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OSG65R900DTF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: OSG65R900DTF
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
ORIENTAL/苏州东微半导体 场效应管(MOSFET) OSG65R900DTF

OSG65R900DTF概述

    # OSG65R900DTF N-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    OSG65R900DTF 是一种高性能的增强模式N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。由东方半导体(Oriental Semiconductor)制造,广泛应用于各类电源管理、LED照明、通信、服务器、电动汽车充电站及太阳能逆变器等领域。其采用了GreenMOS®高电压技术,通过电荷平衡技术实现了低导通电阻和低栅极电荷,以提供出色的开关性能和鲁棒的雪崩能力。

    技术参数


    关键性能参数
    - 最小VDS(Tj,max): 700 V
    - 脉冲ID: 13.5 A
    - 最大RDS(ON)(VGS=10V): 900 mΩ
    - Qg: 7.1 nC
    绝对最大额定值
    - VDS: 650 V
    - VGS: ±30 V
    - 连续ID(TC=25 °C): 4.5 A
    - 连续ID(TC=100 °C): 2.8 A
    - 脉冲ID(TC=25 °C): 13.5 A
    - 连续正向电流(TC=25 °C): 4.5 A
    - 正向脉冲电流(TC=25 °C): 13.5 A
    - 功率耗散(TC=25 °C): 32 W
    - 单脉冲雪崩能量:50 mJ
    - MOSFET dv/dt稳健性:50 V/ns
    - 反向二极管dv/dt稳健性:15 V/ns
    - 工作和存储温度范围:-55 至 150 °C
    热特性
    - 结温-壳体热阻:3.9 °C/W
    - 结温-环境热阻:62 °C/W
    电气特性
    - BVDSS(VGS=0 V,ID=250 μA): 650 V
    - 阈值电压(VGS=VDS,ID=250 μA): 2.9-3.9 V
    - 导通电阻(VGS=10 V,ID=2 A): 0.75-1.75 Ω
    - 栅源漏电流(VGS=30 V): 100 nA
    - 栅源漏电流(VDS=650 V,VGS=0 V): 1 μA
    动态特性
    - 输入电容(VGS=0 V,VDS=50 V,ƒ=100 kHz): 324.1 pF
    - 输出电容:30.1 pF
    - 反向转移电容:1.6 pF
    - 开启延迟时间(VGS=10 V,VDS=400 V,RG=2 Ω,ID=2 A): 22.8 ns
    - 上升时间:11.5 ns
    - 关闭延迟时间:48.7 ns
    - 下降时间:14.9 ns
    门电荷特性
    - 总门电荷(VGS=10 V,VDS=400 V,ID=2 A): 7.1 nC
    - 栅源电荷:1.5 nC
    - 栅漏电荷:3.5 nC
    - 门平台电压:5.8 V
    体二极管特性
    - 二极管正向电压(IS=4.5 A,VGS=0 V): 1.3 V
    - 反向恢复时间(VR=400 V,IS=2 A,di/dt=100 A/μs): 147 ns
    - 反向恢复电荷:0.92 μC
    - 峰值反向恢复电流:12.4 A

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(ON)):OSG65R900DTF 的低导通电阻使其在开关过程中产生更少的能量损耗。
    2. 极低的开关损耗:结合低导通电阻和优化的栅极电荷,实现了卓越的开关性能。
    3. 出色的稳定性和一致性:确保了长期使用中的性能稳定。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. PC电源:利用其低损耗特性,有效提升电源转换效率。
    2. LED照明:高效的能量转换使LED灯具有更长的寿命。
    3. 电信电源:在高压环境下表现出色,满足高可靠性要求。
    4. 太阳能逆变器:高效的能量转换和可靠的运行使其成为太阳能系统的重要组成部分。
    使用建议
    1. 在使用时应确保电路设计符合器件的绝对最大额定值,特别是在高温条件下要特别注意散热。
    2. 为保证最佳性能,在选择驱动电路时应考虑到门电荷和开关速度的要求。
    3. 为了延长使用寿命,建议采用良好的热管理和保护措施。

    兼容性和支持


    - 兼容性:OSG65R900DTF 与大多数标准TO252封装兼容。
    - 支持和维护:东方半导体提供详细的技术文档和客户支持服务,可通过其官方网站(www.orientalsemi.com)获取更多信息和技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何处理过高的结温?
    - 解决方法:增加散热器面积或改进散热设计,确保工作环境温度低于最大允许温度。
    2. 问:为什么门电荷高会影响开关性能?
    - 解决方法:选用低门电荷的MOSFET以提高开关速度并减少能耗。
    3. 问:如何应对雪崩情况?
    - 解决方法:确保电路设计中有足够的瞬态保护措施,避免损坏器件。

    总结和推荐


    OSG65R900DTF 在性能和可靠性方面均表现出色,适合多种高效率、高压应用。其独特的低导通电阻和极低的开关损耗特性使其在电源管理、LED照明等领域中具备显著的优势。如果需要一个高效、可靠且适用广泛的功率MOSFET,我们强烈推荐OSG65R900DTF。

OSG65R900DTF参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-252-2

OSG65R900DTF厂商介绍

Oriental公司是一家领先的精密工程和制造企业,专注于为客户提供高质量的产品和服务。公司主营产品包括精密机械零件、自动化设备组件、模具和工具等,这些产品广泛应用于汽车、****、医疗设备、电子和消费品等多个领域。

Oriental公司的产品分类主要包括:
1. 精密机械零件:涵盖各种高精度、高复杂度的机械部件,用于提高机械设备的性能和可靠性。
2. 自动化设备组件:为自动化生产线提供关键部件,如驱动器、传感器和控制系统等。
3. 模具和工具:包括用于塑料、金属和其他材料成型的模具,以及用于制造和维修的工具。

Oriental公司的优势在于:
- 技术创新:持续投入研发,采用先进的制造技术和材料,以保持产品的技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的一致性和可靠性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案,满足特定应用的需求。
- 快速响应:灵活的生产和供应链管理,能够快速响应市场变化和客户需求。

Oriental公司致力于通过其高质量的产品和服务,为客户创造价值,并推动相关行业的技术进步。

OSG65R900DTF数据手册

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ORIENTAL/苏州东微半导体 场效应管(MOSFET) ORIENTAL/苏州东微半导体 OSG65R900DTF OSG65R900DTF数据手册

OSG65R900DTF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 0.996
5000+ ¥ 0.979
7500+ ¥ 0.955
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起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
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