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IRF6636TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=20 V, 81 A, DirectFET ISOMETRIC封装, 表面贴装
供应商型号: 2579983
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF6636TRPBF

IRF6636TRPBF概述

    IRF6636PbF 技术手册概述

    1. 产品简介


    IRF6636PbF 是一款 DirectFET® 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为需要高效率的 CPU 内核直流-直流转换器设计。其采用先进的 DirectFET 封装技术,具有低导通损耗和高开关频率兼容性。IRF6636PbF 具有微型的 8 引脚布局和仅 0.7 毫米的低轮廓设计,使其特别适合在狭小空间内使用的应用。

    2. 技术参数


    - 最大参数:
    - VDS(漏极-源极电压):20V
    - VGS(栅极-源极电压):±20V
    - ID(连续漏极电流,VGS@10V):18A
    - IDM(脉冲漏极电流):140A
    - EAS(单脉冲雪崩能量):81mJ
    - IAR(雪崩电流):14A
    - 静态参数:
    - BVDSS(漏极-源极击穿电压):20V
    - RDS(on)(漏极-源极导通电阻):3.2mΩ(@10V),4.6mΩ(@4.5V)
    - VGS(th)(栅极阈值电压):1.8V
    - Qg(总栅极电荷):18nC
    - Ciss(输入电容):2420pF
    - Coss(输出电容):780pF
    - Crss(反向转移电容):360pF
    - 热阻抗:
    - RθJA(结到环境热阻):58°C/W
    - RθJC(结到外壳热阻):3.0°C/W
    - RθJ-PCB(结到PCB热阻):1.0°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低导通损耗:低至 3.2mΩ 的 RDS(on),非常适合高频直流-直流转换器应用。
    - 高雪崩免疫能力:能够在高瞬态电压下保持稳定运行。
    - 双面冷却兼容性:可以通过顶部和底部散热,提高热性能。
    - 低电感封装:超低封装电感降低了开关损耗。
    - RoHS 合规:无铅,符合环保标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - CPU 内核直流-直流转换器:适用于高性能计算平台中的 CPU 电源管理。
    - 服务器电源模块:高效处理大功率需求,提升系统整体能效。
    - 便携式设备充电器:利用其低功耗和高可靠性,在紧凑空间内实现高效能充电。
    使用建议:
    - 确保按照应用笔记 AN-1035 进行制造和组装,以保证最佳性能。
    - 配备合适的散热方案,如双面冷却或安装小型散热片。
    - 在设计电路时考虑并联多个 MOSFET 以降低 RDS(on) 并增加整体电流容量。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与现有的表面贴装技术兼容,可以使用标准的焊锡回流工艺。
    - 支持:可访问 IR 官方网站获取详细的技术文档和应用指南,同时提供客户技术支持服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何优化热管理?
    - A: 使用双面冷却方法,或者在电路板背面加装小型散热片,确保良好的热接触。

    - Q:如何减少栅极噪声?
    - A: 减少驱动电阻,选择合适尺寸的栅极电容器,并尽量减小寄生电感。

    - Q:在哪些情况下需要并联使用 MOSFET?
    - A: 当电路需求超出单个 MOSFET 的电流容量时,通过并联使用可以显著提高整体电流处理能力。

    7. 总结和推荐


    IRF6636PbF 是一款高效、低损耗且具有高可靠性的 DirectFET 功率 MOSFET,特别适用于需要高效率和紧凑设计的应用场合。其低导通电阻和高雪崩免疫能力使它成为 CPU 内核直流-直流转换器的理想选择。强烈推荐在高密度电路板和高要求电源管理系统中使用这款产品。

IRF6636TRPBF参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.45V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@ 18A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.42nF@10V
栅极电荷 27nC@ 4.5 V
最大功率耗散 2.2W(Ta),42W(Tc)
配置 独立式
Id-连续漏极电流 18A,81A
Vds-漏源极击穿电压 20V
长*宽*高 4.85mm*3.95mm*700μm
通用封装 MG-WDSON-5
安装方式 直接安装,贴片安装
包装方式 散装,卷带包装

IRF6636TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF6636TRPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF6636TRPBF IRF6636TRPBF数据手册

IRF6636TRPBF封装设计

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