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OSG65R900DEF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: OSG65R900DEF TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
ORIENTAL/苏州东微半导体 场效应管(MOSFET) OSG65R900DEF

OSG65R900DEF概述

    OSG65R900DEF 增强型N沟道功率MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    OSG65R900DEF 是由东方半导体(Oriental Semiconductor)推出的一款增强型N沟道高压功率MOSFET,采用GreenMOS®高电压技术制造,通过电荷平衡技术实现了卓越的低导通电阻(RDS(ON))和较低的门极电荷(Qg)。此产品广泛应用于各类电源系统,具有高效能和稳定性,为绿色能源领域提供了创新解决方案。
    主要功能:
    - 高效率、低损耗的设计。
    - 出色的开关性能及高可靠性。
    应用领域:
    - LED照明
    - 充电器
    - 适配器
    - 电视电源
    - 通信电源
    - 服务器电源
    - 太阳能及UPS电源

    技术参数


    以下是从技术手册中提取的关键参数列表:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 备注 |
    |
    | VDS(漏源击穿电压) | 650 | 700 | 770 | V | 温度为25°C~150°C |
    | ID(连续漏极电流) | - | 5 | - | A | TC=25°C |
    | ID(脉冲漏极电流) | - | 15 | - | A | TC=25°C |
    | RDS(ON)(导通电阻) | 0.8 | 0.9 | 2.3 | Ω | VGS=10V, ID=2.5A, TC=25°C |
    | Qg(总栅极电荷) | 9.0 | 9.0 | 9.0 | nC | VGS=10V, VDS=400V, ID=2.5A |
    | Ciss(输入电容) | 408.0 | - | - | pF | VGS=0V, VDS=50V, f=1MHz |
    | Trr(反向恢复时间) | - | 146.6 | - | ns | VR=400V, IS=2.5A, di/dt=100A/μs |
    | Pd(最大功耗) | 37 | - | - | W | TC=25°C |

    产品特点和优势


    OSG65R900DEF 的主要特点如下:
    1. 低RDS(ON):典型值仅为0.9Ω,确保在高频开关条件下有极低的导通损耗。
    2. 超低开关损耗:总栅极电荷仅为9.0nC,适合高频率应用。
    3. 优越的稳定性和一致性:适用于对可靠性要求较高的场合。
    4. 均衡的EMI性能与效率:GreenMOS® E系列特别针对开关特性的平衡设计,同时满足严格的EMI标准。
    这些特性使得该器件成为现代电源转换器的理想选择,尤其在需要高效率和高性能的场合。

    应用案例和使用建议


    根据手册内容,OSG65R900DEF 在以下场景中表现优异:
    1. LED照明电源:通过低损耗和高效能特性实现长寿命和节能减排。
    使用建议:搭配同步整流设计,进一步降低导通损耗。
    2. 适配器和充电器:用于便携式设备的快速充电解决方案。
    使用建议:结合同步降压电路,提高整体转换效率。
    3. 服务器电源:在高负载下依然保持稳定输出。
    使用建议:利用良好的热管理设计(如加大散热片面积),延长器件使用寿命。
    在具体设计中,需注意合理分配栅极驱动电流和匹配合适的门极电阻以优化开关速度。

    兼容性和支持


    OSG65R900DEF 采用行业标准的TO252封装形式,便于与其他主流电子元件集成。此外,东方半导体提供全面的技术支持服务,包括样品申请、定制化方案开发以及长期供货保障。

    常见问题与解决方案


    以下是常见的使用问题及其解决方法:
    1. 问题:器件发热严重导致过温保护触发。
    解决办法:检查散热片设计是否合理;增加热管或强制风冷装置。
    2. 问题:开启过程中存在高频振荡现象。
    解决办法:适当增大栅极串联电阻以减缓开关速度。
    3. 问题:反向恢复过程中出现尖峰电压。
    解决办法:并联快恢复二极管以吸收反向能量。

    总结和推荐


    综上所述,OSG65R900DEF是一款兼具高效能与可靠性的增强型N沟道功率MOSFET。它在LED照明、适配器、服务器电源等领域展现了出色的性能,尤其是在对EMI要求严格的应用中表现出色。对于追求高性能和低功耗的设计工程师来说,OSG65R900DEF无疑是一个理想的选择。
    推荐指数:★★★★★
    总之,这是一款值得高度评价的产品,适用于多种高性能电子设备的设计需求。

OSG65R900DEF参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 TO-252

OSG65R900DEF厂商介绍

Oriental公司是一家领先的精密工程和制造企业,专注于为客户提供高质量的产品和服务。公司主营产品包括精密机械零件、自动化设备组件、模具和工具等,这些产品广泛应用于汽车、****、医疗设备、电子和消费品等多个领域。

Oriental公司的产品分类主要包括:
1. 精密机械零件:涵盖各种高精度、高复杂度的机械部件,用于提高机械设备的性能和可靠性。
2. 自动化设备组件:为自动化生产线提供关键部件,如驱动器、传感器和控制系统等。
3. 模具和工具:包括用于塑料、金属和其他材料成型的模具,以及用于制造和维修的工具。

Oriental公司的优势在于:
- 技术创新:持续投入研发,采用先进的制造技术和材料,以保持产品的技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的一致性和可靠性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案,满足特定应用的需求。
- 快速响应:灵活的生产和供应链管理,能够快速响应市场变化和客户需求。

Oriental公司致力于通过其高质量的产品和服务,为客户创造价值,并推动相关行业的技术进步。

OSG65R900DEF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ORIENTAL/苏州东微半导体 场效应管(MOSFET) ORIENTAL/苏州东微半导体 OSG65R900DEF OSG65R900DEF数据手册

OSG65R900DEF封装设计

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