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IPP018N10N5XKSA1

产品分类: 碳化硅场效应管
产品描述: 168nC@ 10V 3.8W 12nF@ 50V 1.83mΩ@ 10V 205A 100V 20V 1个N沟道 通孔安装
供应商型号: 4176144
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 碳化硅场效应管 IPP018N10N5XKSA1

IPP018N10N5XKSA1概述


    产品简介


    IPP018N10N5 是一种由 Infineon Technologies 生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 OptiMOS™ 5 系列。其主要功能是用于高频开关和同步整流。这种功率晶体管的工作电压为 100V,具有非常低的导通电阻(RDS(on)),使其成为电力电子应用中的理想选择。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 连续漏极电流(ID):205A @ VGS = 10V,TC = 25°C
    - 最大脉冲漏极电流(ID,pulse):820A @ TC = 25°C
    - 击穿电压(VDS):100V
    - 门限电压(VGS(th)):2.2 ~ 3.8V
    - 最大门源电压(VGS):-20 ~ 20V
    - 功耗(Ptot):375W @ TC = 25°C;3.8W @ TA = 25°C,RthJA = 40°C/W
    - 工作温度范围:-55 ~ 175°C
    - 电气特性
    - 导通电阻(RDS(on)):1.7 ~ 2.2mΩ @ VGS = 10V,ID = 100A
    - 输入电容(Ciss):12000 ~ 16000pF @ VGS = 0V,VDS = 50V,f = 1MHz
    - 输出电容(Coss):1800 ~ 2300pF @ VGS = 0V,VDS = 50V,f = 1MHz
    - 反向传输电容(Crss):80 ~ 140pF @ VGS = 0V,VDS = 50V,f = 1MHz

    产品特点和优势


    IPP018N10N5 具有以下几个显著特点和优势:
    - 高频率适用性:非常适合高频开关应用,具有较低的导通电阻。
    - 优化设计:优化设计以提高系统效率,特别适用于 FOMOSS(Figure of Merit for MOSFET Switching)。
    - 宽工作温度范围:能够在极端温度条件下稳定运行,达到 -55°C 至 175°C。
    - 无铅无卤素材料:符合 RoHS 和 IEC61249-2-21 标准,环保且安全。

    应用案例和使用建议


    IPP018N10N5 适合用于多种电力电子应用中,例如:
    - 高频逆变器:由于其高频率性能,可用于光伏逆变器、电机驱动等。
    - 同步整流:适用于开关电源的输出整流,减少损耗并提高效率。
    - 电源转换:可用于 AC/DC 和 DC/DC 转换器中,提升整体系统的能效。
    使用建议:
    - 在高频应用中,需要注意散热管理,因为其在高频率下的功耗较高。
    - 为了最大限度地利用其低 RDS(on),在电路设计时应确保合适的驱动电压和电流。

    兼容性和支持


    IPP018N10N5 兼容多种标准 PCB 尺寸和安装方式,便于集成到现有设计中。制造商提供全面的技术支持和维护服务,包括详尽的文档和测试报告,确保用户能够正确使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定合适的栅极电阻?
    - 解决方案:通过调整栅极电阻可以控制 MOSFET 的开关速度。通常需要根据具体应用的开关频率和功耗来选择合适值。

    - 问题:在高温环境下运行时,功耗会如何变化?
    - 解决方案:应确保设计中留有足够的散热空间,并参考图表 1 和图表 2 来计算最大功耗。对于极端条件,需进行详细的热模拟以验证散热设计。

    总结和推荐


    综上所述,IPP018N10N5 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,适用于各种高频电力电子应用。其低导通电阻、宽工作温度范围以及优秀的环境友好性使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐此产品给需要高性能和可靠性的设计工程师。

IPP018N10N5XKSA1参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
击穿电压 -
最大功率 -
最大功率耗散 3.8W
Idss-饱和漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.83mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 205A
栅极电荷 168nC@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 12nF@ 50V
安装方式 通孔安装
包装方式 管装

IPP018N10N5XKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP018N10N5XKSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 碳化硅场效应管 INFINEON TECHNOLOGIES IPP018N10N5XKSA1 IPP018N10N5XKSA1数据手册

IPP018N10N5XKSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 26.0197
500+ ¥ 26.0197
1000+ ¥ 26.0197
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