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IPA65R190E6

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 34W(Tc) 20V 3.5V@ 730µA 73nC@ 10 V 1个N沟道 650V 190mΩ@ 7.3A,10V 20.2A 1.62nF@100V TO-220 通孔安装 10.65mm*4.85mm*16.15mm
供应商型号: 14M-IPA65R190E6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPA65R190E6

IPA65R190E6概述

    # 650V CoolMOS™ E6 功率晶体管 IPx65R190E6 技术手册

    1. 产品简介


    基本介绍
    CoolMOS™ 是英飞凌开发的一种革命性高压功率 MOSFET 技术,其核心基于超级结(Super Junction, SJ)原理。CoolMOS™ E6 系列结合了领先 SJ MOSFET 供应商的经验与高度创新的技术,提供了快速开关的 SJ MOSFET 的所有优点,同时保留了易用性。IPx65R190E6 是 CoolMOS™ E6 系列中的一个具体型号,专为高性能电源应用设计。
    主要功能
    - 极低的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(Qg)
    - 支持高频率开关应用
    - 高度耐用的换向能力
    - 符合无铅焊接标准,无卤素
    应用领域
    - 功率因数校正(PFC)阶段
    - 硬开关 PWM 阶段
    - 谐振开关 PWM 阶段
    - 例如:PC Silverbox、适配器、LCD 和 PDP 电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 备注及测试条件 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | V | 650 | - | - | VGS=0 V, ID=1.0 mA |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | V | 2.5 | 3 | 3.5 | VDS=VGS, ID=0.73 mA |
    | 栅源漏电流 | IGSS | nA | - | - | 100 | VGS=20 V, VDS=0 V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | Ω | - | 0.17 | 0.19 | VGS=10 V, ID=7.3 A, Tj=25 °C |
    | 栅电荷总和 | Qg | nC | - | 73 | - | VDD=480 V, ID=11 A |
    | 有效输出电容(时间相关)| Co(tr) | pF | - | 308 | - | ID=constant, VGS=0 V, VDS=0...480V |

    3. 产品特点和优势


    特点
    - 极低的开关和导通损耗,提高效率
    - 非常高的换向鲁棒性
    - 易于驱动和使用
    - 符合 JEDEC 标准,无铅镀层,无卤素
    优势
    - 提供紧凑、轻量且冷却效果更好的设计
    - 适用于高频和高性能应用

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在 PFC 阶段用于提高能源效率
    - 在谐振开关 PWM 阶段实现高频率操作
    使用建议
    - 对于并联 MOSFET,推荐使用铁氧体磁珠或独立推拉电路
    - 选择合适的散热解决方案以保持设备温度在安全范围内

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    - 与多种封装类型兼容,如 TO-247、TO-263 等
    支持
    - 英飞凌官网提供详细的设计工具和技术文档
    - 客户技术支持服务

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 设备过热 | 确保良好的散热设计和风扇通风 |
    | 开关频率不稳定 | 检查电路设计和外部元件的选择 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    - IPx65R190E6 提供了出色的性能和可靠性,特别适合需要高效能和稳定性的应用场合。
    - 其易于驱动的特点使其成为设计师的理想选择。
    推荐使用
    鉴于其卓越的技术参数和广泛的应用范围,我们强烈推荐 IPx65R190E6 用于需要高性能、高效率的电源管理系统中。

IPA65R190E6参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 730µA
最大功率耗散 34W(Tc)
栅极电荷 73nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 7.3A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.62nF@100V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 20.2A
长*宽*高 10.65mm*4.85mm*16.15mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IPA65R190E6厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPA65R190E6数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R190E6 IPA65R190E6数据手册

IPA65R190E6封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 18.421
10+ ¥ 16.5079
30+ ¥ 14.4947
100+ ¥ 14.0921
300+ ¥ 13.5526
1000+ ¥ 13.1579
库存: 3991
起订量: 1 增量: 500
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