处理中...

首页  >  产品百科  >  BCR 119 E6327

BCR 119 E6327

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: NPN 250mW 50V 100mA SOT-23-3 贴片安装,黏合安装 2.9mm*1.3mm*1mm
供应商型号: 726-BCR119E6327
供应商: Mouser
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) BCR 119 E6327

BCR 119 E6327概述


    产品简介


    BCR119系列 NPN硅数字晶体管
    BCR119系列是一种NPN硅制数字晶体管,适用于多种电路设计,如开关电路、逆变器、接口电路和驱动电路。这些晶体管内部集成了一个4.7kΩ的电阻(R1),并提供了两个内部隔离的匹配良好的晶体管,封装在一个多芯片封装内(BCR119S型号)。此系列的晶体管符合RoHS标准,无铅设计,并且已通过AEC Q101认证,确保在汽车和工业应用中的可靠性。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-发射极电压(VCEO):50V
    - 集电极-基极电压(VCBO):50V
    - 输入正向电压(Vi(fwd)):30V
    - 输入反向电压(Vi(rev)):5V
    - 直流集电极电流(IE):100mA
    - 最大功率耗散
    - BCR119: 在TS ≤ 102°C时为200mW
    - BCR119S: 在TS ≤ 115°C时为250mW
    - BCR119W: 在TS ≤ 124°C时为250mW
    - 结温(Tj):150°C
    - 储存温度(Tstg):-65°C ... 150°C
    - 热阻(RthJS)
    - BCR119: ≤ 240 K/W
    - BCR119S: ≤ 140 K/W
    - BCR119W: ≤ 105 K/W
    - 电气特性
    - 直流特性
    - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):50V
    - 集电极-基极击穿电压(V(BR)CBO):50V
    - 集电极-基极截止电流(ICBO):- - 100nA
    - 发射极-基极截止电流(IEBO):- - 100nA
    - 直流电流增益(hFE):120 - 630
    - 集电极-发射极饱和电压(VCEsat):- - 0.3V
    - 输入关断电压(Vi(off)):0.4 - 0.8V
    - 输入接通电压(Vi(on)):0.5 - 1.1V
    - 输入电阻(R1):3.2 - 4.7 - 6.2 kΩ
    - 交流特性
    - 转换频率(fT):- 150 MHz
    - 集电极-基极电容(Ccb):- 3 pF

    产品特点和优势


    BCR119系列晶体管的最大特点是内置了一个4.7kΩ的电阻(R1),简化了外部电路的设计。此外,BCR119S型号提供两个内部隔离的匹配良好的晶体管,进一步增强了电路设计的灵活性和稳定性。这些特性使其在多种应用场合中具有显著的优势,尤其是在需要高可靠性的开关电路和逆变器中。

    应用案例和使用建议


    BCR119系列晶体管广泛应用于各种电子系统中,包括但不限于:
    - 开关电路:利用其内置的电阻和内部隔离特性,可以有效地控制电流的流动。
    - 逆变器:由于其高电流增益(hFE),能够实现高效的电压转换。
    - 接口电路和驱动电路:其低输入关断电压(Vi(off))和高输入接通电压(Vi(on))使得它能够与不同的逻辑电平兼容。
    在使用BCR119系列晶体管时,应注意确保其在规定的温度范围内工作,并避免超过最大额定值,以防止过热损坏。为了优化电路性能,可以根据实际应用场景调整输入电阻(R1)的值。

    兼容性和支持


    BCR119系列晶体管与其他电子元器件的兼容性良好,特别是与其他集成在同一电路板上的数字和模拟电路。厂商Infineon Technologies AG提供详尽的技术文档和支持服务,包括设计指南和故障排查文档,确保用户能够高效地使用这些器件。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何确保晶体管在高温环境下正常工作?
    - A:确保在选择散热解决方案时考虑到晶体管的最大功率耗散和热阻特性,同时尽量避免长时间工作在高温极限下。
    - Q:如何避免输入信号的波动导致晶体管误操作?
    - A:合理选择输入电阻(R1)的值,使其与电路的其他部分相匹配,减少输入信号的波动对晶体管的影响。
    - Q:如何处理晶体管的存储问题?
    - A:在储存过程中保持温度在规定范围内(-65°C至150°C),避免长时间暴露在极端环境中。

    总结和推荐


    BCR119系列NPN硅数字晶体管以其卓越的性能和可靠性在多个应用场景中表现出色。其内置的电阻、高电流增益和宽工作温度范围使其成为各种电路设计的理想选择。建议在涉及高要求的开关电路和逆变器设计时优先考虑BCR119系列晶体管,但需注意在实际使用中遵循厂商提供的指导和规范。

BCR 119 E6327参数

参数
最大功率耗散 250mW
VCBO-最大集电极基极电压 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
集电极电流 100mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
集电极截止电流 -
配置 独立式
晶体管类型 NPN
最大集电极发射极饱和电压 0.3@ 0.5mA @ 10mA
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*1mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 工业级
包装方式 卷带包装

BCR 119 E6327厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BCR 119 E6327数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) INFINEON TECHNOLOGIES BCR 119 E6327 BCR 119 E6327数据手册

BCR 119 E6327封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.3105 ¥ 2.6237
10+ $ 0.2151 ¥ 1.8172
100+ $ 0.1357 ¥ 1.1467
500+ $ 0.0803 ¥ 0.6785
1000+ $ 0.0583 ¥ 0.4926
3000+ $ 0.0486 ¥ 0.4107
6000+ $ 0.0421 ¥ 0.3559
9000+ $ 0.0378 ¥ 0.3194
24000+ $ 0.0313 ¥ 0.2647
库存: 227
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 2.62
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N1613 ¥ 186.2455
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AE3 ¥ 39.2528
2N2222AUA ¥ 275.2402
2N2222AUB ¥ 338.8957
2N2222AUB ¥ 290.8886