处理中...

首页  >  产品百科  >  ITD08N65R

ITD08N65R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 29nC@ 10V 860mΩ@ 10V,4A 8A TO-252
供应商型号: ITD08N65R TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
CR MICRO/无锡华润微电子 场效应管(MOSFET) ITD08N65R

ITD08N65R概述


    产品简介


    ITD08N65R N-Channel MOSFET 是由InPower Semiconductor推出的高性能电子元器件,适用于多种电力转换应用。作为一款N沟道增强型MOSFET,其设计具有低导通电阻(RDS(ON))和低门极电荷的特点,特别适合于适配器、充电器和开关模式电源(SMPS)等应用。此产品符合RoHS标准,提供无铅封装和环保材料。

    技术参数


    以下为ITD08N65R的技术参数摘要:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 备注 |
    |
    | 漏源击穿电压(VDSS) | 650 V
    | 持续漏极电流(ID) 8 A
    | 脉冲漏极电流(IDM) 32 | A | 脉冲宽度受限于最大结温 |
    | 功率耗散(PD) | 120 W | 温度高于25℃时每增加1℃功率耗散减少0.96W |
    | 栅源电压(VGS) | ±30 V
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) 500 mJ
    | 峰值二极管恢复dv/dt | 5 V/ns
    | 焊接温度(TL) 300 | °C
    | 工作结温和存储温度范围(TJ 和 TSTG) -55至150 °C
    | 结到外壳热阻(RθJC) | 1.04 °C/W | 液冷散热片,PD调节以保持结温为150°C |
    | 结到环境热阻(RθJA) | 100 °C/W | 一立方英尺空间,自由空气 |
    此外,其静态漏源导通电阻(RDS(ON))在典型条件下为0.86Ω(VGS=10V,ID=4A),输入电容(Ciss)为1540pF(VGS=0V,VDS=25V,f=1.0MHz)。动态参数如总栅极电荷(Qg)、栅源电荷(Qgs)、栅极到漏极电荷(Qgd)等也提供了详细数据。

    产品特点和优势


    ITD08N65R具备多项显著优势,使其在市场上具有竞争力:
    1. 低导通电阻:典型值仅为0.86Ω,能有效降低功耗并提高效率。
    2. 低门极电荷:有助于快速开关,减少开关损耗。
    3. 高雪崩耐受能力:支持单脉冲雪崩能量高达500mJ。
    4. 环保合规:符合RoHS标准,采用无铅封装。
    5. 宽工作温度范围:能够在极端环境下稳定运行,适用性广泛。
    这些特点使得ITD08N65R成为开关电源设计的理想选择。

    应用案例和使用建议


    ITD08N65R主要应用于以下领域:
    - 适配器:高效转换,减少发热。
    - 充电器:快速充电,延长电池寿命。
    - 开关模式电源(SMPS):提高效率,降低成本。
    建议在使用时注意散热管理,尤其是高负载情况下,确保良好的热传导路径以避免过热。同时,合理布局电路板,尽量缩短引线长度,以减少寄生效应。

    兼容性和支持


    ITD08N65R与其他标准组件兼容良好,便于集成到现有系统中。InPower Semiconductor提供全面的技术支持和服务,包括样品申请、设计咨询和技术文档下载。

    常见问题与解决方案


    以下是可能遇到的一些问题及解决方案:
    1. 问题: 开关速度慢
    解决方案: 检查驱动电路,确保门极驱动强度足够。

    2. 问题: 发热严重
    解决方案: 改善散热措施,比如增加散热片或风扇。
    3. 问题: 导通电阻增大
    解决方案: 确保工作温度在规定范围内,检查焊接质量。

    总结和推荐


    ITD08N65R凭借其出色的性能、广泛的适用性和良好的市场口碑,是一款值得推荐的产品。它不仅满足了现代电力电子设备对高效能的需求,还兼顾了环保和经济性。对于需要高性能N沟道MOSFET的应用场景,ITD08N65R无疑是一个优秀的选择。

ITD08N65R参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 8A
Rds(On)-漏源导通电阻 860mΩ@ 10V,4A
栅极电荷 29nC@ 10V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252

ITD08N65R厂商介绍

CR Micro是一家全球领先的半导体公司,专注于研发和生产高性能的半导体产品。公司主营产品包括微控制器、模拟芯片和传感器等,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子、医疗设备等多个领域。

CR Micro的优势在于其强大的研发实力和丰富的产品线。公司拥有一支由行业专家组成的研发团队,不断推出创新的半导体解决方案,满足客户多样化的需求。此外,CR Micro还拥有完善的供应链体系和严格的质量控制流程,确保产品的高性能和可靠性。

总之,CR Micro凭借其卓越的产品品质和专业的服务,赢得了全球客户的信赖和支持,成为半导体行业的佼佼者。

ITD08N65R数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
CR MICRO/无锡华润微电子 场效应管(MOSFET) CR MICRO/无锡华润微电子 ITD08N65R ITD08N65R数据手册

ITD08N65R封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 25000
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336