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OSG60R108KZF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: OSG60R108KZF TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
ORIENTAL/苏州东微半导体 场效应管(MOSFET) OSG60R108KZF

OSG60R108KZF概述

    # OSG60R108KZF 增强型N沟道功率MOSFET 技术手册

    产品简介


    产品名称: OSG60R108KZF
    产品类型: 增强型N沟道功率MOSFET
    制造商: Oriental Semiconductor
    主要功能: 采用电荷平衡技术,实现了低导通电阻(RDS(ON))和较低栅极电荷。具有出色的开关性能和坚固的雪崩能力。集成快恢复二极管(FRD),可最小化反向恢复时间。
    应用领域: 适用于个人电脑电源、电信电源、服务器电源、电动汽车充电器和电机驱动等领域。

    技术参数


    关键性能参数
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最小击穿电压 | 650 | V |
    | 脉冲漏极电流 | 90 | A |
    | 最大导通电阻 | 108 | mΩ |
    | 栅极电荷 | 37.1 | nC |
    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | 600 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±30 | V |
    | 连续漏极电流 (25°C) | ID | 30 | A |
    | 连续漏极电流 (100°C) | ID | 19 | A |
    | 瞬态漏极电流 (25°C) | ID, pulse | 90 | A |
    | 持续二极管正向电流 (25°C) | IS | 30 | A |
    | 二极管脉冲电流 (25°C) | IS, pulse | 90 | A |
    | 功率耗散 (25°C) | PD | 101 | W |
    | 单次脉冲雪崩能量 | EAS | 1000 | mJ |
    | MOSFET dv/dt坚固性 | dv/dt | 50 | V/ns |
    | 反向二极管 dv/dt | dv/dt | 50 | V/ns |
    | 工作和存储温度 | Tstg, Tj | -55 to 150 | °C |
    热特性
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 结壳热阻 | RθJC | 1.24 | °C/W |
    | 结点到环境热阻 | RθJA | 62 | °C/W |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | 600 650 | V | VGS=0 V, ID=1 mA |
    | 栅阈值电压 | VGS(th)| 3 | 4.5 V | VDS=VGS, ID=1 mA |
    | 漏源导通电阻 | RDS(ON)| 0.085 | 0.108 | 0.2 | Ω | VGS=10 V, ID=15 A |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS | 100 -100 | nA | VGS=30 V |
    | 漏源泄漏电流 | IDSS | 10 μA | VDS=600 V, VGS=0 V |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻和优秀的FOM(品质因数):实现了出色的开关性能和低功耗。
    - 超低的开关损耗:提高了系统的整体效率。
    - 高稳定性和均匀性:确保长期运行的可靠性和一致性。
    - 超快速和坚固的体二极管:减少了反向恢复时间,增强了系统的整体性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. PC电源:OSG60R108KZF 在PC电源中可以显著提高转换效率,减少发热。
    2. 电信电源:适用于电信系统中的高效率电源设计,提升系统可靠性。
    3. 服务器电源:提供更高效的电力传输和更高的能效。
    4. 电动汽车充电器:能够在紧凑的设计中提供高性能的充电解决方案。
    5. 电机驱动:适用于高效率的电机控制系统,减少能耗。
    使用建议
    1. 散热管理:在高功率应用中需要有效的散热措施,以防止过热。
    2. 驱动电路设计:确保驱动电路能够正确地控制MOSFET的工作状态,减少开关损耗。
    3. 布局优化:合理的PCB布局可以进一步降低寄生效应,提高系统性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:OSG60R108KZF 可与各种标准电子元器件兼容,便于集成到现有的系统中。
    - 技术支持:Oriental Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够充分利用产品的优势。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何处理MOSFET过热?
    - 解决方案:增加散热片或改进散热设计,确保良好的热流通路径。
    2. 问题:MOSFET的驱动电路应该如何设计?
    - 解决方案:使用合适的驱动器,确保驱动信号的稳定性和快速响应,以减少开关损耗。
    3. 问题:如何避免击穿现象?
    - 解决方案:合理设置工作电压和电流,避免超过器件的最大额定值。

    总结和推荐


    总结:OSG60R108KZF 增强型N沟道功率MOSFET 具有出色的导通电阻、低开关损耗和坚固的雪崩能力。它在多个应用领域中表现出色,特别是在需要高效率和可靠性的场合。
    推荐:鉴于其卓越的性能和广泛的适用范围,强烈推荐在需要高性能MOSFET的应用中使用OSG60R108KZF。

OSG60R108KZF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263

OSG60R108KZF厂商介绍

Oriental公司是一家领先的精密工程和制造企业,专注于为客户提供高质量的产品和服务。公司主营产品包括精密机械零件、自动化设备组件、模具和工具等,这些产品广泛应用于汽车、****、医疗设备、电子和消费品等多个领域。

Oriental公司的产品分类主要包括:
1. 精密机械零件:涵盖各种高精度、高复杂度的机械部件,用于提高机械设备的性能和可靠性。
2. 自动化设备组件:为自动化生产线提供关键部件,如驱动器、传感器和控制系统等。
3. 模具和工具:包括用于塑料、金属和其他材料成型的模具,以及用于制造和维修的工具。

Oriental公司的优势在于:
- 技术创新:持续投入研发,采用先进的制造技术和材料,以保持产品的技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的一致性和可靠性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案,满足特定应用的需求。
- 快速响应:灵活的生产和供应链管理,能够快速响应市场变化和客户需求。

Oriental公司致力于通过其高质量的产品和服务,为客户创造价值,并推动相关行业的技术进步。

OSG60R108KZF数据手册

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OSG60R108KZF封装设计

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