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OSG70R750DF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: OSG70R750DF TO252
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
ORIENTAL/苏州东微半导体 场效应管(MOSFET) OSG70R750DF

OSG70R750DF概述

    # OSG70R750DF N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    OSG70R750DF 是一款来自东方半导体的高电压 N 沟道增强型功率 MOSFET,其采用了电荷平衡技术,以实现低导通电阻(RDS(ON))和较低的栅极电荷(Qg)。该器件专为高效率设计,特别适用于电力密度要求高的应用场景,如 PC 电源、LED 照明、通信电源、服务器电源、电动汽车充电器以及太阳能和不间断电源系统。

    技术参数


    极限参数
    - 最大漏源电压(VDS):700V
    - 栅源电压(VGS):±30V
    - 持续漏电流(TC=25°C):7A
    - 脉冲漏电流(TC=25°C):21A
    - 持续二极管正向电流(TC=25°C):7A
    - 二极管脉冲电流(TC=25°C):21A
    - 功率耗散(TC=25°C):63W
    - 单次脉冲雪崩能量(EAS):190mJ
    - MOSFET dv/dt 鲁棒性:50V/ns
    - 反向二极管 dv/dt:15V/ns
    - 工作和存储温度范围(Tstg, Tj):-55至150°C
    热阻抗参数
    - 结壳热阻(RθJC):2°C/W
    - 结点到环境热阻(RθJA):62°C/W
    电气特性
    - 漏源击穿电压(BVDSS):≥700V,VGS=0V,ID=250μA;最高可达810V,VGS=0V,ID=250μA,Tj=150°C
    - 栅阈值电压(VGS(th)):2.0~4.0V,VDS=VGS,ID=250μA
    - 漏源导通电阻(RDS(ON)):典型值为0.75Ω,VGS=10V,ID=4A;最大值为1.8Ω,VGS=10V,ID=4A,Tj=150°C
    - 栅源泄漏电流(IGSS):100nA,VGS=30V;-100nA,VGS=-30V
    - 漏源泄漏电流(IDSS):1μA,VDS=700V,VGS=0V
    动态特性
    - 输入电容(Ciss):459pF,VGS=0V,VDS=50V,f=1MHz
    - 输出电容(Coss):33.8pF
    - 反向传输电容(Crss):1.44pF
    - 开启延迟时间(td(on)):17ns,VGS=10V,VDS=400V,RG=25Ω,ID=4A
    - 上升时间(tr):10.1ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):28.9ns
    - 下降时间(tf):23.6ns
    门电荷特性
    - 总门电荷(Qg):9.2nC,VGS=10V,VDS=400V,ID=4A
    - 门源电荷(Qgs):2.4nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd):3.5nC
    - 门极平台电压(Vplateau):5.6V
    体二极管特性
    - 二极管正向电压(VSD):1.3V,IS=4A,VGS=0V
    - 反向恢复时间(trr):212ns,VR=400V,IS=4A,di/dt=100A/μs
    - 反向恢复电荷(Qrr):1.7μC
    - 峰值反向恢复电流(Irrm):14.2A

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:具有出色的低 RDS(ON),有助于减少导通损耗。
    - 极低的开关损耗:极低的 Qg 和优秀的开关特性,进一步降低总能耗。
    - 稳定性好:在各种温度条件下均能保持良好的性能稳定性和一致性。
    - 高效率:适合高功率密度应用,满足最高效率标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - PC 电源:通过降低开关损耗和导通损耗,显著提高转换效率。
    - LED 照明:用于驱动高亮度 LED,提高灯具的可靠性和寿命。
    - 电信电源:提供高效稳定的电源供应,延长设备使用寿命。
    - 服务器电源:在数据中心等高功率需求环境中,降低能耗和发热。
    - 电动汽车充电器:提高充电速度,降低热损耗。
    - 太阳能/不间断电源:增强系统的能量利用率和可靠性。
    使用建议
    - 散热管理:确保良好的散热条件,以避免热失控现象。
    - 电路布局:合理布线,减小寄生电感和电容的影响。
    - 测试验证:在实际应用前,进行充分的测试和验证,确保性能达标。

    兼容性和支持


    - 兼容性:OSG70R750DF 与多种电路和系统兼容,易于集成。
    - 支持:东方半导体提供全面的技术支持和售后服务,包括在线文档、样片申请和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 如何选择合适的栅极电阻?
    - 解答:根据具体应用的开关频率和驱动能力来选择,通常栅极电阻值在10-50Ω之间。

    2. 为何在高温下导通电阻会增加?
    - 解答:高温会导致载流子迁移率下降,从而增加导通电阻。可以通过改善散热条件来缓解这一问题。

    3. 如何降低开关损耗?
    - 解答:通过优化门极驱动信号,选择合适的栅极电阻和电容,以及使用低Qg的MOSFET来降低开关损耗。

    总结和推荐


    综合评估
    OSG70R750DF 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,具备出色的低导通电阻、极低的开关损耗和优秀的稳定性,非常适合于高功率密度和高效率的应用场景。其广泛的适用性和良好的技术支持使其在市场上具有较强的竞争力。
    推荐
    基于上述优势,强烈推荐 OSG70R750DF 用于需要高效、可靠电源解决方案的各类应用场合。

OSG70R750DF参数

参数
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 TO-252

OSG70R750DF厂商介绍

Oriental公司是一家领先的精密工程和制造企业,专注于为客户提供高质量的产品和服务。公司主营产品包括精密机械零件、自动化设备组件、模具和工具等,这些产品广泛应用于汽车、****、医疗设备、电子和消费品等多个领域。

Oriental公司的产品分类主要包括:
1. 精密机械零件:涵盖各种高精度、高复杂度的机械部件,用于提高机械设备的性能和可靠性。
2. 自动化设备组件:为自动化生产线提供关键部件,如驱动器、传感器和控制系统等。
3. 模具和工具:包括用于塑料、金属和其他材料成型的模具,以及用于制造和维修的工具。

Oriental公司的优势在于:
- 技术创新:持续投入研发,采用先进的制造技术和材料,以保持产品的技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的一致性和可靠性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案,满足特定应用的需求。
- 快速响应:灵活的生产和供应链管理,能够快速响应市场变化和客户需求。

Oriental公司致力于通过其高质量的产品和服务,为客户创造价值,并推动相关行业的技术进步。

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OSG70R750DF封装设计

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