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ITA10N65R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 32nC@ 10V 860mΩ@ 10V,5A 10A TO-220F
供应商型号: ITA10N65R TO-220F
供应商: 国内现货
标准整包数: 150
CR MICRO/无锡华润微电子 场效应管(MOSFET) ITA10N65R

ITA10N65R概述

    # ITA10N65R N-Channel MOSFET 技术手册解读

    1. 产品简介


    ITA10N65R 是一款由 InPower Semiconductor 生产的高性能 N 沟道功率 MOSFET,专为适应广泛的工业和消费类电子应用而设计。它具有较低的导通电阻(Rds(on))和较高的耐压能力,使其成为开关电源(SMPS)、适配器和充电器等应用的理想选择。此外,该器件符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
    主要功能
    - 高耐压:650V
    - 低导通电阻:0.86Ω
    - 高电流处理能力:10A 持续电流,40A 峰值电流
    - 优化的开关性能:低门极电荷和快速开关时间
    应用领域
    - 开关电源(SMPS)
    - 充电器
    - 适配器
    - 各种工业及消费类电子设备

    2. 技术参数


    以下是 ITA10N65R 的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDSS 650 V |
    | 持续漏极电流 | ID 10 A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 40 A |
    | 功耗 | PD 40 W |
    | 结点到外壳热阻 | RθJC 3.13 °C/W |
    | 结点到环境热阻 | RθJA 62.5 °C/W |
    | 静态导通电阻(典型值) | RDS(ON) 0.86 Ω |
    | 门限电压 | VGS(TH) | 2 | 4 V |
    | 输入电容 | Ciss 1642 pF |
    | 输出电容 | Coss 128 pF |
    | 反向传输电容 | Crss 7 pF |
    其他特性包括:
    - 高反向恢复时间:最大 528ns
    - 最高工作温度:150℃
    - 符合 RoHS 规范

    3. 产品特点和优势


    特点
    - 低导通电阻:典型值仅为 0.86Ω,可显著降低功耗和热量积累。
    - 高耐压能力:650V 耐压,适合多种高压应用。
    - 快速开关性能:低门极电荷(Qg)和快速上升/下降时间(<30ns),提高效率并减少开关损耗。
    - 高可靠性:严格的测试和生产过程保证了其长期稳定性。
    - RoHS 兼容:满足绿色环保要求。
    优势
    - 在开关电源中表现优异,尤其适用于高频电路。
    - 较低的热阻设计增强了散热性能,延长了使用寿命。
    - 易于集成,简化了设计流程,减少了外部元件数量。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 开关电源(SMPS):ITA10N65R 以其低导通电阻和快速开关性能,在典型的开关电源电路中实现了高效的能量转换。
    2. 充电器:在快充适配器中,该器件可以提供稳定且高效的电流控制,减少发热并提升整体效率。
    3. 逆变器:适合小型逆变器应用,能够在高频开关条件下保持良好的性能。
    使用建议
    - 确保 PCB 设计中加入足够的散热措施(如大面积铜箔或散热片),以维持低热阻。
    - 为避免过压损坏,建议在外围电路中加入适当的保护装置(如 TVS 二极管)。
    - 在设计高频电路时,需关注门极驱动电路的阻抗匹配,以确保开关速度最优。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:ITA10N65R 支持主流焊接工艺和标准封装(TO-220F),易于与其他元器件集成。
    - 技术支持:InPower Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决问题并优化设计。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查门极驱动电路阻抗,优化 Qg 和门极电阻。 |
    | 过热现象 | 添加散热片或优化 PCB 散热设计。 |
    | 导通电阻偏高 | 确认工作条件是否在典型范围内,检查封装完整性。|

    7. 总结和推荐


    综合评估
    ITA10N65R 是一款高效、可靠的 N 沟道功率 MOSFET,以其出色的性能和广泛的应用领域脱颖而出。它不仅能够满足现代电子设备对高能效的需求,还提供了良好的热管理和长寿命保障。
    推荐结论
    我们强烈推荐 ITA10N65R 用于需要高性能、高可靠性的应用场景。无论是开关电源还是充电器设计,这款器件都能提供卓越的表现。对于追求绿色能源和高效设计的工程师来说,它是一个理想的选择。

ITA10N65R参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 32nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 860mΩ@ 10V,5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 10A
配置 -
通用封装 TO-220F

ITA10N65R厂商介绍

CR Micro是一家全球领先的半导体公司,专注于研发和生产高性能的半导体产品。公司主营产品包括微控制器、模拟芯片和传感器等,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子、医疗设备等多个领域。

CR Micro的优势在于其强大的研发实力和丰富的产品线。公司拥有一支由行业专家组成的研发团队,不断推出创新的半导体解决方案,满足客户多样化的需求。此外,CR Micro还拥有完善的供应链体系和严格的质量控制流程,确保产品的高性能和可靠性。

总之,CR Micro凭借其卓越的产品品质和专业的服务,赢得了全球客户的信赖和支持,成为半导体行业的佼佼者。

ITA10N65R数据手册

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ITA10N65R封装设计

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