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IRFH5110TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 3.6W(Ta),114W(Tc) 20V 4V@ 100µA 72nC@ 10 V 1个N沟道 100V 12.4mΩ@ 37A,10V 11A,63A 3.152nF@25V PQFN 贴片安装 5mm*6mm*830μm
供应商型号: IRFH5110TRPBF
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFH5110TRPBF

IRFH5110TRPBF概述

    HEXFET Power MOSFET: 技术手册解析与应用指南

    1. 产品简介


    产品类型:
    本产品为 HEXFET 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 PQFN 5x6 封装形式。
    主要功能:
    - 用于二次侧同步整流
    - 逆变器驱动直流电机
    - DC-DC 砖式电源模块应用
    应用领域:
    广泛应用于电源转换、电池管理、汽车电子、工业自动化等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 单位 | 最大值 |
    |
    | 漏极-源极电压 VDS | V | 100 |
    | 门极-源极电压 VGS | V | ±20 |
    | 连续漏极电流 ID (@TA = 25°C) | A | 252 |
    | 连续漏极电流 ID (@TA = 70°C) | A | 100 |
    | 脉冲漏极电流 IDM | A | 9.0 |
    | 功耗 PD (@TA = 25°C) | W | 63 |
    | 工作结温范围 TJ | °C | -55 to +150 |
    | 存储温度范围 TSTG | °C | -55 to +150 |

    3. 产品特点和优势


    - 低 RDSon (<12.4 mΩ):降低导通损耗,提高效率。
    - 低热阻至PCB (<1.1°C/W):增强散热能力,增加功率密度。
    - 100% Rg 测试:提高可靠性。
    - 行业标准引脚布局:确保多供应商兼容性,便于制造。
    - RoHS 合规:环保设计,不含铅、溴化物和卤素。
    - 工业级资格认证:MSL1 标准,增加可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 用于电源转换器中的二次侧同步整流,实现高效率转换。
    - 用于电机驱动逆变器,减少功耗并提升整体性能。
    - 在各种 DC-DC 转换器中应用,尤其适合要求紧凑设计的场合。
    使用建议:
    - 为了充分发挥其低 RDSon 的优势,在设计电路时应考虑使用较厚铜板以提高散热效率。
    - 选择适当的门极电阻 (RG) 值,以平衡开关速度与功耗。
    - 在高温环境下使用时,应注意散热设计以防止过热。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:产品具有行业标准引脚布局,可与其他主流功率 MOSFET 设备无缝兼容。
    - 支持:生产商提供全面的技术支持和维护服务,可通过访问官方网站获得详细信息和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致功耗过大 | 减少开关频率,优化门极电阻 (RG) 值。 |
    | 温度过高导致性能下降 | 改进散热设计,使用更大散热片或风扇。 |
    | 源极-漏极击穿电压不足 | 选择 VDS 更高的型号,或重新设计电路。 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    HEXFET Power MOSFET 具有低导通电阻、高可靠性和优异的散热性能,特别适用于高频、高效能的电源转换场景。通过选用合适的封装和引脚布局,能够轻松集成到现有系统中,且具备良好的兼容性和易用性。
    推荐:
    强烈推荐给需要高效能、高性能电源解决方案的设计工程师,尤其是在电池管理和汽车电子等对散热和效率要求较高的领域。

IRFH5110TRPBF参数

参数
Id-连续漏极电流 11A,63A
Rds(On)-漏源导通电阻 12.4mΩ@ 37A,10V
栅极电荷 72nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.152nF@25V
最大功率耗散 3.6W(Ta),114W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 100µA
通道数量 1
配置 独立式quaddraintriplesource
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
长*宽*高 5mm*6mm*830μm
通用封装 PQFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRFH5110TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFH5110TRPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFH5110TRPBF IRFH5110TRPBF数据手册

IRFH5110TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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