处理中...

首页  >  产品百科  >  IPC100N04S5L-1R9

IPC100N04S5L-1R9

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.9mΩ@ 10V,50A 100A TDSON-8-EP
供应商型号: IPC100N04S5L-1R9
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPC100N04S5L-1R9

IPC100N04S5L-1R9概述

    IPC100N04S5L-1R9 技术手册

    产品简介


    IPC100N04S5L-1R9 是一款由Infineon Technologies生产的OptiMOS™-5 功率晶体管,专为汽车应用设计。它是一种N沟道增强型逻辑电平功率场效应晶体管(MOSFET),符合AEC Q101标准,并通过了100%雪崩测试。该产品还符合RoHS标准,是一款环保型产品。此外,其最高额定工作温度可达175°C,MSL等级为1,适用于高达260°C的峰值回流焊温度,表现出极高的可靠性和稳定性。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 连续漏极电流:100A(当Tc=25°C,Vgs=10V时);100A(当Tc=100°C,Vgs=10V时)
    - 脉冲漏极电流:400A
    - 雪崩能量(单脉冲):130mJ
    - 雪崩电流(单脉冲):100A
    - 门源电压:±16V
    - 功耗:100W(当Tc=25°C时)
    - 工作和存储温度范围:-55°C至+175°C
    - 热特性
    - 结壳热阻:1.5K/W
    - 结环境热阻:50°C/W
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压:40V
    - 门阈电压:1.2V至2.0V
    - 零门源电压漏极电流:≤1μA(当Vds=40V,Vgs=0V,Tj=25°C时)
    - 门源泄漏电流:≤100nA(当Vgs=16V,Vds=0V时)
    - 漏源导通电阻:1.4mΩ至1.9mΩ(当Vgs=10V,Id=50A时)
    - 动态特性
    - 输入电容:3240pF至4310pF
    - 输出电容:730pF至970pF
    - 反向传输电容:48pF至72pF

    产品特点和优势


    IPC100N04S5L-1R9 的关键优势在于其卓越的性能和可靠性,具体如下:
    - 高温适应性:最高工作温度可达175°C,适用于高热环境下的应用。
    - 高效能:低导通电阻(1.4mΩ至1.9mΩ),确保高效的能量转换效率。
    - 强抗干扰能力:符合AEC Q101标准,适合汽车电子应用。
    - 绿色产品:符合RoHS标准,无有害物质,环保友好。

    应用案例和使用建议


    - 汽车电子应用:由于其优异的高温特性和高可靠性,IPC100N04S5L-1R9 可广泛应用于汽车电子系统中,如电动助力转向系统、刹车控制系统和发动机管理系统等。
    - 电源管理:适用于高功率转换和调节的应用,例如直流-直流变换器和开关电源。
    - 使用建议:
    - 在高电流环境下使用时,应考虑适当的散热措施,以保证器件长期稳定运行。
    - 确保电路设计中匹配合适的门驱动信号,以避免不必要的功耗和潜在的热损伤。

    兼容性和支持


    IPC100N04S5L-1R9 支持多种封装形式,可方便地集成到现有系统中。Infineon Technologies提供详尽的技术支持文档和工程师咨询服务,确保用户在设计和使用过程中获得全方位的支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择合适的散热方式?
    - 解答:根据产品的工作条件和预期的最大功耗,选择合适尺寸的散热片或散热器。必要时可增加散热风扇或液体冷却系统。

    - 问题2:如果出现高温报警怎么办?
    - 解答:检查系统的散热系统是否正常工作,确保散热片安装正确且通风良好。调整系统的散热策略,减少系统的发热。

    总结和推荐


    IPC100N04S5L-1R9是一款高性能的N沟道增强型逻辑电平功率MOSFET,具有优秀的高温性能、可靠的耐久性和高效的能量转换能力。这些特性使其成为汽车电子、电源管理和工业控制领域的理想选择。强烈推荐该产品用于需要高可靠性和高效能的应用场合。

IPC100N04S5L-1R9参数

参数
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.9mΩ@ 10V,50A
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 100A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TDSON-8-EP
包装方式 卷带包装

IPC100N04S5L-1R9厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPC100N04S5L-1R9数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPC100N04S5L-1R9 IPC100N04S5L-1R9数据手册

IPC100N04S5L-1R9封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 4.8138
10000+ ¥ 4.7336
15000+ ¥ 4.6132
库存: 10000
起订量: 5000 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:5000
合计: ¥ 24069
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336