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IRFB3207ZGPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 300W(Tc) 20V 4V@ 150µA 170nC@ 10 V 1个N沟道 75V 4.1mΩ@ 75A,10V 120A 6.92nF@50V TO-220AB 通孔安装 10mm*4.4mm*15.65mm
供应商型号: Q-IRFB3207ZGPBF
供应商: 期货订购
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFB3207ZGPBF

IRFB3207ZGPBF概述

    IRFB3207ZGPbF MOSFET技术手册概览

    1. 产品简介


    IRFB3207ZGPbF 是一款高性能的 HEXFET® Power MOSFET,设计用于同步整流、不间断电源、高速功率开关和硬开关高频电路等应用。这款MOSFET具有多种卓越的技术规格和性能特点,使其成为工业应用的理想选择。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - VDSS(漏源电压):75V
    - RDS(on)(导通电阻):典型值为3.3mΩ,最大值为4.1mΩ
    - 连续漏极电流(硅限):ID @ TC = 25°C时为170A;ID @ TC = 100°C时为120A
    - 脉冲漏极电流:最大值为300A
    - 最大功耗:PD @ TC = 25°C时为670W
    - 绝对最大额定值
    - 连续漏极电流(硅限):ID @ TC = 25°C时为170A,ID @ TC = 100°C时为120A
    - 脉冲漏极电流:最大值为300A
    - 最大功耗:PD @ TC = 25°C时为670W
    - 热阻
    - RθJC(结到壳):0.50°C/W
    - RθCS(壳到散热器):0.50°C/W
    - RθJA(结到环境):62°C/W
    - 雪崩特性
    - 单脉冲雪崩能量:EAS (Thermally limited):最大值为170mJ
    - 雪崩电流:IAR:最大值为102A
    - 重复雪崩能量:EAR:最大值为30mJ

    3. 产品特点和优势


    - 改进的栅极和雪崩鲁棒性:IRFB3207ZGPbF经过充分表征的电容和雪崩SOA(安全工作区),提供了更好的栅极和雪崩鲁棒性。
    - 增强的体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力:提高了快速恢复能力和抗瞬态干扰的能力。
    - 无铅、无卤素:符合环保要求,适用于绿色制造和环境保护。

    4. 应用案例和使用建议


    - 高效率同步整流:IRFB3207ZGPbF特别适合于高效率的同步整流应用,可以显著提高电源转换效率。
    - 不间断电源:其卓越的瞬态响应能力和低导通电阻使其适用于不间断电源系统。
    - 高频率开关:得益于其低电容特性,这款MOSFET非常适合用于高频开关电路。
    使用建议:
    - 布局优化:在使用IRFB3207ZGPbF时,合理布局电路,确保良好的散热管理,避免过热。
    - 驱动设计:采用适当的驱动电路,以确保快速、稳定的开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IRFB3207ZGPbF采用标准的TO-220AB封装,易于安装并与其他电子元件兼容。
    - 技术支持:制造商提供详尽的技术支持文档和售后支持,确保用户能够正确使用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q1:MOSFET在高温环境下能否稳定工作?
    - A1:IRFB3207ZGPbF在175°C的温度下仍能保持稳定的性能,但需要确保良好的散热条件以防止过热。

    - Q2:如何防止反向恢复过程中的瞬态电流尖峰?
    - A2:可以添加合适的RC缓冲电路来减小瞬态电流尖峰,以保护MOSFET免受损害。

    7. 总结和推荐


    IRFB3207ZGPbF凭借其优异的性能和广泛的适用范围,在多种工业应用中表现出色。它不仅具备出色的可靠性,而且能够满足各种苛刻的工作条件。因此,我们强烈推荐此产品给需要高性能MOSFET的应用项目。

IRFB3207ZGPBF参数

参数
Id-连续漏极电流 120A
最大功率耗散 300W(Tc)
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 4.1mΩ@ 75A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.92nF@50V
栅极电荷 170nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 75V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 150µA
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 最后售卖
包装方式 散装,管装

IRFB3207ZGPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFB3207ZGPBF数据手册

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IRFB3207ZGPBF封装设计

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