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LSU05N65A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 13nC@ 10V 2.3Ω@10V,2.5A 5A TO-251
供应商型号: LSU05N65A TO-251
供应商: 国内现货
标准整包数: 150
CR MICRO/无锡华润微电子 场效应管(MOSFET) LSU05N65A

LSU05N65A概述

    LSU05N65A N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    LSU05N65A 是一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET,由 InPower Semiconductor 公司设计制造。这款器件采用 TO-251 封装,具有高击穿电压(650V)、低导通电阻(RDS(ON) 最小值为 2.3Ω)和低门极电荷(Qg 最大值为 13nC),适合广泛应用于开关电源(SMPS)、充电器及适配器等领域。产品完全符合 RoHS 规范,环保且可靠。

    技术参数


    以下是 LSU05N65A 的核心技术参数:
    | 参数名称 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 测试条件 |
    |
    | 击穿电压(VDS) | V 650
    | 持续漏极电流(ID) | A 5
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | mJ 150 L=10mH |
    | 重复雪崩能量(EAR) | mJ 30
    | 导通电阻(RDS(ON)) | Ω 2.3 | 2.8 | VGS=10V, ID=2.5A |
    | 输入电容(Ciss) | pF 560 VGS=0V, VDS=25V |
    | 输出电容(Coss) | pF 50 VGS=0V, VDS=25V |
    | 反向传输电容(Crss) | pF 2.2 VGS=0V, VDS=25V |
    | 关断延时时间(td(OFF)) | ns 29 VDD=325V, ID=5A |
    | 导通延迟时间(td(ON)) | ns 14 VDD=325V, ID=5A |
    此外,器件的热阻性能如下:
    - 结至外壳热阻(RθJC):1.78℃/W
    - 结至环境热阻(RθJA):62.5℃/W
    工作温度范围:-55℃ 至 +150℃。

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(ON) 仅为 2.3Ω(典型值),显著降低导通损耗,提高能效。
    2. 低门极电荷:Qg 最大值为 13nC,减少开关损耗,特别适合高频开关应用。
    3. 高雪崩耐量:单脉冲雪崩能量高达 150mJ,保证器件在极端条件下仍能正常工作。
    4. RoHS 合规:绿色环保,符合欧盟环保标准。
    5. 良好的动态特性:上升时间(trise)和下降时间(tfall)分别达到 22ns 和 15ns,快速响应能力提升系统效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 适配器:在消费类电子适配器中,LSU05N65A 可作为开关管,实现高效能量转换。
    - 充电器:用于手机或笔记本电脑充电器,其低导通电阻可有效减少热量积累,延长设备寿命。
    - SMPS(开关电源):适用于服务器、通信设备等需要高可靠性及高效率的场合。
    使用建议:
    1. 在设计中确保散热良好,尤其是在连续工作条件下,建议增加散热片以维持结温低于 +150℃。
    2. 高频开关时,注意匹配驱动电路的栅极电阻(RG),优化开关速度和功耗平衡。
    3. 使用时避免过压和过流,可通过外部保护电路实现短路保护和过压保护。

    兼容性和支持


    LSU05N65A 支持与其他主流功率器件的互换性,同时提供详细的技术文档和应用指南。InPower Semiconductor 官方网站提供了丰富的支持资源,包括型号查询、数据手册下载、样品申请和技术咨询通道。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中发热严重 | 检查散热措施是否到位,增加散热片。 |
    | 导通电阻偏大 | 确认 VGS 是否足够高(≥10V)。 |
    | 雪崩能量不足导致损坏 | 检查电路是否满足典型工作条件。 |

    总结和推荐


    综合评估:
    LSU05N65A N-Channel MOSFET 具有高可靠性、低功耗和优异的动态特性,非常适合适配器、充电器和开关电源等应用。其卓越的热管理能力和广泛的温度适应性使其成为行业内备受青睐的选择。
    推荐指数: ★★★★★
    我们强烈推荐 LSU05N65A 给寻求高效能、低损耗和绿色设计的工程师和企业用户。

LSU05N65A参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 5A
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 13nC@ 10V
FET类型 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.3Ω@10V,2.5A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-251

LSU05N65A厂商介绍

CR Micro是一家全球领先的半导体公司,专注于研发和生产高性能的半导体产品。公司主营产品包括微控制器、模拟芯片和传感器等,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子、医疗设备等多个领域。

CR Micro的优势在于其强大的研发实力和丰富的产品线。公司拥有一支由行业专家组成的研发团队,不断推出创新的半导体解决方案,满足客户多样化的需求。此外,CR Micro还拥有完善的供应链体系和严格的质量控制流程,确保产品的高性能和可靠性。

总之,CR Micro凭借其卓越的产品品质和专业的服务,赢得了全球客户的信赖和支持,成为半导体行业的佼佼者。

LSU05N65A数据手册

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LSU05N65A封装设计

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