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IPD25CN10NGBUMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 71W(Tc) 20V 4V@ 39µA 31nC@ 10 V 1个N沟道 100V 25mΩ@ 35A,10V 35A 2.07nF@50V TO-252-3 贴片安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
供应商型号: SEU-IPD25CN10NGBUMA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD25CN10NGBUMA1

IPD25CN10NGBUMA1概述


    产品简介


    IPB26CN10N G、IPD25CN10N G、IPI26CN10N G 和 IPP26CN10N G 是Infineon公司生产的OptiMOS™2 功率晶体管系列的一部分。这些功率晶体管主要用作N沟道增强型场效应晶体管,适用于高频开关和同步整流等应用。这类晶体管的特点包括非常低的导通电阻(RDS(on))和优异的栅极电荷乘积(FOM),能够在广泛的温度范围内保持高性能,是高可靠性应用的理想选择。

    技术参数


    基本参数
    - 连续漏极电流(ID): 35 A (Tc=25°C), 25 A (Tc=100°C)
    - 脉冲漏极电流(ID,pulse): 140 A (Tc=25°C)
    - 雪崩耐量(EAS): 65 mJ (ID=35 A, RGS=25 W)
    - 反向二极管dv/dt: 6 kV/μs (ID=35 A, VDS=80 V, di/dt=100 A/μs, Tj,max=175°C)
    - 栅源电压(VGS): ±20 V
    - 总功耗(Ptot): 71 W (Tc=25°C)
    - 工作及存储温度范围(Tj, Tstg): -55°C 到 175°C
    - 封装形式: PG-TO263-3, PG-TO252-3, PG-TO262-3, PG-TO220-3
    - 标记: 26CN10N, 25CN10N, 26CN10N, 26CN10N
    热特性
    - 热阻,结到壳(RthJC): 2.1 K/W
    - 热阻,结到环境(RthJA): 最小表面积为6 cm²时为62 K/W, 40 K/W, 75 K/W, 50 K/W
    静态电气特性
    - 击穿电压(V(BR)DSS): 100 V (VGS=0 V, ID=1 mA)
    - 栅阈值电压(VGS(th)): 2 V 至 4 V (VDS=VGS, ID=39 μA)
    - 零栅电压漏极电流(IDSS): 0.1 µA 至 1 µA (VDS=80 V, VGS=0 V, Tj=25°C)
    - 栅源泄漏电流(IGSS): 1 nA 至 100 nA (VGS=20 V, VDS=0 V)
    动态电气特性
    - 输入电容(CISS): 1560 pF 至 2070 pF
    - 输出电容(COSS): 232 pF 至 309 pF
    - 反向传输电容(CRSS): 16 pF 至 24 pF
    - 关断延迟时间(td(off)): 13 ns 至 19 ns
    - 反向恢复时间(trr): 85 ns

    产品特点和优势


    1. 超低导通电阻(RDS(on)): 这种晶体管的RDS(on)仅为25 mΩ(最大值),这使得其在高效率的应用中表现尤为出色。
    2. 优秀的栅极电荷乘积(FOM): FOM值的优秀使其在高频率开关应用中表现出色。
    3. 工作温度范围宽广: 具备175°C的高温工作能力,保证了在恶劣环境下的可靠性能。
    4. 环保设计: 符合RoHS和无卤素标准,确保环境友好。
    5. 卓越的安全性: 晶体管具有出色的雪崩耐量和抗干扰能力,能够有效防止过载或短路情况下的损坏。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这些晶体管适用于多种应用领域,包括但不限于:
    - 高频逆变器
    - 电机驱动控制
    - 开关电源转换器
    - 同步整流电路
    使用建议
    为了最大限度地发挥其性能,建议用户:
    - 确保良好的散热设计,特别是在高电流和高频率的应用中,以避免过热问题。
    - 使用合适的栅极电阻来优化开关性能。
    - 在电路设计时考虑到所有电气特性的最佳配置,如输入、输出电容的选择。

    兼容性和支持


    这些晶体管与各种主流的印刷电路板制造工艺兼容,包括FR4材料。Infineon提供全面的技术支持,包括详细的安装指南和售后服务,以确保客户在使用过程中能够得到必要的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确保晶体管不出现过热?
    - 解答:必须采用适当的散热措施,例如使用大表面积的散热片或散热器。确保散热设计能够满足特定条件下的热需求,参考制造商提供的热阻参数。

    2. 问:栅极电荷过高怎么办?
    - 解答:可以考虑降低栅极驱动电压或增加栅极电阻来减少栅极电荷。同时,优化外部电容匹配也是降低栅极电荷的有效方法。

    总结和推荐


    综上所述,IPB26CN10N G、IPD25CN10N G、IPI26CN10N G 和 IPP26CN10N G 是一系列高性能的OptiMOS™2功率晶体管,适用于多种高要求的电力电子应用。它们具备极低的导通电阻、优秀的栅极电荷乘积和宽广的工作温度范围,使得其在高效率和高可靠性方面表现卓越。我们强烈推荐这些晶体管用于需要高性能和高稳定性的应用场景。

IPD25CN10NGBUMA1参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 25mΩ@ 35A,10V
栅极电荷 31nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 71W(Tc)
通道数量 1
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.07nF@50V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 35A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 39µA
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

IPD25CN10NGBUMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD25CN10NGBUMA1数据手册

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IPD25CN10NGBUMA1封装设计

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2500+ $ 0.4563 ¥ 3.856
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