处理中...

首页  >  产品百科  >  IPW90R800C3FKSA1

IPW90R800C3FKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 104W(Tc) 20V 3.5V@ 460µA 42nC@ 10 V 1个N沟道 900V 800mΩ@ 4.1A,10V 6.9A 1.1nF@100V TO-247 通孔安装
供应商型号: CY-IPW90R800C3FKSA1
供应商:
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPW90R800C3FKSA1

IPW90R800C3FKSA1概述

    IPW90R800C3 CoolMOS™ Power Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    IPW90R800C3 是由 Infineon Technologies 生产的一款高性能 CoolMOS™ Power Transistor。该器件是一款具有卓越性能的功率晶体管,适用于各种高电压、高频率的应用场景。主要应用领域包括准谐振反激/前向拓扑结构、个人电脑银盒和消费类应用、工业开关电源系统(SMPS)等。

    2. 技术参数


    主要技术参数:
    - 连续漏极电流 (ID):在 TC=25 °C 时为 6.9 A,在 TC=100 °C 时为 4.4 A。
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse):在 TC=25 °C 时为 15 A。
    - 击穿电压 (V (BR)DSS):在 VGS=0 V 和 ID=250 µA 条件下为 900 V。
    - 最大栅源电压 (VGS):静态时为 ±30 V,交流(f>1 Hz)时为 ±20 V。
    - 零栅压漏极电流 (IDSS):在 VDS=900 V 和 VGS=0 V 条件下为 ≤1 µA。
    - 栅源漏极电阻 (RDS(on)):在 VGS=10 V 和 ID=4.1 A 时为 0.62 Ω(在 TC=25 °C 时),在 TC=150 °C 时为 1.7 Ω。
    - 有效输出电容 (Co(tr)):130 pF。
    - 门至漏极电荷 (Qgd):18 nC。
    - 门电荷总量 (Qg):42 nC。
    热特性:
    - 结-壳热阻 (RthJC):1.2 K/W。
    - 结-环境热阻 (RthJA):62 K/W。
    动态特性:
    - 输入电容 (Ciss):1100 pF。
    - 输出电容 (Coss):52 pF。
    - 有效输出电容 (Coss, er):34 pF。
    击穿电压和恢复时间:
    - 反向恢复时间 (t rr):360 ns。
    - 反向恢复电荷 (Qrr):5.3 µC。
    - 峰值反向恢复电流 (Irrm):24 A。

    3. 产品特点和优势


    IPW90R800C3 具有以下显著特点和优势:
    - 最低的通态电阻乘门极电荷 (RON x Qg),实现低损耗。
    - 极端的dv/dt额定值,适合高速开关应用。
    - 高峰值电流能力,确保在极端条件下的可靠性。
    - 符合J-STD标准,适用于关键应用。
    - 无铅镀层,RoHS合规,环保且满足国际安全标准。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 准谐振反激/前向拓扑结构。
    - 个人电脑银盒和消费类应用。
    - 工业开关电源系统(SMPS)。
    使用建议:
    - 确保电路设计中充分考虑其高dv/dt额定值,以防止瞬态损坏。
    - 在设计过程中,注意选择合适的散热措施,以避免过热问题。
    - 根据应用需求合理设置工作温度范围,保证长期稳定性。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 与同类CoolMOS™系列器件兼容。
    - 支持标准TO-247封装,易于集成到现有系统中。
    支持和维护:
    - Infineon Technologies提供详尽的技术文档和支持服务。
    - 用户可通过官方渠道获取最新的产品更新和技术支持信息。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题与解决方案:
    1. Q: 什么是RDS(on)?
    - A: RDS(on)是晶体管的通态电阻,表示器件导通时的电阻值。具体值可以在手册的电气特性部分找到。

    2. Q: 如何避免因过热引起的损坏?
    - A: 设计散热路径,例如使用散热片或散热风扇。在电路设计中考虑热阻的影响,确保工作温度不超过推荐范围。
    3. Q: 如何应对高频开关中的dv/dt问题?
    - A: 使用适当的门极电阻和缓冲电路来抑制dv/dt,减少电磁干扰和开关损耗。

    7. 总结和推荐


    总结:
    IPW90R800C3 凭借其卓越的性能和广泛的应用场景,是一款值得信赖的功率晶体管。它不仅具备出色的电气特性,还能够满足严苛的工作环境要求。
    推荐:
    我们强烈推荐IPW90R800C3用于需要高可靠性和高效能的工业和消费电子产品中。其独特的设计使其成为市场上同类产品的强有力竞争者,值得在您的设计中考虑使用。

IPW90R800C3FKSA1参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 900V
配置 -
Id-连续漏极电流 6.9A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.1nF@100V
通道数量 -
最大功率耗散 104W(Tc)
栅极电荷 42nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 800mΩ@ 4.1A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 460µA
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
16.03mm(Max)
5.16mm(Max)
21.1mm(Max)
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IPW90R800C3FKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPW90R800C3FKSA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPW90R800C3FKSA1 IPW90R800C3FKSA1数据手册

IPW90R800C3FKSA1封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 1.0436 ¥ 8.9804
300+ $ 1.034 ¥ 8.8995
500+ $ 1.0245 ¥ 8.8186
1000+ $ 0.9957 ¥ 8.414
5000+ $ 0.9957 ¥ 8.414
库存: 9368
起订量: 112 增量: 1
交货地:
最小起订量为:100
合计: ¥ 898.04
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0