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IRF6811STR1PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.1W(Ta),32W(Tc) 16V 2.1V@ 35µA 17nC@ 4.5 V 1个N沟道 25V 3.7mΩ@ 19A,10V 74A 1.59nF@13V 直接安装,贴片安装 4.85mm*3.95mm*700μm
供应商型号: IRF6811STR1PBFTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF6811STR1PBF

IRF6811STR1PBF概述

    IRF6811STRPbF DirectFET® 功率MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF6811STRPbF 是由 Infineon Technologies 推出的一款结合最新 HEXFET® 功率MOSFET 硅技术与先进 DirectFET® 封装的产品。这种封装设计使其在具备类似 MICRO-8 脚印的情况下仅拥有 0.7 毫米的超薄厚度。DirectFET® 封装不仅与现有的 PCB 布局几何结构兼容,还可利用现有的表面贴装技术和焊接工艺(如波峰焊、红外线焊或对流焊)。DirectFET® 的双面散热设计显著提高了热传导效率,在功率系统中比以往的散热方案提升了 80%。
    IRF6811STRPbF 在控制场效应晶体管(FET)的应用中被优化用于同步降压转换器中,为 12 伏总线电压下的新一代处理器提供高效率电源解决方案。

    技术参数


    | 参数名称 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 栅极-源极电压 | V | -16 +16 |
    | 漏极-源极电压 | V 25 |
    | 连续漏极电流(Ta=25℃) | A 15 | 74 |
    | 连续漏极电流(Ta=70℃) | A 150 |
    | 开关电阻(VGS=10V) | mΩ 2.8 | 4.1 |
    | 开关电阻(VGS=4.5V) | mΩ 4.1 | 5.4 |
    | 总栅极电荷 | nC 11 | 17 |
    其他关键指标包括低栅极电阻、低电荷和极低的封装电感,能显著减少开关损耗。

    产品特点和优势


    - 超低封装电感:极大地降低了开关损耗,适用于高频工作。
    - 高效能设计:非常适合高效率的 DC-DC 转换器。
    - 低功耗:优化了控制 FET 应用的热管理。
    - 双面冷却兼容性:增强散热性能,适合高功率应用。
    - 环保设计:RoHS 合规且无卤素,符合严格的环保标准。

    应用案例和使用建议


    IRF6811STRPbF 广泛应用于需要高性能功率处理的场景,例如服务器、计算机电源模块和可再生能源逆变器。对于这些应用,建议遵循制造商提供的应用指南以实现最佳性能。此外,在高电流条件下,应确保适当的散热措施以避免过热现象。

    兼容性和支持


    IRF6811STRPbF 与现有表面贴装技术完全兼容,这意味着它可以无缝集成到现有的制造流程中。Infineon 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户快速上手并优化产品性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何提高散热效率?
    答:采用双面冷却方式,并确保良好的 PCB 散热路径。

    2. 问:如何降低开关损耗?
    答:选择更低导通电阻的产品版本,同时优化电路布局以减少寄生电感。

    总结和推荐


    IRF6811STRPbF 是一款具有卓越性能的 DirectFET® 功率 MOSFET,特别适合需要高效率和紧凑设计的应用场合。其超低的导通电阻、优秀的散热能力和广泛的适用性使其在市场上极具竞争力。如果您正在寻找一款能够提升系统效率、简化设计的 MOSFET,那么 IRF6811STRPbF 是一个值得推荐的选择。

IRF6811STR1PBF参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 74A
最大功率耗散 2.1W(Ta),32W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 35µA
Rds(On)-漏源导通电阻 3.7mΩ@ 19A,10V
栅极电荷 17nC@ 4.5 V
Vds-漏源极击穿电压 25V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.59nF@13V
Vgs-栅源极电压 16V
配置 独立式
长*宽*高 4.85mm*3.95mm*700μm
安装方式 直接安装,贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

IRF6811STR1PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF6811STR1PBF数据手册

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IRF6811STR1PBF封装设计

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