处理中...

首页  >  产品百科  >  IPB100N12S3-05

IPB100N12S3-05

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: CSJ-ST64838404
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB100N12S3-05

IPB100N12S3-05概述

    # IPB100N12S3-05 技术手册

    产品简介


    基本描述
    IPB100N12S3-05 是一款专为汽车应用设计的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 OptiMOS®-T 系列。此产品采用 N 沟道增强模式结构,具有高可靠性、高热稳定性和广泛的温度范围适应性。
    主要功能
    - 用于汽车电子系统的功率 MOSFET
    - 适用于 N 沟道增强模式
    - 符合汽车级标准(AEC Q101 认证)
    - 最高结温可达 175°C
    - 绿色产品,符合 RoHS 标准
    应用领域
    - 电动汽车和混合动力汽车
    - 工业自动化
    - 电源转换系统
    - 照明控制

    技术参数


    额定参数
    | 参数 | 符号 | 条件 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 连续漏极电流 | ID | TC=25°C, VGS=10V | A | 100 | - | 100 |
    | 脉冲漏极电流 | ID,pulse | TC=25°C | A | - | - | 400 |
    | 热阻,结-壳 | RthJC | - | K/W | - | - | 0.5 |
    | 热阻,结-环境 | RthJA | 引线器件 | K/W | - | - | 62 |
    | 热阻,结-环境(SMD 版) | RthJA | 设备位于 PCB 上 | K/W | - | - | 62 |
    | 开启电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=240µA | V | 2.0 | 3.0 | 4.0 |
    动态特性
    | 参数 | 符号 | 条件 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 输入电容 | Ciss | - | pF | 8900 | - | 11570 |
    | 输出电容 | Coss | - | pF | 2520 | - | 3276 |
    | 反向传输电容 | Crss | - | pF | 220 | - | 330 |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 高可靠性:通过了 AEC Q101 认证,适合恶劣的工作环境。
    - 高温性能:最高工作温度达 175°C,能承受高达 260°C 的峰值回流温度。
    - 快速开关:快速的开关时间和低门电荷特性使其适用于高频应用。
    - 高效节能:低导通电阻(RDS(on))降低了损耗,提高了能效。
    市场竞争力
    - 在严苛的汽车电子环境中表现卓越,可替代同类产品,提升系统整体性能。
    - 兼具高效率和耐用性,适用于多种工业和消费类电子产品。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电动汽车:作为电池管理系统中的关键组件,能够处理高电流。
    - 照明控制:适用于LED驱动器,提供高效、稳定的电流输出。
    使用建议
    - 电路设计:在设计电路时,应充分考虑温度对 RDS(on) 的影响,避免因温度过高导致性能下降。
    - 散热管理:合理布局散热片,确保良好的热传导路径,以降低工作温度。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 与多种 PCB 封装兼容,如 TO263-3-2、TO262-3-1 和 TO220-3-1。
    厂商支持
    - 提供详尽的应用指南和技术文档,帮助用户更好地理解和使用该产品。
    - 有专门的技术支持团队,可以解答用户在使用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    问题与解决方案
    1. 问题:长时间工作后,设备过热。
    - 解决方案:增加散热措施,如安装散热片或优化电路布局。

    2. 问题:启动时出现过压。
    - 解决方案:检查并确认输入电压是否在额定范围内,添加适当的保护电路。

    总结和推荐


    综合评估
    - IPB100N12S3-05 是一款性能优越的功率 MOSFET,具有高可靠性和广泛的工作温度范围。
    - 适用于多种工业和消费电子产品,特别是在高电流、高温环境下表现尤为出色。
    推荐
    - 强烈推荐用于汽车电子、工业自动化和电源管理等应用领域。

IPB100N12S3-05参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-263-3
包装方式 卷带包装

IPB100N12S3-05厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB100N12S3-05数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB100N12S3-05 IPB100N12S3-05数据手册

IPB100N12S3-05封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 8.5302 ¥ 72.2508
库存: 1000
起订量: 6 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 72.25
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504