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IPD30N03S2L-10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 100W 20V 31nC@ 10V 1个N沟道 30V 10mΩ@ 10V 30A 1.2nF@ 25V TO-252 贴片安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
供应商型号: Q-IPD30N03S2L-10
供应商: 期货订购
标准整包数: 2500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD30N03S2L-10

IPD30N03S2L-10概述

    IPD30N03S2L-10 OptiMOS® Power Transistor

    产品简介


    IPD30N03S2L-10是一款由Infineon Technologies生产的OptiMOS® N沟道增强型逻辑电平功率晶体管。它适用于广泛的工业和汽车应用,如电源转换、电机控制和逆变器系统。该晶体管具有低导通电阻(Rds(on))和高可靠性,适合用于要求高性能和高可靠性的应用场景。

    技术参数


    以下是IPD30N03S2L-10的主要技术参数和规格:
    - 最大连续漏极电流(ID):
    - TC=25°C, VGS=10V时:30A
    - TC=100°C, VGS=10V时:30A
    - 脉冲漏极电流(ID,pulse):
    - TC=25°C时:120A
    - 雪崩能量(EAS):
    - ID=30A时:150mJ
    - 门源电压(VGS):
    - ±20V
    - 总功耗(Ptot):
    - TC=25°C时:100W
    - 工作和存储温度范围(Tj, Tstg):
    - -55°C到+175°C
    - 热阻(RthJC, RthJA):
    - 结-壳热阻:1.5K/W
    - 结-环境热阻(直插式):100K/W
    - 结-环境热阻(表面贴装式):最小封装面积75K/W,6cm²散热面积时:50K/W
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS): VGS=0V, ID=1mA时:30V
    - 门阈值电压(VGS(th)): VDS=VGS, ID=50μA时:1.2~2.0V
    - 零门电压漏极电流(IDSS): VDS=30V, VGS=0V, TJ=25°C时:0.01~1μA
    - 门源泄漏电流(IGSS): VGS=20V, VDS=0V时:1~100nA
    - 动态特性:
    - 输入电容(CISS): 1200pF
    - 输出电容(COSS): 470pF
    - 反向转移电容(CRSS): 130pF
    - 反向二极管特性:
    - 反向恢复时间(trr): VR=15V, IF=IS, dIF/dt=100A/µs时:31ns
    - 反向恢复电荷(Qrr): VR=15V, IF=IS, dIF/dt=100A/µs时:29nC

    产品特点和优势


    1. N沟道逻辑电平增强型:简化了驱动电路设计,降低了系统的复杂性。
    2. 符合AEC-Q101标准:适用于汽车电子应用。
    3. 绿色包装:无铅封装,环保。
    4. 超低导通电阻(Rds(on)):有效减少损耗,提高效率。
    5. 100%雪崩测试:保证了高可靠性。

    应用案例和使用建议


    IPD30N03S2L-10广泛应用于各种电力转换系统,如直流-直流变换器、电机驱动器等。在实际应用中,可以考虑以下几点使用建议:
    - 确保电路设计能够提供足够的散热条件,以避免过热。
    - 在高温环境下使用时,注意调整门极驱动电压,确保晶体管稳定运行。
    - 对于大功率应用,建议配合合适的散热片或散热器使用,以延长产品寿命。

    兼容性和支持


    IPD30N03S2L-10与多种电源转换模块和逆变器设备兼容。厂商提供详细的技术文档和支持服务,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 过热现象严重。
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或改进散热路径。

    2. 问题: 导通电阻过高。
    - 解决方案: 检查驱动电路是否正常工作,确保门极电压满足要求。

    3. 问题: 反向恢复时间长。
    - 解决方案: 考虑更换其他型号的晶体管,或者优化电路布局,减少杂散电感。

    总结和推荐


    IPD30N03S2L-10是一款出色的N沟道增强型逻辑电平功率晶体管,具有出色的性能和可靠性。其低导通电阻和高可靠性使其成为众多电力转换应用的理想选择。总体而言,该产品非常适合那些需要高效、稳定和可靠的电力转换系统的应用场合,强烈推荐使用。

IPD30N03S2L-10参数

参数
Id-连续漏极电流 30A
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.2nF@ 25V
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 31nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 100W
配置 独立式
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
包装方式 卷带包装

IPD30N03S2L-10厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD30N03S2L-10数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD30N03S2L-10 IPD30N03S2L-10数据手册

IPD30N03S2L-10封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25000+ $ 0.94 ¥ 7.8302
75000+ $ 0.846 ¥ 7.0472
125000+ $ 0.752 ¥ 6.2642
250000+ $ 0.705 ¥ 5.8727
库存: 25000
起订量: 25000 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:25000
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