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ITL12N65R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: ITL12N65R TO-262
供应商: 国内现货
标准整包数: 150
CR MICRO/无锡华润微电子 场效应管(MOSFET) ITL12N65R

ITL12N65R概述

    # ITL12N65R N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    ITL12N65R 是一款由 InPower Semiconductor 公司推出的 N 沟道增强型 MOSFET,专为高效率电源转换应用设计。其核心特性包括低导通电阻(RDS(ON))、低门极电荷(Qg)及优异的雪崩耐受能力。该产品广泛应用于适配器、充电器及开关模式电源(SMPS)等领域。
    主要功能
    - 高击穿电压(VDSS = 650V)
    - 大电流处理能力(连续电流 12A,峰值脉冲电流 48A)
    - 低导通损耗,适用于高频工作环境
    - 符合 RoHS 标准

    技术参数


    以下是 ITL12N65R 的关键技术规格:
    | 参数名称 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 | 测试条件 |
    |
    | VDSS(漏源电压) | - | 650 | - | V | VGS=0V |
    | ID(连续漏极电流) | - | 12 | - | A | TC=25°C |
    | IDM(脉冲漏极电流) | - | - | 48 | A | 脉宽限制于最大结温 |
    | PD(功率耗散) | - | 150 | - | W
    | RDS(ON)(导通电阻) | - | 0.66 | 0.8 | Ω | VGS=10V, ID=6A |
    | VGS(TH)(栅极阈值电压) | 2 | - | 4 | V | VDS=VGS, ID=250µA |
    | Ciss(输入电容) | - | 1993 | - | pF | VGS=0V, VDS=25V, f=1.0MHz |
    其他关键动态参数包括输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)、反向传输电容(Crss)以及总门极电荷(Qg)。这些参数有助于优化电路设计以提高整体效率。

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 低导通电阻:典型值仅为 0.66Ω,能够显著降低功耗并提升能效。
    2. 低门极电荷:减少开关损耗,特别适合高频操作。
    3. 雪崩耐受能力:能够在极端条件下保持稳定运行。
    4. RoHS 合规:环保友好,符合现代工业标准。
    市场竞争力
    ITL12N65R 在适配器、充电器及 SMPS 应用中表现出色,凭借其高性能和可靠性在市场上占据一席之地。其高效能使其成为替代传统硅基 MOSFET 的理想选择。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    - 适配器与充电器:ITL12N65R 可用于笔记本电脑、手机等设备的充电器,提供高效的电力传输。
    - SMPS:在工业级电源模块中作为关键元件,确保稳定的输出电压。
    使用建议
    为了充分发挥 ITL12N65R 的潜力,在设计时应注意以下几点:
    - 确保散热良好,避免因过热导致性能下降。
    - 结合适当的门极驱动电路,优化开关速度与效率。

    兼容性和支持


    兼容性
    ITL12N65R 与主流 PCB 尺寸兼容,支持标准 TO-262 封装。其引脚布局简单明了,便于集成到现有系统中。
    厂商支持
    InPower Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线帮助和技术培训课程,以协助客户顺利部署该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程出现异常振荡 | 调整门极电阻值至合适范围 |
    | 散热不足导致温度过高 | 添加外置散热片或改进散热方案 |
    | 输出不稳定 | 检查负载连接是否正确并调整输入滤波器 |

    总结和推荐


    综合评估
    ITL12N65R 是一款集高性能、高可靠性和环保设计于一体的 N 沟道 MOSFET,特别适合需要高效能的应用场合。其低导通电阻、快速开关能力和优异的耐高温性能使其成为电源管理领域的首选元件。
    推荐结论
    基于以上分析,强烈推荐 ITL12N65R 用于需要高性能 MOSFET 的应用场景。无论是适配器、充电器还是 SMPS,这款产品都能提供卓越的支持。对于希望提升系统效率并降低成本的设计工程师而言,这是一个理想的选择。

ITL12N65R参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 -
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-262

ITL12N65R厂商介绍

CR Micro是一家全球领先的半导体公司,专注于研发和生产高性能的半导体产品。公司主营产品包括微控制器、模拟芯片和传感器等,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子、医疗设备等多个领域。

CR Micro的优势在于其强大的研发实力和丰富的产品线。公司拥有一支由行业专家组成的研发团队,不断推出创新的半导体解决方案,满足客户多样化的需求。此外,CR Micro还拥有完善的供应链体系和严格的质量控制流程,确保产品的高性能和可靠性。

总之,CR Micro凭借其卓越的产品品质和专业的服务,赢得了全球客户的信赖和支持,成为半导体行业的佼佼者。

ITL12N65R数据手册

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ITL12N65R封装设计

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