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IPP120N04S302AKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 300W(Tc) 20V 4V@ 230µA 210nC@ 10 V 1个N沟道 40V 2.3mΩ@ 80A,10V 120A 14.3nF@25V TO-220 通孔安装 10mm*4.4mm*9.25mm
供应商型号: REB-TMOSP8398
供应商: 海外现货
标准整包数: 50
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP120N04S302AKSA1

IPP120N04S302AKSA1概述

    # IPB120N04S3-02 和其他型号电子元器件的产品技术手册

    产品简介


    IPB120N04S3-02、IPI120N04S3-02 和 IPP120N04S3-02 是由Infineon Technologies制造的增强型N沟道功率晶体管,属于OptiMOS®-T系列。这些电子元器件主要应用于汽车、工业和消费电子领域,以提供高效、可靠且高性能的电源管理解决方案。它们可以用于电机驱动、开关电源、逆变器等应用场合。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 条件 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 持续漏极电流(结温=25°C) | ID | TC=25°C,VGS=10V | A | - | 120 | 120 |
    | 脉冲漏极电流(TC=25°C) | ID,pulse | - | A | - | - | 480 |
    | 雪崩能量(单脉冲) | EAS | ID=80A | mJ | - | - | 1880 |
    | 栅源电压 | VGS | - | V | -20 | - | +20 |
    | 功率耗散(结温=25°C) | Ptot | - | W | - | - | 300 |
    | 工作和存储温度范围 | Tj, Tstg | - | °C | -55 | - | +175 |

    产品特点和优势


    1. N沟道 - 增强型模式:确保高效率和可靠性。
    2. 汽车级认证(AEC-Q101):适用于严苛的汽车应用环境。
    3. 无卤素(RoHS兼容):符合环保标准。
    4. 超低Rds(on):降低功耗,提高能效。
    5. 100%雪崩测试:确保在极端条件下的可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这些晶体管常用于电动汽车、混合动力汽车以及各种工业和消费电子产品中,作为开关和功率控制器件。例如,在电动汽车的电池管理系统中,这些器件可以用来控制充电和放电过程,确保系统的稳定性和安全性。
    使用建议
    1. 在高温环境下使用时,注意其最大结温限制,以避免过热损坏。
    2. 设计电路时,考虑雪崩击穿能量的最大值,确保系统在出现瞬态电压时的安全性。
    3. 选择合适的栅源电压和漏极电流,确保晶体管在预期的工作条件下正常运行。

    兼容性和支持


    这些晶体管具有多种封装形式(如PG-TO263-3-2、PG-TO262-3-1和PG-TO220-3-1),方便用户根据不同的需求进行选择。厂商提供了详细的技术支持文档和应用指南,帮助用户更好地理解和使用这些器件。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温下晶体管失效
    - 解决方案:确保散热良好,使用适当的热管理措施,例如散热片或风扇。
    2. 问题:栅源电压不稳定导致无法正常工作
    - 解决方案:使用稳压器或滤波器来保持稳定的电压输入。
    3. 问题:晶体管损坏
    - 解决方案:检查电路设计是否存在短路或过载情况,确保电流和电压不超过额定值。

    总结和推荐


    综上所述,IPB120N04S3-02 和其他型号的晶体管具有许多显著的优势,特别是在高要求的应用环境中表现优异。尽管它们的价格可能较高,但考虑到其卓越的性能和可靠性,强烈推荐在关键应用中使用这些器件。

IPP120N04S302AKSA1参数

参数
最大功率耗散 300W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 14.3nF@25V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.3mΩ@ 80A,10V
Id-连续漏极电流 120A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 230µA
栅极电荷 210nC@ 10 V
长*宽*高 10mm*4.4mm*9.25mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IPP120N04S302AKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP120N04S302AKSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPP120N04S302AKSA1 IPP120N04S302AKSA1数据手册

IPP120N04S302AKSA1封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 3.7375 ¥ 32.7779
150+ $ 3.64 ¥ 31.9228
350+ $ 3.575 ¥ 31.3528
500+ $ 3.234 ¥ 28.3622
2500+ $ 3.0564 ¥ 26.8046
库存: 14000
起订量: 50 增量: 50
交货地:
最小起订量为:50
合计: ¥ 1638.89
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型号 价格(含增值税)
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