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F3L50R06W1E3_B11

产品分类: IGBT模块
产品描述: 175W 1.45V igbt-逆变器 600V 75A AG-EASY1B-2 贴片安装
供应商型号: 641-F3L50R06W1E3_B11
供应商: Mouser
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES IGBT模块 F3L50R06W1E3_B11

F3L50R06W1E3_B11概述


    产品简介


    F3L50R06W1E3B11 IGBT模块
    F3L50R06W1E3B11是一种集成式绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块,结合了沟槽/场截止IGBT3和发射极控制三端口二极管,同时采用PressFIT和NTC技术。这款模块广泛应用于三电平转换器、太阳能系统及不间断电源系统(UPS)等领域。

    技术参数


    - 最高额定值
    - 集电极-发射极断态电压 \(V{CES}\): 600 V
    - 集电极连续直流电流 \(I{C\text{nom}}\): 50 A (最大值可达100 A)
    - 门极-发射极峰值电压 \(V{GES}\): ±20 V
    - 最大总耗散功率 \(P{tot}\): 175 W (在25°C下)
    - 典型特征
    - 集电极-发射极饱和电压 \(V{CEsat}\):
    - 在 \(IC = 50 \text{ A}, V{GE} = 15 \text{ V}\) 条件下:
    - \(T{vj} = 25^\circ \text{C}\): 1.45 V
    - \(T{vj} = 125^\circ \text{C}\): 1.60 V
    - \(T{vj} = 150^\circ \text{C}\): 1.70 V
    - 门极阈值电压 \(V{GEth}\):
    - \(IC = 0.80 \text{ mA}, V{CE} = V{GE}, T{vj} = 25^\circ \text{C}\): 4.9 V 至 6.5 V
    - 门极电荷 \(QG\): 0.50 μC
    - 输入电容 \(C{ies}\): 3.10 nF
    - 回馈电容 \(C{res}\): 0.095 nF

    产品特点和优势


    F3L50R06W1E3B11具备多种技术优势,使其在市场上具有很强的竞争力:
    - 低损耗设计: 通过低感性设计、低饱和电压及低开关损耗,提高了整体效率。
    - 紧凑结构: 采用Al2O3基板,提供低热阻设计,使模块更加紧凑。
    - 坚固连接: 使用PressFIT接触技术和集成固定夹,确保可靠连接和稳定散热。
    - 高可靠性: 门极阈值电压和门极电荷控制精确,降低了误操作的风险。

    应用案例和使用建议


    这款IGBT模块在各种工业应用中表现出色,如三电平逆变器、太阳能转换器和UPS系统。对于特定的应用场景,建议如下:
    - 太阳能系统: 可以有效降低系统的能量损耗,提高转换效率。
    - 三电平逆变器: 利用低饱和电压和低开关损耗特性,适用于高效能电力变换。
    - UPS系统: 具有高可靠性和低故障率,适合在关键应用中使用。
    使用建议:
    - 温度管理: 由于工作温度范围宽,需要合理设计散热方案,确保正常运行。
    - 驱动电路: 使用合适的驱动电路,避免过高门极电压导致损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性: F3L50R06W1E3B11 可与多种标准逆变器和其他电子设备兼容,便于集成到现有的系统中。
    - 支持和服务: 厂商提供详尽的应用指南和技术支持,确保用户能够充分利用产品的性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 饱和电压异常高。
    - 解决方法: 检查是否门极驱动电压不足,调整驱动电路。
    - 问题: 开关损耗大。
    - 解决方法: 调整门极电阻和驱动信号,减少切换延迟和上升时间。
    - 问题: 系统过热。
    - 解决方法: 改善散热设计,确保良好的空气流通和适当的冷却措施。

    总结和推荐


    总结: F3L50R06W1E3B11 IGBT模块凭借其低损耗、高可靠性和优异的散热性能,在多个工业领域表现卓越。尤其是其低饱和电压和低开关损耗,使得其在电力变换应用中非常有竞争力。
    推荐: 综合考虑其性能参数、设计优势和广泛的应用场景,强烈推荐使用 F3L50R06W1E3B11 IGBT模块。它是一款高效且可靠的解决方案,适用于各种高性能逆变器系统。

F3L50R06W1E3_B11参数

参数
集电极电流 75A
最大功率耗散 175W
VCEO-集电极-发射极最大电压 600V
最大集电极发射极饱和电压 1.45V
配置 igbt-逆变器
通用封装 AG-EASY1B-2
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
包装方式 托盘

F3L50R06W1E3_B11厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

F3L50R06W1E3_B11数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES IGBT模块 INFINEON TECHNOLOGIES F3L50R06W1E3_B11 F3L50R06W1E3_B11数据手册

F3L50R06W1E3_B11封装设计

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48+ $ 33.3585 ¥ 281.8793
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