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IR2101S

产品分类: 栅极电源驱动器
产品描述: 100ns 2 10V 220ns 20V 800mV,3V Non-Inverting IGBT,MOSFET,N沟道 50ns 半桥 210mA,360mA SOIC-8 贴片安装
供应商型号: IR2101S
供应商: 国内现货
标准整包数: 100
INFINEON TECHNOLOGIES 栅极电源驱动器 IR2101S

IR2101S概述

    # IR2101/IR21014/IR2102/IR21024 高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器

    产品简介


    IR2101/IR21014/IR2102/IR21024系列是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,广泛应用于电机控制、电源管理以及各种高电压应用场合。这些驱动器集成了独立的高低侧参考输出通道,并采用了先进的HVIC(高压集成电路)和CMOS技术,具备高度的可靠性和鲁棒性。产品支持从10V到20V的门极驱动电压范围,并具有多种保护机制,如欠压锁定(Undervoltage Lockout)和负瞬态电压容限。
    主要功能
    - 浮动通道设计支持自举操作
    - 最大工作电压可达600V
    - 高速开关性能,适合高频应用
    - 支持逻辑输入兼容标准CMOS/LSTTL
    - 匹配的传播延迟,确保双向信号同步
    应用领域
    - 电动机控制
    - 工业自动化
    - 智能电网设备
    - 新能源系统(如光伏逆变器)

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 驱动输出电流 (IO+) 130 | 270 | mA |
    | 输出电压 (VOUT) | 10 | 15 | 20 | V |
    | 开关延迟时间 (ton/off)| 150 | 160 | 220 | ns |
    | 延迟匹配误差 (MT) 50 | ns |
    | 热阻 (RthJA) 75-200 | °C/W |
    支持的电气特性
    - 高电压范围:支持高达600V的工作电压
    - 宽电压供电范围:VCC = 10V至20V
    - 快速响应:典型上升时间为100ns,下降时间为50ns
    - 负瞬态电压容限:支持超过±50V/ns的变化率
    工作环境
    - 工作温度范围:-40°C 至 +125°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 浮动通道设计:允许在高达600V的电压下驱动N沟道MOSFET或IGBT,简化了高压应用的设计。
    2. 高可靠性:采用HVIC技术和CMOS工艺,提升了抗干扰能力和长期稳定性。
    3. 精确的传播延迟匹配:两个通道之间的传播延迟差异小于50ns,保证了同步操作。
    市场竞争力
    - 出色的开关性能使其成为高频驱动的理想选择。
    - 强大的保护机制确保了系统的安全运行。
    - 集成度高,减少了外围电路的需求,降低整体成本。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电机控制:IR2101驱动用于步进电机驱动电路中,能够实现精确的速度控制和方向切换。
    2. 光伏逆变器:利用其高耐压能力,在高压环境中稳定工作。
    使用建议
    - 在设计电路时需注意输入逻辑电平的选择,确保与目标MCU或控制器匹配。
    - 为防止过热,建议在外围加装散热片或风扇以增强散热效果。
    - 结合实际负载条件合理设置VCC和VB电压,避免不必要的功耗浪费。

    兼容性和支持


    兼容性
    IR2101/IR21014/IR2102/IR21024与主流MCU接口完全兼容,支持CMOS/LSTTL逻辑电平输入。此外,它们可以轻松搭配其他高压器件形成完整的功率管理系统。
    厂商支持
    英飞凌公司提供详尽的技术文档和技术支持服务,帮助客户快速上手并解决可能出现的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关延迟时间过长 | 检查电路连接是否正确,尤其是VCC/VB的接线 |
    | 温度过高导致器件失效 | 添加散热装置或降低工作频率 |
    | 输出电流不足 | 确认供电电压是否满足最低要求 |

    总结和推荐


    综合评估
    IR2101/IR21014/IR2102/IR21024系列高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器凭借其卓越的性能、丰富的功能及广泛的适用性,在众多高电压应用领域表现出色。特别是其高可靠性、宽工作温度范围以及紧凑封装形式,使其成为工业控制、新能源系统等领域不可或缺的核心组件。
    推荐结论
    强烈推荐这款产品用于需要高性能和高可靠性的高压驱动场合。无论是电机控制还是光伏逆变器设计,它都能提供优异的表现和支持。

IR2101S参数

参数
上升时间 100ns
驱动配置 半桥
最大工作供电电压 20V
栅极类型 IGBT,MOSFET,N沟道
最小工作供电电压 10V
最大高压侧电压-自举 -
下降时间 50ns
逻辑电压 - VIL,VIH 800mV,3V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 210mA,360mA
通道类型 -
输入类型 Non-Inverting
最大传播延迟时间 220ns
驱动数量 2
5mm(Max)
4mm(Max)
1.75mm(Max)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

IR2101S厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IR2101S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 栅极电源驱动器 INFINEON TECHNOLOGIES IR2101S IR2101S数据手册

IR2101S封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 3.456
500+ ¥ 3.24
1000+ ¥ 3.078
库存: 1
起订量: 100 增量: 100
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