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IPB80N06S2-H5

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 300W 20V 116nC@ 10V 1个N沟道 55V 5.2mΩ@ 10V 80A 4.4nF@ 25V TO-263 贴片安装 10mm*9.25mm*4.4mm
供应商型号: IPB80N06S2-H5
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB80N06S2-H5

IPB80N06S2-H5概述


    产品简介


    IPB80N06S2-H5 和 IPP80N06S2-H5
    IPB80N06S2-H5 和 IPP80N06S2-H5 是来自 Infineon Technologies 的 OptiMOS® 功率晶体管。这两种产品均是 N 沟道增强型晶体管,广泛应用于汽车、工业控制和消费电子产品等领域。它们具备低导通电阻(Rds(on))和高可靠性,能够承受高温和瞬时电流脉冲,适用于各种苛刻的工作环境。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 条件 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 连续漏极电流 | ID | TC=25 °C, VGS=10 V | A | - | 80 | 80 |
    | 脉冲漏极电流 | ID,pulse | TC=25 °C | A | - | - | 320 |
    | 击穿电压 | V(BR)DSS | VGS=0 V, ID=1 mA | V | - | 55 | - |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=230 µA | V | 2.1 | 3.0 | 4.0 |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=55 V, VGS=0 V, Tj=25 °C | µA | - | 0.01 | 1 |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS | VGS=20 V, VDS=0 V | nA | - | 1 | 100 |
    | 导通电阻 | RDS(on) | VGS=10 V, ID=80 A | mΩ | - | 4.6 | 5.5 |
    | 热阻抗 | RthJC | - | K/W | - | - | 0.5 |

    产品特点和优势


    IPB80N06S2-H5 和 IPP80N06S2-H5 作为 OptiMOS® 功率晶体管,具有以下显著特点:
    - 低导通电阻:典型值为 4.6 mΩ,使得在高电流下具有更低的功率损耗。
    - 高可靠性:满足 AEC-Q101 认证标准,适用于汽车应用。
    - 超宽工作温度范围:可在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内稳定工作。
    - MSL1 级认证:达到 260°C 峰值回流温度标准。
    - 超低栅漏电流:在高栅源电压下栅源泄漏电流仅为 100 nA。
    这些特性使其在需要高可靠性和高效能的应用中表现出色,特别是在电动汽车和工业自动化领域具有显著的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电动车辆:用于电池管理系统中的电机驱动电路。
    - 工业控制系统:用于高频逆变器和直流-直流转换器。
    - 消费电子产品:用于便携式电源适配器和开关电源。
    使用建议
    - 在设计应用电路时,要确保栅极驱动电路能够提供足够的栅极电荷来驱动晶体管,避免过高的栅极电压导致击穿。
    - 在高电流情况下,注意散热措施,以防止因热效应导致的失效。

    兼容性和支持


    IPB80N06S2-H5 和 IPP80N06S2-H5 可与其他主流功率半导体器件兼容,广泛应用于各种电子系统。Infineon Technologies 提供详尽的技术支持文档和专业售后服务,帮助用户快速解决技术问题并优化应用设计。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 在高电流条件下,晶体管为何过热?
    - A: 由于导通电阻造成的发热,需要加强散热措施,例如加装散热片或优化电路布局以降低局部热点。
    2. Q: 如何正确选择栅极驱动电压?
    - A: 通常需要将栅极驱动电压设置在 10V 左右,既保证充分开启又避免击穿风险。

    总结和推荐


    总体来看,IPB80N06S2-H5 和 IPP80N06S2-H5 是高性能的 N 沟道增强型功率晶体管,具备优异的电气特性和广泛的应用范围。其低导通电阻和高可靠性使其成为电动车辆和工业控制系统的理想选择。我们强烈推荐这些产品给寻求高效能、高可靠性的工程师和技术采购人员。

IPB80N06S2-H5参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 5.2mΩ@ 10V
最大功率耗散 300W
通道数量 1
栅极电荷 116nC@ 10V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.4nF@ 25V
Id-连续漏极电流 80A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 55V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装

IPB80N06S2-H5厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB80N06S2-H5数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB80N06S2-H5 IPB80N06S2-H5数据手册

IPB80N06S2-H5封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 14.1352
500+ ¥ 13.9034
1000+ ¥ 13.6717
5000+ ¥ 13.44
库存: 9000
起订量: 100 增量: 0
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最小起订量为:100
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型号 价格(含增值税)
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