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ITA16N65A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 54nC@ 10V 490mΩ@ 10V,8A 16A TO-220F
供应商型号: ITA16N65A TO-220F
供应商: 国内现货
标准整包数: 150
CR MICRO/无锡华润微电子 场效应管(MOSFET) ITA16N65A

ITA16N65A概述


    产品简介


    ITA16N65A 是一款由 InPower Semiconductor Co., Ltd 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,具有高耐压(650V)、低导通电阻(0.49Ω)及优异的开关性能。它专为适应快速开关、高能效应用设计,广泛应用于充电器、适配器及开关电源系统(SMPS)。产品完全符合 RoHS 标准,环保且高效,是现代电子设备的理想选择。

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    |
    | VDSS(漏源电压) 650 V |
    | ID(连续漏极电流) 16 A | TC=25°C |
    | IDM(脉冲漏极电流) 64 A | VGS=10V |
    | PD(耗散功率) 70 W |
    | RDS(ON)(导通电阻) 0.49 | 0.55 | Ω | VGS=10V, ID=8A |
    | Ciss(输入电容) 2450 pF | VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz |
    | Coss(输出电容) 218 pF |
    | Crss(反向传输电容) 18.5 pF |
    | Qg(总栅极电荷) 54 nC | ID=16A, VDD=325V |
    | td(ON)(导通延迟时间) 30 ns | VDD=325V, ID=16A |
    | trise(上升时间) 70 ns |
    其他关键参数
    - 工作温度范围:-55℃ 至 150℃
    - 热阻抗:RθJC=1.79℃/W, RθJA=100℃/W

    产品特点和优势


    ITA16N65A 在多个方面展现了其卓越性能与竞争力:
    1. 低导通电阻:典型值仅为 0.49Ω,极大地降低了功耗,提高了效率。
    2. 高速开关性能:出色的开关速度(td(ON)=30ns, tfall=74ns),适用于高频应用。
    3. 鲁棒性设计:单脉冲雪崩能量高达 800mJ,增强了抗浪涌能力。
    4. 宽温操作:可在极端环境下稳定运行,支持 -55℃ 至 150℃ 的工作温度范围。
    5. RoHS 合规:环保设计,满足全球市场的法规要求。

    应用案例和使用建议


    ITA16N65A 广泛应用于以下领域:
    - 适配器与充电器:利用其高效率特性,降低发热量并延长设备寿命。
    - 开关电源(SMPS):在高频开关场景中,其优秀的动态性能可以显著提升系统效率。
    使用建议:
    1. 散热管理:建议使用大尺寸散热片或水冷装置以保持正常工作温度,避免因过热导致性能下降。
    2. 驱动电路优化:确保驱动电压(VGS)达到推荐值(10V),以实现最佳的开关特性和导通电阻。
    3. 负载匹配:结合负载需求合理配置驱动电阻,优化开关时间以减少功耗。

    兼容性和支持


    ITA16N65A 可与其他主流电源管理芯片无缝配合,例如常见的 PWM 控制器和同步整流器。InPower Semiconductor 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的设计文档、测试报告以及一对一技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 超过最大额定电压工作 | 确保 VDSS 不超过 650V |
    | 开关时效率下降 | 检查驱动电路并调整驱动电阻 |
    | 温度过高导致器件失效 | 改善散热措施,加装散热片或风扇 |

    总结和推荐


    总体而言,ITA16N65A 是一款兼具高性能和广泛应用价值的 N 沟道功率 MOSFET,适合需要高效率、低损耗的现代电子设备。其强大的耐高温性能和卓越的开关特性使其成为电源管理领域的优秀选择。对于需要高可靠性和稳定性设计的工程师,强烈推荐此产品。
    推荐指数:⭐⭐⭐⭐⭐
    备注:尽管产品性能优越,但在使用过程中仍需注意散热管理和正确电路设计,以充分发挥其潜力。

ITA16N65A参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 54nC@ 10V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 16A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 490mΩ@ 10V,8A
配置 -
FET类型 -
通用封装 TO-220F

ITA16N65A厂商介绍

CR Micro是一家全球领先的半导体公司,专注于研发和生产高性能的半导体产品。公司主营产品包括微控制器、模拟芯片和传感器等,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子、医疗设备等多个领域。

CR Micro的优势在于其强大的研发实力和丰富的产品线。公司拥有一支由行业专家组成的研发团队,不断推出创新的半导体解决方案,满足客户多样化的需求。此外,CR Micro还拥有完善的供应链体系和严格的质量控制流程,确保产品的高性能和可靠性。

总之,CR Micro凭借其卓越的产品品质和专业的服务,赢得了全球客户的信赖和支持,成为半导体行业的佼佼者。

ITA16N65A数据手册

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