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IRLZ44ZPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 51 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: CY-IRLZ44ZPBF
供应商: Avnet
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLZ44ZPBF

IRLZ44ZPBF概述

    HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HEXFET® Power MOSFET 是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),特别适用于电源转换和其他高功率应用场合。它采用了先进的工艺技术,具备极低的导通电阻、高温度操作能力、快速开关速度和重复雪崩能力等优点。这些特性使得HEXFET® MOSFET在广泛的应用中表现出色,尤其是在汽车、工业控制和消费电子等领域。

    2. 技术参数


    - 主要规格:
    - 集电极-发射极击穿电压:VDSS = 55V
    - 导通电阻:RDS(on) = 13.5mΩ
    - 连续漏极电流:ID = 51A
    - 电气特性:
    - 极限温度:TJ = -55°C 至 +175°C
    - 最大栅源电压:VGS = ±16V
    - 单脉冲雪崩能量:EAS (Thermally limited) < 1000 mJ
    - 热阻抗:
    - 结至外壳:RθJC = 1.87 °C/W
    - 外壳至散热片:RθCS = 0.50 °C/W
    - 结至环境空气:RθJA = 62 °C/W (PCB安装)
    - 封装形式:
    - TO-220AB
    - TO-262
    - D2Pak

    3. 产品特点和优势


    HEXFET® Power MOSFET 的主要特点是:
    - 极低的导通电阻:RDS(on) = 13.5mΩ,这显著降低了在高电流运行时的能耗损失。
    - 高温操作能力:175°C 的工作温度使其能够在恶劣环境下保持高效稳定运行。
    - 快速开关速度:适合高频应用,能显著减少开关损耗。
    - 支持重复雪崩操作:提高了可靠性和耐用性,适用于需要反复过压保护的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用实例:
    - 电动汽车电池管理系统
    - 工业电机控制驱动器
    - 开关电源转换器
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑到导通电阻和热阻抗对温度的影响,确保适当的散热设计以避免过热。
    - 使用合适的驱动器来实现快速开关速度,减少开关损耗。
    - 为了更好地发挥HEXFET® MOSFET的性能,建议在高频应用中采用陶瓷电容器进行滤波,以降低电磁干扰。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 该器件与其他标准封装和引脚布局的电源器件具有良好的兼容性。
    - 厂商支持:
    - 供应商提供详细的使用指南和技术支持,帮助客户解决设计和应用中的问题。
    - 供应商还提供了应用笔记,如AN-994,以指导正确的安装和焊接技术。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备在高温下不稳定。
    - 解决方案: 确保有足够的散热措施,并考虑使用散热片或其他散热方法。
    - 问题2: 导通电阻异常增加。
    - 解决方案: 检查是否有短路或其他异常情况,并重新校准驱动信号。
    - 问题3: 开关时间延长。
    - 解决方案: 确保驱动器能够提供足够的栅极充电电流,从而加快开关速度。

    7. 总结和推荐


    HEXFET® Power MOSFET 在低导通电阻、高耐热能力和快速开关性能方面表现优异,适合各种高功率应用。它不仅能够提高系统的效率,还能增强系统的可靠性和耐用性。综合其性能和广泛应用潜力,强烈推荐使用HEXFET® Power MOSFET作为高性能电源管理解决方案的一部分。

IRLZ44ZPBF参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 55V
Rds(On)-漏源导通电阻 13.5mΩ@ 31A,10V
通道数量 1
最大功率耗散 80W(Tc)
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 36nC@ 5 V
Id-连续漏极电流 51A
Vgs-栅源极电压 16V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.62nF@25V
配置 独立式
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IRLZ44ZPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLZ44ZPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLZ44ZPBF IRLZ44ZPBF数据手册

IRLZ44ZPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.4394 ¥ 3.7807
300+ $ 0.4353 ¥ 3.7467
500+ $ 0.4313 ¥ 3.7126
1000+ $ 0.4192 ¥ 3.5423
5000+ $ 0.4192 ¥ 3.5423
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