处理中...

首页  >  产品百科  >  IPD60R1K0PFD7S

IPD60R1K0PFD7S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1Ω@10V,1A 8.8A TO-252-3
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD60R1K0PFD7S

IPD60R1K0PFD7S概述


    产品简介


    IPD60R1K0PFD7S是一款基于CoolMOS™ PFD7超级结(SJ)功率器件设计的场效应晶体管(MOSFET)。CoolMOS™技术是一种高电压功率MOSFET的技术,由英飞凌科技公司率先推出并不断优化。该器件特别适用于消费市场中的充电器、适配器、电机驱动及照明等应用领域,具有高效能和高功率密度的特点。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 | 备注 |

    | 最大漏源击穿电压 | 650 | V | VDS @ Tj,max |
    | 漏源导通电阻最大值 | 1000 | mΩ | RDS(on),max |
    | 典型栅极电荷 | 6.0 | nC | Qg,typ |
    | 脉冲漏极电流 | 8.8 | A | ID,pulse |
    | 阈值电压 | 3.5 - 4.5 | V | V(GS)th |
    | 输入电容 | 230 | pF | Ciss, VGS=0V, VDS=400V, f=250kHz |
    | 输出电容 | 6 | pF | Coss, VGS=0V, VDS=400V, f=250kHz |

    产品特点和优势


    IPD60R1K0PFD7S MOSFET以其卓越的性能特点在市场上具有显著的优势。具体包括:
    - 极低损耗:由于超低的FOM(RDS(on)Qg 和 RDS(on)Eoss),从而提高系统效率。
    - 快速开关损耗:低Eoss,优异的热行为,适合高频应用。
    - 内置体二极管:快恢复特性,有助于提升系统的可靠性和响应速度。
    - 广泛的RDS(on)和封装选项:便于选择合适的型号进行设计。
    - 内置稳压二极管:提供额外的保护,提升电路可靠性。
    这些特点使得IPD60R1K0PFD7S能够在高密度充电器、适配器、照明及电机驱动应用中实现高效能的设计和小型化。

    应用案例和使用建议


    IPD60R1K0PFD7S广泛应用于各类电源转换和控制设备中,例如智能手机和笔记本电脑的充电器、家用电器的适配器以及工业设备中的电机驱动系统。这些应用中,该MOSFET能够显著提高能效和系统稳定性。使用时应注意以下几点:
    - 在脉冲模式下,建议使用磁珠或独立的半桥结构来并联MOSFET,以确保更好的热管理和稳定性。
    - 设计时需要考虑散热管理,特别是在高功率应用中,以避免过热导致性能下降或损坏。

    兼容性和支持


    该产品提供了多种封装选项,适合各种不同的安装需求。此外,英飞凌还为用户提供了一系列的支持资源,包括网页、应用笔记、仿真模型以及设计工具,以便用户更好地理解和利用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题: MOSFET并联使用时发热严重。
    - 解决办法: 在并联使用时,推荐在栅极加磁珠或使用独立的半桥结构,这可以有效降低热应力。

    - 问题: 如何正确处理静电放电(ESD)?
    - 解决办法: IPD60R1K0PFD7S具有良好的ESD防护等级(HBM),但在运输和存储过程中仍需采取适当的防静电措施。

    总结和推荐


    总体来看,IPD60R1K0PFD7S凭借其卓越的能效、高功率密度、快速开关特性和广泛应用潜力,非常适合用于各种高要求的电源管理系统中。其紧凑的设计和易于选择的多种型号使其成为工程师的理想选择。因此,我强烈推荐此产品用于需要高性能和稳定性的应用中。

IPD60R1K0PFD7S参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Id-连续漏极电流 8.8A
Rds(On)-漏源导通电阻 1Ω@10V,1A
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-252-3

IPD60R1K0PFD7S厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD60R1K0PFD7S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R1K0PFD7S IPD60R1K0PFD7S数据手册

IPD60R1K0PFD7S封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336