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ITA12N65R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: ITA12N65R TO-220F
供应商: 国内现货
标准整包数: 150
CR MICRO/无锡华润微电子 场效应管(MOSFET) ITA12N65R

ITA12N65R概述

    # ITA12N65R N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    ITA12N65R 是一款由 InPower Semiconductor 公司设计生产的 N-Channel MOSFET 电子元器件,主要用于电源管理及开关应用。它的基本功能包括提供高电压、大电流开关切换能力,具有低导通电阻和快速响应特性。适用领域广泛,涵盖适配器、充电器以及开关模式电源(SMPS)。该器件符合 RoHS 规范,确保环保标准。
    主要特点:
    - 高耐压:650V
    - 最大连续漏极电流:12A
    - 低导通电阻(RDS(on)):典型值 0.66Ω
    - 低栅极电荷:典型值 40nC
    - 罗列支持适配各种高频开关电路

    2. 技术参数


    以下是 ITA12N65R 的关键技术参数和性能指标:
    | 参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | V 650
    | 漏源漏电流 | IDSS | μA 100 |
    | 门源阈值电压 | VGS(TH) | V 2~4
    | 导通电阻 | RDS(on) | Ω 0.66 | 0.8 |
    | 静态输入电容 | Ciss | pF 1993
    | 输出电容 | Coss | pF 160
    | 开关延迟时间 | td(ON) | ns 28
    | 关断延迟时间 | td(OFF) | ns 64
    | 关断恢复时间 | trr | ns 651
    热阻数据:
    - 结到外壳热阻:2.98°C/W
    - 结到环境热阻:62.5°C/W

    3. 产品特点和优势


    ITA12N65R 的核心优势在于其出色的低导通电阻和高电流承载能力。其低栅极电荷使得开关损耗更低,适合高频运行场景。此外,优秀的热管理和高可靠性使其在高压、高功率密度应用中表现出色。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 适配器和充电器:高效率开关,减少热量产生。
    - SMPS:优化转换效率并降低EMI干扰。
    使用建议:
    为了最大化性能,请注意以下几点:
    - 选择合适的散热解决方案以保持工作温度在允许范围内。
    - 在高频工作时,避免过高的栅极驱动电压来防止不必要的栅极振荡。

    5. 兼容性和支持


    ITA12N65R 支持主流的 TO-220F 封装形式,便于集成至现有系统中。InPower Semiconductor 提供详尽的技术支持文档和在线资源,帮助客户快速上手和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 频繁出现高温警告 | 确保良好的散热机制 |
    | 开关速度慢 | 检查外部栅极电阻设置 |

    7. 总结和推荐


    总体来看,ITA12N65R 是一款高性能且可靠的 N-Channel MOSFET,尤其适用于需要高效能开关特性的应用场景。其易用性和稳定性使其成为市场上的强有力竞争者。因此,对于寻找高性能、低成本替代品的工程师来说,这是一个值得推荐的选择。

ITA12N65R参数

参数
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-220F

ITA12N65R厂商介绍

CR Micro是一家全球领先的半导体公司,专注于研发和生产高性能的半导体产品。公司主营产品包括微控制器、模拟芯片和传感器等,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子、医疗设备等多个领域。

CR Micro的优势在于其强大的研发实力和丰富的产品线。公司拥有一支由行业专家组成的研发团队,不断推出创新的半导体解决方案,满足客户多样化的需求。此外,CR Micro还拥有完善的供应链体系和严格的质量控制流程,确保产品的高性能和可靠性。

总之,CR Micro凭借其卓越的产品品质和专业的服务,赢得了全球客户的信赖和支持,成为半导体行业的佼佼者。

ITA12N65R数据手册

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ITA12N65R封装设计

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