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ITD07N65R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: ITD07N65R TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
CR MICRO/无锡华润微电子 场效应管(MOSFET) ITD07N65R

ITD07N65R概述

    # ITD07N65R N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    ITD07N65R 是一款由 InPower Semiconductor Co., Ltd 生产的 N 沟道功率 MOSFET,具有低导通电阻(RDS(ON))、低门极电荷(Qg)等特性。它广泛应用于适配器、充电器和开关模式电源系统(SMPS),能够满足高效能需求。该产品符合 RoHS 标准,且在高温环境下依然保持稳定性能。
    主要功能与应用领域
    - 主要功能:
    - 高耐压能力(VDSS 达到 650V)。
    - 低导通电阻(典型值为 1.2Ω)。
    - 快速开关速度,支持高频工作。
    - 支持峰值电流脉冲操作。
    - 应用领域:
    - 适配器和充电器。
    - 开关电源系统(SMPS)。
    - 其他需要高性能 MOSFET 的电子设备。

    技术参数


    以下是 ITD07N65R 的关键技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    ||
    | 漏源电压 | VDSS 650 V
    | 连续漏极电流 | ID 7 A
    | 脉冲漏极电流 | IDM 28 A | VGS@10V |
    | 功耗 | PD 100 W | Derating factor |
    | 门极-源极电压 | VGS | ±30 V
    | 单次脉冲雪崩能量 | EAS 350 mJ | L=10mH |
    | 最大焊接温度 | TL 300 °C
    | 工作结温范围 | TJ 和 TSTG -55 至 150 °C
    | 热阻 | RθJC | 1.25 °C/W | 水冷散热器 |
    | 热阻 | RθJA | 100 °C/W | 自由空气 |

    产品特点和优势


    特点
    1. 低导通电阻:典型值为 1.2Ω,在典型工作条件下提供了优秀的低损耗特性。
    2. 低门极电荷:减少开关过程中的能量损失,提高整体效率。
    3. 高耐压能力:达到 650V 的漏源电压,适合高压应用场合。
    4. 快速开关速度:典型上升时间(trise)为 21ns,下降时间为 19ns,确保快速响应。
    5. 高可靠性:通过严格的测试和设计验证,确保在严苛的工作环境中可靠运行。
    优势
    - 在适配器和充电器中显著降低功耗,提升能效。
    - 高度集成化设计,简化电路设计并降低成本。
    - 适用于高频开关应用,有助于缩小设备体积。
    - 具备良好的温度适应性,可在广泛的工业温度范围内工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    ITD07N65R 在以下应用中表现出色:
    - 适配器与充电器:作为开关元件,有效降低能量损耗,提高转换效率。
    - 开关电源系统(SMPS):提供稳定的开关性能,确保系统的高效运行。
    - 其他应用:可用于任何需要高速开关和高效能的场合。
    使用建议
    1. 选择合适的散热措施:鉴于其较高的功耗,建议使用外部散热器以避免过热。
    2. 优化电路布局:合理设计电路板布局,减少寄生电感和电容的影响。
    3. 注意静电防护:在装配和使用过程中采取必要的静电防护措施,避免损坏器件。

    兼容性和支持


    兼容性
    - ITD07N65R 可直接替换市场上常见的同类产品,如 IRFZ44N 等,兼容性强。
    - 与大多数主流控制器和驱动器兼容,便于集成到现有系统中。
    支持
    InPower Semiconductor 提供全面的技术支持和服务,包括:
    - 完整的技术文档和参考设计。
    - 实验室测试服务,帮助客户验证产品性能。
    - 客户热线和技术支持团队随时待命解答疑问。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 导通电阻异常升高。
    2. 开关速度较慢。
    3. 温度过高导致失效。
    解决方案
    1. 导通电阻异常升高:
    - 检查是否超过了额定电流或电压。
    - 确保良好的散热设计。
    2. 开关速度较慢:
    - 检查电路布线是否合理,减少寄生电感和电容。
    - 确保门极驱动信号强度足够。
    3. 温度过高导致失效:
    - 添加外部散热器。
    - 减少工作电流或改善冷却系统。

    总结和推荐


    综合评估
    ITD07N65R N 沟道 MOSFET 具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力,是一款非常适合高频开关应用的高性能器件。其在适配器、充电器及开关电源系统中的表现尤为出色,能够显著提升系统效率并降低能耗。
    推荐使用
    综上所述,ITD07N65R 是一款值得信赖的产品,尤其对于需要高性能、高可靠性的应用领域来说,是理想的选择。无论是用于消费电子还是工业设备,这款 MOSFET 都能提供卓越的表现和长期稳定性。因此,我们强烈推荐将其纳入相关设计之中。

ITD07N65R参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252

ITD07N65R厂商介绍

CR Micro是一家全球领先的半导体公司,专注于研发和生产高性能的半导体产品。公司主营产品包括微控制器、模拟芯片和传感器等,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子、医疗设备等多个领域。

CR Micro的优势在于其强大的研发实力和丰富的产品线。公司拥有一支由行业专家组成的研发团队,不断推出创新的半导体解决方案,满足客户多样化的需求。此外,CR Micro还拥有完善的供应链体系和严格的质量控制流程,确保产品的高性能和可靠性。

总之,CR Micro凭借其卓越的产品品质和专业的服务,赢得了全球客户的信赖和支持,成为半导体行业的佼佼者。

ITD07N65R数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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ITD07N65R封装设计

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