处理中...

首页  >  产品百科  >  ITA07N65R

ITA07N65R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 24nC@ 10V 1.2Ω@10V,3.5A 7A TO-220F
供应商型号: ITA07N65R TO-220F
供应商: 国内现货
标准整包数: 150
CR MICRO/无锡华润微电子 场效应管(MOSFET) ITA07N65R

ITA07N65R概述

    电子元器件产品技术手册解析:ITA07N65R

    1. 产品简介


    ITA07N65R是一款由InPower Semiconductor推出的N沟道增强型功率MOSFET,具有高可靠性、低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷(Qg)等特点。该器件适用于多种电力电子应用,如适配器、充电器和开关模式电源系统(SMPS)。其卓越的性能使其成为高效能功率管理解决方案的理想选择。

    2. 技术参数


    以下为ITA07N65R的关键技术参数及其描述:
    | 参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 测试条件 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | VDSS | V 650
    | 持续漏电流 | ID | A 7
    | 脉冲漏电流 | IDM | A 28 VGS@10V |
    | 功耗 | PD | W 35
    | 最高焊接温度 | TL | ℃ 300
    | 工作温度范围 | TJ, TSTG | ℃ | -55 | 150 | 150
    | 热阻(结到壳) | RθJC | ℃/W 3.57 水冷散热器条件下,结温150℃ |
    | 热阻(结到环境) | RθJA | ℃/W 62.5 自由空气条件下 |
    | 导通电阻 | RDS(ON) | Ω 1.2 | 1.4 | VGS=10V, ID=3.5A |
    | 输入电容 | Ciss | pF 1130 VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz |
    | 输出电容 | Coss | pF 93 VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz |
    | 反向转移电容 | Crss | pF 5.5
    | 栅极总电荷 | Qg | nC 24 ID=7A, VDD=520V |
    | 开关上升时间 | trise | ns 21 VDD=325V, ID=7A |

    3. 产品特点和优势


    ITA07N65R的主要特点及优势包括:
    - 低导通电阻:典型值为1.2Ω,能够显著降低功耗并提高效率。
    - 低栅极电荷:典型的Qg值为24nC,有助于减少开关损耗。
    - 高雪崩能力:单脉冲雪崩能量高达350mJ,适合处理瞬态过压情况。
    - 环保合规:符合RoHS标准,无铅封装。
    - 广泛应用:适用于适配器、充电器和SMPS等对高效能和小型化需求较高的领域。

    4. 应用案例和使用建议


    ITA07N65R在多个领域具有广泛的应用潜力,例如:
    - 充电器设计:利用其低导通电阻和低栅极电荷特性,可以有效提升充电器的能效比。
    - 开关电源模块:适用于需要快速开关响应和高可靠性的工业电源设计。
    - 储能系统:在太阳能逆变器等储能系统中,提供高效的能量转换。
    使用建议:
    - 针对高功率应用,建议结合外部散热片以降低结温,延长使用寿命。
    - 在高频开关电路中,确保栅极驱动电路稳定,避免因寄生效应导致失效。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:ITA07N65R可与其他主流品牌的TO-220F封装产品互换使用。
    - 技术支持:InPower Semiconductor提供详尽的技术文档和支持服务,包括测试电路图和波形分析。

    6. 常见问题与解决方案


    以下为常见的用户问题及对应的解决方案:
    - 问题1:器件发热严重
    解决方案:增加散热措施,如安装散热片或风扇。
    - 问题2:开关速度较慢
    解决方案:检查驱动电路设计,优化栅极电阻值。
    - 问题3:输出不稳定
    解决方案:验证输入电压范围,确保符合规格要求。

    7. 总结和推荐


    综上所述,ITA07N65R是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,特别适合于需要高效率和紧凑设计的电力电子应用。其低导通电阻、低栅极电荷和优异的热管理能力使其在市场上具备很强的竞争力。对于需要高效能功率管理的客户,我们强烈推荐使用ITA07N65R。
    推荐指数:★★★★★

    通过深入分析ITA07N65R的技术手册,可以看出其在电力电子领域的显著优势,是新一代高效能解决方案的理想选择。

ITA07N65R参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.2Ω@10V,3.5A
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 7A
栅极电荷 24nC@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-220F

ITA07N65R厂商介绍

CR Micro是一家全球领先的半导体公司,专注于研发和生产高性能的半导体产品。公司主营产品包括微控制器、模拟芯片和传感器等,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子、医疗设备等多个领域。

CR Micro的优势在于其强大的研发实力和丰富的产品线。公司拥有一支由行业专家组成的研发团队,不断推出创新的半导体解决方案,满足客户多样化的需求。此外,CR Micro还拥有完善的供应链体系和严格的质量控制流程,确保产品的高性能和可靠性。

总之,CR Micro凭借其卓越的产品品质和专业的服务,赢得了全球客户的信赖和支持,成为半导体行业的佼佼者。

ITA07N65R数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
CR MICRO/无锡华润微电子 场效应管(MOSFET) CR MICRO/无锡华润微电子 ITA07N65R ITA07N65R数据手册

ITA07N65R封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 1500
起订量: 150 增量: 150
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336