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AS4C512M8D3-12BCN

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: ALLIANCE MEMORY
产品描述: 4Gb (512M x 8) 512Mx8 1.425V 187mA 1.575V 800MHz Parallel 8bit BGA 贴片安装
供应商型号: 1450-1106-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ALLIANCE MEMORY 动态随机存储器(DRAM) AS4C512M8D3-12BCN

AS4C512M8D3-12BCN参数

参数
数据总线宽度 8bit
接口类型 Parallel
存储容量 4Gb (512M x 8)
最大供电电流 187mA
最大时钟频率 800MHz
最大工作供电电压 1.575V
最小工作供电电压 1.425V
组织 512Mx8
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 托盘

AS4C512M8D3-12BCN厂商介绍

Alliance Memory是一家专注于提供广泛的半导体存储解决方案的公司,其产品包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、闪存(Flash)和可擦写可编程只读存储器(EPROM)。这些产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、医疗设备、通信设备和计算机等领域。

Alliance Memory的产品分类主要包括:
1. SRAM:提供高速、低功耗的存储解决方案,适用于需要快速数据访问的应用。
2. DRAM:提供大容量存储,适用于需要存储大量数据的应用。
3. Flash:提供非易失性存储,适用于需要在断电后保持数据的应用。
4. EPROM:提供可擦写可编程存储,适用于需要频繁更新数据的应用。

Alliance Memory的优势在于:
1. 丰富的产品线:提供多种类型的存储解决方案,满足不同客户的需求。
2. 高性能:产品具有高速、低功耗、高可靠性等特点。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化的存储解决方案。
4. 技术支持:提供专业的技术支持,帮助客户解决技术问题。

AS4C512M8D3-12BCN数据手册

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ALLIANCE MEMORY 动态随机存储器(DRAM) ALLIANCE MEMORY AS4C512M8D3-12BCN AS4C512M8D3-12BCN数据手册

AS4C512M8D3-12BCN封装设计

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