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LTU02N65A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 9nC@ 10V 4Ω@10V,1A 2A TO-251
供应商型号: LTU02N65A TO-251
供应商: 国内现货
标准整包数: 150
CR MICRO/无锡华润微电子 场效应管(MOSFET) LTU02N65A

LTU02N65A概述

    # N-Channel MOSFET 技术手册解读

    产品简介


    基本介绍
    LTU02N65A 和 LTD02N65A 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为现代电力电子系统设计。这些器件具有极低的导通电阻(RDS(on))和较低的门极电荷(Qg),适合在高效率电源转换器中使用。主要应用场景包括适配器、充电器、开关模式电源(SMPS)待机电源以及液晶面板电源。
    主要功能
    - 高效能转换:由于其低导通电阻和低门极电荷特性,能够在高压环境下实现高效的电能转换。
    - 宽工作电压范围:最大漏源电压(VDSS)可达650V,确保在极端条件下稳定运行。
    - RoHS 合规:符合环保标准,适合绿色制造需求。

    技术参数


    以下是关键的技术参数:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压(BVDSS) 650 | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) 4.0 | 5.0 | Ω |
    | 持续漏极电流(ID) | 2.0 | 2.0 | 2.0 | A |
    | 峰值脉冲漏极电流(IDM) | A |
    | 功率耗散(PD) | 55 | 55 W |
    | 门极至源极电压(VGS) | ±30 V |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 低导通电阻:典型值仅为4.0Ω,显著降低功耗,提高能效。
    - 低门极电荷:有助于快速开关,减少开关损耗。
    - 高可靠性:支持单脉冲雪崩能量高达68mJ,适合处理瞬态过压情况。
    市场竞争力
    - 高效率:在高频应用中表现出色,能够满足现代电源系统的严格要求。
    - 广泛适用性:适用于多种环境条件,特别是在温度范围宽广的应用场景中表现优异。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 适配器和充电器:利用其高效率特性,提升充电速度并延长设备寿命。
    2. SMPS 待机电源:在低功耗模式下提供稳定的输出。
    使用建议
    - 散热管理:建议采用适当的散热措施以保持最佳工作状态。
    - 电路布局优化:合理布置电路板可以进一步提升性能。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 可与各种主流电源管理系统兼容,易于集成到现有设计中。
    支持服务
    - 提供详尽的技术文档和支持,帮助用户快速上手和故障排查。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 调整驱动电路,降低开关频率 |
    | 输出电压不稳定 | 检查外围元件连接是否正确 |

    总结和推荐


    综合评估
    LTU02N65A 和 LTD02N65A 凭借其卓越的性能、广泛的适用性和良好的兼容性,在同类产品中脱颖而出。它们特别适合需要高效率和稳定性的应用场景。
    推荐结论
    强烈推荐使用这款 N 沟道 MOSFET 用于高性能电源转换系统的设计开发中。

LTU02N65A参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 2A
最大功率耗散 -
栅极电荷 9nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4Ω@10V,1A
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-251

LTU02N65A厂商介绍

CR Micro是一家全球领先的半导体公司,专注于研发和生产高性能的半导体产品。公司主营产品包括微控制器、模拟芯片和传感器等,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子、医疗设备等多个领域。

CR Micro的优势在于其强大的研发实力和丰富的产品线。公司拥有一支由行业专家组成的研发团队,不断推出创新的半导体解决方案,满足客户多样化的需求。此外,CR Micro还拥有完善的供应链体系和严格的质量控制流程,确保产品的高性能和可靠性。

总之,CR Micro凭借其卓越的产品品质和专业的服务,赢得了全球客户的信赖和支持,成为半导体行业的佼佼者。

LTU02N65A数据手册

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LTU02N65A封装设计

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