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AS4C64M16D3LA-12BCN

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: ALLIANCE MEMORY
产品描述: 1Gb (64M x 16) 64 M x 16 1.283V 134mA 1.45V 800MHz Parallel 16bit FBGA-96 贴片安装
供应商型号: 1450-1370-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ALLIANCE MEMORY 动态随机存储器(DRAM) AS4C64M16D3LA-12BCN

AS4C64M16D3LA-12BCN概述


    产品简介


    AS4C64M16D3LA-12BIN 和 AS4C64M16D3LA-12BCN
    AS4C64M16D3LA-12BIN 和 AS4C64M16D3LA-12BCN 是 Alliance Memory 公司生产的 DDR3L(Double-Data-Rate-3 Low Voltage)DRAM 芯片。该产品系列采用8n位预取架构,旨在实现高速操作,能够达到高达1600Mb/s的单引脚传输速率。这些同步设备配置为八个内部银行,适合并发操作,使其成为需要高性能存储器的应用的理想选择。

    技术参数


    - 容量:64M x 16
    - 工作电压:VDD 和 VDDQ = +1.35V (兼容+1.5V±0.075V)
    - 温度范围:商业级(0°C至95°C),工业级(-40°C至95°C)
    - 时钟频率:800 MHz
    - 延迟时间(CL):11
    - 行地址冲脉冲(tRCD):13.75 ns
    - 行预充电时延(tRP):13.75 ns
    - 封装:96球 FBGA 封装
    - 数据带宽:最大1600 Mbps
    - 预充电周期:8192/64ms
    - 刷新周期:3.9 μs@85°C 至 95°C,7.8 μs@-40°C 至 85°C

    产品特点和优势


    - 兼容性:完全符合JEDEC标准,并兼容1.5V电源系统。
    - 高性能:能够支持高达800 MHz的时钟速率,提供极高的数据传输速度。
    - 低功耗:通过支持多种省电模式(如主动待机和自刷新模式)降低能耗。
    - 高级功能:包括写入校准、ZQ校准、动态ODT(终端电阻)等特性,增强了系统的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和数据中心:由于其高数据带宽和低功耗特性,适用于服务器和数据中心的高性能计算。
    - 网络通信设备:在网络交换机和路由器中,这种高速度和低延迟的内存芯片可以显著提升数据处理效率。
    - 消费电子:在高端智能手机和平板电脑中,能提供流畅的操作体验。
    使用建议:
    - 在进行大规模数据读写操作时,建议使用固定长度的突发模式以提高传输效率。
    - 针对极端环境(如工业应用),应确保在启动和复位过程中严格遵守电压变化要求,以避免因瞬态电压波动导致的数据错误。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与现有的大多数DDR3L接口兼容,可用于现有系统升级或新设计。
    - 支持与维护:制造商提供全面的技术文档和在线支持,方便开发者进行集成和调试。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:芯片无法正常启动。
    - 解决办法:检查电源供应是否符合规格要求,确保所有输入信号正确初始化。
    2. 问题:数据传输错误频繁。
    - 解决办法:检查电路连接是否稳固,确认信号完整性无误;若使用动态ODT,确保设置合理。
    3. 问题:刷新频率异常。
    - 解决办法:检查刷新控制寄存器的设置,确保没有因过度刷新而导致的错误。

    总结和推荐


    AS4C64M16D3LA-12BIN 和 AS4C64M16D3LA-12BCN 的性能和功能使其成为高性能计算、网络通信及消费电子产品中的理想选择。其先进的技术特性、广泛的适用性和优秀的技术支持使其在市场上具有强大的竞争力。因此,我强烈推荐这款产品用于需要高数据传输率和低功耗的应用场景。

AS4C64M16D3LA-12BCN参数

参数
数据总线宽度 16bit
接口类型 Parallel
存储容量 1Gb (64M x 16)
最大供电电流 134mA
最大时钟频率 800MHz
最大工作供电电压 1.45V
最小工作供电电压 1.283V
组织 64 M x 16
通用封装 FBGA-96
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 托盘

AS4C64M16D3LA-12BCN厂商介绍

Alliance Memory是一家专注于提供广泛的半导体存储解决方案的公司,其产品包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、闪存(Flash)和可擦写可编程只读存储器(EPROM)。这些产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、医疗设备、通信设备和计算机等领域。

Alliance Memory的产品分类主要包括:
1. SRAM:提供高速、低功耗的存储解决方案,适用于需要快速数据访问的应用。
2. DRAM:提供大容量存储,适用于需要存储大量数据的应用。
3. Flash:提供非易失性存储,适用于需要在断电后保持数据的应用。
4. EPROM:提供可擦写可编程存储,适用于需要频繁更新数据的应用。

Alliance Memory的优势在于:
1. 丰富的产品线:提供多种类型的存储解决方案,满足不同客户的需求。
2. 高性能:产品具有高速、低功耗、高可靠性等特点。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化的存储解决方案。
4. 技术支持:提供专业的技术支持,帮助客户解决技术问题。

AS4C64M16D3LA-12BCN数据手册

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ALLIANCE MEMORY 动态随机存储器(DRAM) ALLIANCE MEMORY AS4C64M16D3LA-12BCN AS4C64M16D3LA-12BCN数据手册

AS4C64M16D3LA-12BCN封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 5.292 ¥ 44.7174
10+ $ 4.629 ¥ 38.3632
25+ $ 4.5286 ¥ 37.5306
50+ $ 4.5032 ¥ 37.3203
100+ $ 4.0386 ¥ 33.4702
250+ $ 4.0236 ¥ 33.3455
500+ $ 3.8754 ¥ 32.1173
1000+ $ 3.6845 ¥ 30.5355
库存: 83
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