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MT41K512M16HA-125:A

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: ALLIANCE MEMORY
产品描述: 1GB 512 M x 16 1.283V 88mA 1.45V 800MHz Parallel 16bit FBGA-96 贴片安装
供应商型号: CGC-MT41K512M16HA-125:A
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ALLIANCE MEMORY 动态随机存储器(DRAM) MT41K512M16HA-125:A

MT41K512M16HA-125:A概述

    DDR3L SDRAM 技术手册概述
    本文将详细介绍Micron公司的DDR3L SDRAM,包括其基本功能、技术参数、产品特点及优势、应用案例和使用建议、兼容性与支持以及常见问题解答等内容。希望通过本文,读者能够对这款产品有全面的理解,并了解其在实际应用中的价值。

    1. 产品简介


    DDR3L SDRAM是一种低电压版本的DDR3 SDRAM,具有更低的工作电压(1.35V),相比标准DDR3 SDRAM(1.5V)可显著降低功耗。该系列提供多种配置,如MT41K2G4、MT41K1G8和MT41K512M16,分别对应2GB x 4、1GB x 8和512MB x 16的不同存储容量。
    主要功能包括:
    - 8n位预取架构
    - 可编程的读取延迟(CL)
    - 可编程的写入延迟(CWL)
    - 自动自刷新模式
    - 输出驱动校准

    2. 技术参数


    以下是DDR3L SDRAM的一些关键技术参数:
    | 参数 | 描述 |

    | 工作电压 | VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V) |
    | 预取架构 | 8n-bit |
    | 输入时钟 | 差分时钟输入(CK, CK#) |
    | 操作温度 | 商业级:0°C ~ +95°C
    工业级:-40°C ~ +95°C |
    | 存储容量 | MT41K2G4: 2GB x 4
    MT41K1G8: 1GB x 8
    MT41K512M16: 512MB x 16 |

    3. 产品特点和优势


    DDR3L SDRAM的主要优势包括:
    - 低电压设计,减少功耗
    - 兼容1.5V标准,适合多种应用环境
    - 高速数据传输能力(最高可达1866MT/s)
    - 支持动态和静态终端电阻调整
    - 自动化功能,如自刷新和输出驱动校准

    4. 应用案例和使用建议


    DDR3L SDRAM适用于各种高性能计算系统,如服务器、工作站和高端消费电子设备。根据不同的应用需求,可以选择不同配置的产品。例如,在服务器存储系统中,MT41K2G4由于其较大的存储容量非常适合。而对于便携式设备,MT41K512M16则更为合适,因为它在功耗控制上更加出色。
    使用建议:
    - 在使用过程中,确保时序匹配以避免信号完整性问题。
    - 根据具体的应用环境选择合适的温度范围。
    - 在初始化过程中正确配置模式寄存器,以优化性能。

    5. 兼容性和支持


    该产品支持多种封装选项,包括FBGA封装(78球或96球)。为了方便集成,Micron提供了详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够顺利地将其应用于设计中。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问:在何种温度范围内该产品可以正常工作?
    - 答:商业级产品的工作温度范围为0°C至+95°C,而工业级产品的工作温度范围则为-40°C至+95°C。

    - 问:如何选择正确的速度等级?
    - 答:选择速度等级时,应考虑具体应用的需求。一般来说,更高的速度等级意味着更快的数据传输速率,但也可能导致更多的信号完整性问题。

    7. 总结和推荐


    DDR3L SDRAM凭借其低功耗、高性能和广泛的应用范围,在众多高性能计算系统中表现出色。它不仅适用于服务器、工作站,还广泛用于高端消费电子设备。总体而言,这是一款非常可靠且灵活的产品,强烈推荐给需要高性能内存解决方案的设计者和工程师们。

MT41K512M16HA-125:A参数

参数
接口类型 Parallel
存储容量 1GB
最大供电电流 88mA
最大时钟频率 800MHz
最大工作供电电压 1.45V
最小工作供电电压 1.283V
组织 512 M x 16
数据总线宽度 16bit
通用封装 FBGA-96
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 托盘

MT41K512M16HA-125:A厂商介绍

Alliance Memory是一家专注于提供广泛的半导体存储解决方案的公司,其产品包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、闪存(Flash)和可擦写可编程只读存储器(EPROM)。这些产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、医疗设备、通信设备和计算机等领域。

Alliance Memory的产品分类主要包括:
1. SRAM:提供高速、低功耗的存储解决方案,适用于需要快速数据访问的应用。
2. DRAM:提供大容量存储,适用于需要存储大量数据的应用。
3. Flash:提供非易失性存储,适用于需要在断电后保持数据的应用。
4. EPROM:提供可擦写可编程存储,适用于需要频繁更新数据的应用。

Alliance Memory的优势在于:
1. 丰富的产品线:提供多种类型的存储解决方案,满足不同客户的需求。
2. 高性能:产品具有高速、低功耗、高可靠性等特点。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化的存储解决方案。
4. 技术支持:提供专业的技术支持,帮助客户解决技术问题。

MT41K512M16HA-125:A数据手册

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ALLIANCE MEMORY 动态随机存储器(DRAM) ALLIANCE MEMORY MT41K512M16HA-125:A MT41K512M16HA-125:A数据手册

MT41K512M16HA-125:A封装设计

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