处理中...

首页  >  产品百科  >  ITU07N65R

ITU07N65R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 24nC@ 10V 1.2Ω@10V,3.5A 7A TO-251
供应商型号: ITU07N65R TO-251
供应商: 国内现货
标准整包数: 150
CR MICRO/无锡华润微电子 场效应管(MOSFET) ITU07N65R

ITU07N65R概述


    产品简介


    ITU07N65R N-Channel MOSFET 是由 InPower Semiconductor 公司生产的一款高性能电子元器件,专为适应多种电力转换应用而设计。该产品属于 N 沟道增强型场效应晶体管,具备低导通电阻(RDS(ON))、低门极电荷(Qg)以及优异的开关性能。其主要应用领域包括电源适配器、充电器及开关模式电源系统(SMPS)。此外,该产品符合 RoHS 标准,确保环保且安全的使用。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    |
    | VDSS 650 V | 排流到源极电压 |
    | ID 7 A | 连续排流电流 |
    | IDM 28 A | 脉冲排流电流,VGS @ 10V |
    | PD 100 W | 功率耗散,温度高于 25℃ 降额系数为 0.8 W/℃ |
    | VGS | ±30 ±30 | V | 门极到源极电压 |
    | EAS 350 mJ | 单脉冲雪崩能量(L=10mH) |
    | RDS(ON) 1.2 | 1.4 | Ω | 静态排流到源极导通电阻(VGS=10V, ID=3.5A) |
    | gfs 6.5 S | 正向跨导(VDS=15V, ID=3.5A) |
    | Ciss 1130 pF | 输入电容(VGS=0V, VDS=25V, f=1.0MHz) |
    | Qg 24 nC | 总门极电荷(ID=7A, VDD=520V, VGS=10V) |
    | td(ON) 19 ns | 开启延迟时间(VDD=325V, ID=7A, VGS=10V, RG=10Ω) |
    | trise 21 ns | 上升时间 |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:ITU07N65R 的典型 RDS(ON) 值仅为 1.2Ω,能显著降低功耗并提高效率,尤其适合高功率密度应用。
    2. 快速开关性能:优秀的动态特性(如低 Qg 和 Qgs)使其适用于高频开关电路,有助于减少开关损耗。
    3. 高可靠性:支持高达 650V 的耐压能力,可承受较强的浪涌电流(IDM=28A),并具有良好的热稳定性。
    4. RoHS 合规性:符合环保要求,满足现代电子产品对无毒材料的需求。
    5. 广泛适用性:广泛应用于开关电源、电机驱动和电池管理系统等领域,市场竞争力强。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 充电器:在高功率 USB-C 快速充电器中,ITU07N65R 可有效减小内部发热并提升充电效率。
    - 适配器:利用其高耐压能力和快速开关性能,ITF07N65R 成为小型化笔记本电脑适配器的理想选择。
    - SMPS 系统:作为核心功率器件,ITU07N65R 能够显著改善电源系统的转换效率和整体性能。
    使用建议:
    1. 散热管理:由于最大功率耗散为 100W,建议使用散热片或风扇进行强制冷却,以避免因过热导致器件失效。
    2. 驱动电路优化:通过优化门极驱动电路(如降低 RG 电阻值)来进一步缩短开关时间,提高效率。
    3. 合理布局:在 PCB 设计中尽量缩短源极与门极引脚之间的布线长度,以减少寄生电感的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:ITU07N65R 支持主流 PCB 封装(TO-251),易于与其他标准元件集成。
    - 支持与维护:InPower Semiconductor 提供详尽的技术文档和专业技术支持,帮助客户解决产品选型及应用中的各种问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 器件温升过高 | 确保良好散热措施,必要时增加散热片或风扇。 |
    | 开关波形出现振铃 | 优化门极驱动电路,加入适当的缓冲网络。 |
    | 无法达到预期效率 | 检查输入电压范围及负载条件是否匹配实际需求。 |

    总结和推荐


    综合来看,ITU07N65R N-Channel MOSFET 是一款性能卓越、可靠性高的电子元器件,尤其适合高效率开关电源和高频应用场合。其优异的导通电阻、快速开关特性和广泛的温度适应能力使其在市场上极具竞争力。对于需要高性能和可靠性的应用项目,我们强烈推荐使用这款产品。同时,厂商提供的技术支持和完善文档也使得产品易于集成和调试,是一款值得信赖的选择。

ITU07N65R参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.2Ω@10V,3.5A
栅极电荷 24nC@ 10V
通道数量 -
通用封装 TO-251

ITU07N65R厂商介绍

CR Micro是一家全球领先的半导体公司,专注于研发和生产高性能的半导体产品。公司主营产品包括微控制器、模拟芯片和传感器等,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子、医疗设备等多个领域。

CR Micro的优势在于其强大的研发实力和丰富的产品线。公司拥有一支由行业专家组成的研发团队,不断推出创新的半导体解决方案,满足客户多样化的需求。此外,CR Micro还拥有完善的供应链体系和严格的质量控制流程,确保产品的高性能和可靠性。

总之,CR Micro凭借其卓越的产品品质和专业的服务,赢得了全球客户的信赖和支持,成为半导体行业的佼佼者。

ITU07N65R数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
CR MICRO/无锡华润微电子 场效应管(MOSFET) CR MICRO/无锡华润微电子 ITU07N65R ITU07N65R数据手册

ITU07N65R封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 1500
起订量: 150 增量: 150
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336