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IPD95R2K0P7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: IPD95R2K0P7
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD95R2K0P7

IPD95R2K0P7概述


    产品简介


    IPD95R2K0P7 MOSFET 是一款采用CoolMOS™ P7系列技术的超级结功率器件,适用于950V电压下的应用。这种器件集成了高性能和易于使用的特性,是电源转换和控制应用的理想选择。主要功能包括最佳的FOM(电阻与电容乘积)性能,高可靠性和快速恢复时间等。其主要应用领域涵盖LED照明、低功率充电器和适配器、智能计量、AUX电源以及工业电源等。此外,它还适合于消费类和太阳能应用中的功率因数校正(PFC)阶段。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源击穿电压 \( V{(BR)DSS} \): 950V
    - 连续漏极电流 \( ID \): 4A (TC=25°C)
    - 脉冲漏极电流 \( I{D,pulse} \): 10A (TC=25°C)
    - 最大功耗 \( P{tot} \): 37W (TC=25°C)
    - 热阻抗 \( R{thJC} \): 3.4°C/W
    - 工作温度范围:-55°C至150°C
    - 静态特性:
    - 门限电压 \( V{GS(th)} \): 2.5V 至 3.5V (VDS=VGS, ID=0.08mA)
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 1.71Ω 至 3.824Ω (VGS=10V, ID=1.7A, Tj=25°C)
    - 动态特性:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 330pF (VGS=0V, VDS=400V, f=250kHz)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 5pF (VGS=0V, VDS=400V, f=250kHz)
    - 开关延时时间 \( t{d(on)} \): 6ns (VDD=400V, VGS=13V, ID=1.7A, RG=23.1Ω)
    - 栅极电荷特性:
    - 栅极到源极电荷 \( Q{gs} \): 2nC (VDD=760V, ID=1.7A, VGS=0至10V)
    - 栅极到漏极电荷 \( Q{gd} \): 3nC (VDD=760V, ID=1.7A, VGS=0至10V)
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 10nC (VDD=760V, ID=1.7A, VGS=0至10V)

    产品特点和优势


    IPD95R2K0P7 MOSFET具备多个显著的优点:
    - 最佳的FOM RDS(on)Eoss: 具备更小的Qg、Ciss和Coss,提升整体性能。
    - 集成的ESD保护: 集成的Zener二极管确保了静电放电保护。
    - 高可靠性: 保证了长期使用的稳定性和可靠性。
    - 易用性: 易于驱动和并联操作,降低了生产过程中因ESD相关故障导致的产量损失。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于多种场合,例如:
    - LED照明: 在低功率条件下提供高效的能量转换。
    - 充电器和适配器: 为智能设备提供可靠的电源管理。
    - 工业电源: 用于各类工业应用中的高效能转换和控制。
    使用建议:
    - 散热设计: 建议使用合适的散热器以降低工作温度,延长使用寿命。
    - 驱动电路设计: 使用门极驱动电路时应考虑适当的门极电阻值以确保稳定的工作状态。

    兼容性和支持


    - 封装形式: PG-TO252-3,标记为“95R2K0P7”。
    - 相关链接: 可访问Infineon官方网站获取更多资料和技术文档。
    - 技术支持: 用户可获得Infineon官方的技术支持服务,有助于解决使用过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    - Q: 该器件的最大连续漏极电流是多少?
    - A: 最大连续漏极电流为4A(TC=25°C)。
    - Q: 如何进行栅极驱动设计?
    - A: 使用标准的门极驱动电路,并确保门极电阻适中,以防止过高或过低的电压波动。

    总结和推荐


    综上所述,IPD95R2K0P7 MOSFET凭借其高可靠性、易用性和出色的性能,在各种应用中表现优异。强烈推荐用于需要高效能量转换和严格温度控制的应用环境中。如果您需要一个可靠且高性能的功率器件来满足上述需求,IPD95R2K0P7是一个明智的选择。

IPD95R2K0P7参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-252-3
包装方式 卷带包装

IPD95R2K0P7厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD95R2K0P7数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD95R2K0P7 IPD95R2K0P7数据手册

IPD95R2K0P7封装设计

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