处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFU2407

IRFU2407

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 110W(Tc) 20V 4V@ 250µA 110nC@ 10 V 1个N沟道 75V 26mΩ@ 25A,10V 2.4nF@25V IPAK,TO-251AA 通孔安装
供应商型号: SEC-IRFU2407
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFU2407

IRFU2407概述


    产品简介


    产品类型:
    本产品是第七代HEXFET® Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管),由国际整流器公司(International Rectifier)生产。
    主要功能:
    - 高效能:采用先进的工艺技术,提供超低的导通电阻(RDS(on)),有效降低损耗。
    - 快速开关:具有快速开关特性,能够在短时间内完成关断和开通操作。
    - 抗压性能强:具有高耐压能力和抗冲击能力,适用于多种严苛的应用环境。
    应用领域:
    - 工业控制和自动化设备
    - 电源转换及管理设备
    - 汽车电子
    - 能源存储系统
    - LED照明

    技术参数


    - 额定参数:
    - 最大连续漏极电流(VGS=10V,TC=25°C):42A
    - 最大连续漏极电流(VGS=10V,TC=100°C):29A
    - 最大脉冲漏极电流:170A
    - 最大功率耗散:110W(TC=25°C)
    - 绝对最大额定值:漏源击穿电压(VDSS):75V;导通电阻(RDS(on)):0.026Ω
    - 工作温度范围:
    - 操作结温(TJ):-55°C 至 +175°C
    - 存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +175°C
    - 焊接温度:300°C(距离外壳1.6mm)
    - 热阻抗:
    - 结到外壳(RθJC):1.4°C/W
    - 结到环境(RθJA):50°C/W(PCB安装)
    - 结到环境(RθJA):110°C/W(不特定条件)
    - 电气特性:
    - 开启延迟时间(td(on)):≤ 16ns
    - 上升时间(tr):≤ 90ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):≤ 65ns
    - 下降时间(tf):≤ 66ns

    产品特点和优势


    - 高性能: 集成了先进工艺技术,实现了更低的导通电阻(RDS(on)),确保更高的工作效率。
    - 快速开关: 具备快速开关特性,减少开关损耗,适合高频应用场合。
    - 强抗压能力: 能承受高达75V的电压,具备良好的瞬态热阻抗性能。
    - 可靠性: 设计坚固,能够承受较高的电流冲击和高温环境,保证长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 在工业自动化设备中作为电机控制器的驱动元件。
    - 在汽车电子系统中用于电池管理和充电电路。
    - 使用建议:
    - 安装时需要考虑低杂散电感和平面接地,以避免不必要的干扰和噪声。
    - 建议在高温环境下使用时添加散热装置,防止过热损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 该MOSFET具有广泛的兼容性,可以轻松集成到现有的电路设计中。
    - 可通过表面贴装技术(SMT)和通孔技术进行安装,适应不同类型的电路板设计。
    - 支持和维护:
    - 国际整流器公司提供了详尽的技术文档和支持服务,涵盖安装、调试和维护等方面的指导。
    - 用户可以通过官网获取最新的技术资料和技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关时间不稳定
    - 解决方案: 检查栅极驱动电阻(RG)是否正确设置,确保其阻值符合制造商推荐值。

    2. 问题: 散热不良导致过热
    - 解决方案: 确保电路板上设置适当的散热片或风扇,提高散热效率。
    3. 问题: 过压保护失效
    - 解决方案: 检查外围电路中的瞬态抑制二极管(TVS)是否正常工作,确保正确的电压保护。

    总结和推荐


    综合评估:
    IRFR2407/IRFU2407系列MOSFET凭借其卓越的导通电阻、快速的开关速度以及出色的耐压能力,使其在各种应用中表现优异。尤其适合于需要高效能和可靠性的应用场合。
    推荐使用:
    鉴于其优异的技术性能和广泛的应用领域,强烈推荐在需要高性能电源管理和控制系统的设计中使用IRFR2407/IRFU2407。这些产品不仅能够提升系统的整体效率,还能显著延长使用寿命,为企业创造更多的价值。

IRFU2407参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 75V
最大功率耗散 110W(Tc)
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.4nF@25V
栅极电荷 110nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 26mΩ@ 25A,10V
通用封装 IPAK,TO-251AA
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRFU2407厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFU2407数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFU2407 IRFU2407数据手册

IRFU2407封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
38+ $ 1.8355 ¥ 15.3818
库存: 1120
起订量: 274 增量: 1
交货地:
最小起订量为:38
合计: ¥ 584.5
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504