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IGW75N60TFKSA1

产品分类: IGBT单管
产品描述: 英飞凌 IGBT, 最大 600 V, 最大 150 A
供应商型号: IGW75N60TFKSA1
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES IGBT单管 IGW75N60TFKSA1

IGW75N60TFKSA1概述

    IGW75N60T:TRENCHSTOP™ 系列低损耗IGBT

    产品简介


    IGW75N60T 是由英飞凌科技公司推出的 TRENCHSTOP™ 系列低损耗 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)。IGBT 作为重要的功率半导体器件,在频率转换器、不间断电源等领域有着广泛应用。该型号具有较低的导通压降和较高的耐热能力,适用于需要高效率和稳定性能的应用场合。

    技术参数


    - 主要规格:
    - 集电极-发射极电压:600V
    - 集电极电流:75A
    - 导通压降(Tj=25°C):1.5V
    - 最大结温:175°C
    - 短路承受时间:5μs
    - 极限参数:
    - 结温≥25°C时的最大集电极-发射极电压:600V
    - 以最高结温为限的连续集电极电流:118A(TC=25°C),85A(TC=100°C)
    - 以最高结温为限的脉冲集电极电流:225A
    - 在VCE=600V,Tj=175°C,tp=1μs条件下安全操作区域:225A
    - 栅极-发射极电压:±20V
    - 短路承受时间:VGE=15V,VCC≤400V,Tj≤150°C条件下的5μs
    - 热阻抗:
    - 结-壳热阻:0.35 K/W
    - 结-环境热阻:40 K/W
    - 电气特性:
    - 击穿电压(VG E=0V,I C=0.2mA):600V
    - 导通压降(VG E=15V,I C=75A,Tj=25°C):1.5V
    - 门限电压(I C=1.2mA,V CE=VG E):4.1V
    - 零门电压下集电极电流(V CE=600V,VG E=0V,Tj=25°C):-40μA
    - 门-发射极泄漏电流(V CE=0V,VG E=20V):- - 100nA
    - 动态特性:
    - 输入电容(VC E=25V,VG E=0V,f=1MHz):- 4620pF
    - 输出电容:- 288pF
    - 反向传输电容:- 137pF
    - 门电荷(VC C=480V,I C=75A,VG E=15V):- 470nC
    - 内部发射极电感:- 13nH
    - 短路时的集电极电流(V GE=15V,t SC≤5μs,VC C=400V,Tj≤150°C):- 687.5A

    产品特点和优势


    - 低导通压降:典型值仅为1.5V,可以有效降低能量损耗,提高系统效率。
    - 高耐热能力:最大结温高达175°C,确保在恶劣环境下稳定运行。
    - 短路保护能力:短路承受时间为5μs,有效防止因过载引起的损坏。
    - 正温度系数的导通压降:提高了系统的安全性和可靠性。
    - 低电磁干扰:具备良好的EMI性能,减少对其他电子设备的影响。
    - 快速开关速度:高开关速度减少了开关过程中的能量损耗,提升了系统整体性能。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:IGW75N60T 适用于各种高频功率转换装置,如频率转换器、不间断电源(UPS)等。在这些应用场景中,它可以显著提升系统的效率和稳定性。
    - 使用建议:为了充分发挥其性能,建议在设计电路时选择合适的散热措施,以避免结温过高。同时,使用过程中应严格控制门极电压和电流,确保安全操作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IGW75N60T 与市场上主流的控制芯片和电源管理模块具有良好兼容性,可方便集成于现有系统中。
    - 技术支持:英飞凌提供详细的技术文档和支持服务,帮助用户解决使用中遇到的问题。用户还可以通过官方网站获取相关的设计资料和模型文件。

    常见问题与解决方案


    - Q1: 门极驱动电压过高或过低会有什么影响?
    - A1: 电压过高会导致门极-发射极击穿,过低则可能无法正常开启。建议参考技术手册,按照推荐电压范围进行设置。
    - Q2: 在高温环境下使用时应注意什么?
    - A2: 在高温环境中使用时,需注意散热,防止结温超过最大允许值。可以通过增加散热片或使用水冷系统来改善散热效果。
    - Q3: 发生短路时如何保护IGBT?
    - A3: 由于其内置的短路保护机制,当检测到短路情况时,IGBT会在限定时间内关闭,以保护器件不受损害。如果需要更可靠的保护,可以在外围电路中加入过流保护电路。

    总结和推荐


    IGW75N60T 是一款高性能、高可靠性的低损耗 IGBT,适用于多种工业应用。其卓越的导通性能、稳定的温度特性和快速的开关速度使其在市场上具有很高的竞争力。对于需要高效能、高可靠性的系统来说,IGW75N60T 是一个理想的选择。我们强烈推荐这一产品,特别是在电力转换和UPS等关键应用中。

IGW75N60TFKSA1参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 600V
最大集电极发射极饱和电压 1.5V
配置 独立式
集电极电流 150A
最大功率耗散 428W
长*宽*高 15.9mm*5.3mm*20.9mm
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IGW75N60TFKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IGW75N60TFKSA1数据手册

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IGW75N60TFKSA1封装设计

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