。

    兼容性和支持


    - 包装类型:TO-220
    - 相关链接:
    - CoolMOS™ C7网页:www.infineon.com
    - 应用笔记:www.infineon.com
    - 模拟模型:www.infineon.com
    - 设计工具:www.infineon.com

    常见问题与解决方案


    根据手册中提供的信息,以下是常见的问题及其解决方案:
    - 问:如何防止过热?
    - 答:使用合适的散热器并确保良好的气流。
    - 问:如何确保正确并联MOSFET?
    - 答:使用铁氧体磁珠或独立的推挽结构。

    总结和推荐


    综上所述,CoolMOS™ C7系列是一款高性能、可靠且易于使用的高压功率MOSFET。其在效率、可靠性方面的显著优势使其成为多种应用的理想选择。基于其卓越的性能和技术特点,强烈推荐使用CoolMOS™ C7系列的产品。
    如果您对本文有任何疑问或建议,请随时联系Infineon Technologies的技术支持团队。

IPP65R095C7参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 128W
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
Rds(On)-漏源导通电阻 95mΩ@ 10V
栅极电荷 45nC@ 10V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.14nF@ 400V
Id-连续漏极电流 24A
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
包装方式 管装

IPP65R095C7厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP65R095C7数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R095C7 IPP65R095C7数据手册

IPP65R095C7封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 5.98 ¥ 50.531
10+ $ 4.422 ¥ 37.3659
25+ $ 3.8664 ¥ 32.6711
100+ $ 3.3804 ¥ 28.5644
250+ $ 3.0996 ¥ 26.1916
500+ $ 2.835 ¥ 23.9557
1000+ $ 2.646 ¥ 22.3587
2500+ $ 2.5935 ¥ 21.9151
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