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AS7C256A-20TINTR

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
厂牌: ALLIANCE MEMORY
产品描述: 256Kb (32K x 8) 32 k x 8 4.5V 60mA 5.5V Parallel TSOP-28 贴片安装,黏合安装
供应商型号: ZT-AS7C256A-20TINTR
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ALLIANCE MEMORY 静态随机存储器(SRAM) AS7C256A-20TINTR

AS7C256A-20TINTR概述

    AS7C256A 5V 32K x 8 CMOS SRAM 技术手册

    1. 产品简介


    AS7C256A 是一款由 Alliance Semiconductor 生产的高性能 5V CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)。它被组织为 32,768 个字 × 8 位的数据结构,适用于需要快速数据访问的应用,如 Pentium 和 PowerPC 系列处理器的内存应用,以及便携式计算设备。这款 SRAM 设备具有高速访问和低功耗的特点,非常适合高负载应用环境。

    2. 技术参数


    - 基本特性:
    - 兼容 AS7C256,支持工业和商业温度选项。
    - 数据组织:32,768 字 × 8 位。
    - 高速访问时间:地址访问时间为 10/12/15/20 ns,输出使能时间为 5/6/7/8 ns。
    - 低功耗:活跃模式下最大功耗为 412.5 mW(@ 10 ns),待机模式下最大功耗为 11 mW。

    - 接口特性:
    - 三态输入输出,兼容 TTL 电平。
    - 支持片选(CE)和输出使能(OE)控制,便于内存扩展。
    - 采用标准封装:28 引脚 SOJ 和 28 引脚 TSOP1。
    - 电气特性:
    - 工作电压:4.5V 到 5.5V。
    - 输入电压范围:低电平为 -0.5V 到 0.8V,高电平为 2.2V 到 VCC + 0.5V。
    - 输出电平:低电平为 -0.4V,高电平为 2.4V。
    - 输出泄漏电流:最大为 1 μA。
    - 工作电源电流:在最高频率时最大为 75 mA(CE 低),待机模式下最大为 2 mA。
    - 功耗:待机模式下最大为 1.0W。

    3. 产品特点和优势


    - 高速访问:具备多种速度等级,适应不同应用需求。
    - 低功耗:提供出色的活跃和待机模式下的功率效率。
    - 易用性:通过片选和输出使能输入简化内存扩展,兼容 TTL 电平。
    - 可靠性:ESD 保护达 2000V,确保长期可靠运行。
    - 兼容性:可选择不同封装和温度选项,满足多样化的应用需求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于 Pentium 和 PowerPC 处理器系统、便携式计算设备以及其他需要高速 SRAM 的场合。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,建议连接一个上拉电阻到 VCC 来确保在 VCC 供电启动时达到规定的待机电流。此外,在设计时应考虑输入脉冲的上升时间和下降时间不超过 2 ns,以保证信号的稳定性和准确性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与现有的 28 引脚 SOJ 和 TSOP1 封装标准兼容。
    - 支持:制造商提供了详细的技术文档和支持服务,包括订购信息和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:功耗过大。
    - 解决方法:检查是否正确配置 CE 和 OE 输入,确保芯片在不需要时进入待机模式。
    - 问题:读写错误。
    - 解决方法:确保在写入操作期间正确配置 CE 和 WE,读取操作期间正确配置 CE 和 OE。
    - 问题:输入输出不稳定。
    - 解决方法:检查电源电压是否在 4.5V 至 5.5V 之间,输入信号电平是否在规范范围内。

    7. 总结和推荐


    AS7C256A 在高速 SRAM 领域表现出色,具备低功耗、高可靠性和易用性。适合于需要高速数据访问的应用场景。强烈推荐用于 Pentium、PowerPC 和其他高性能计算平台,以确保最佳性能和稳定性。

AS7C256A-20TINTR参数

参数
组织 32 k x 8
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 256Kb (32K x 8)
最大供电电流 60mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 5.5V
最小工作供电电压 4.5V
通用封装 TSOP-28
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

AS7C256A-20TINTR厂商介绍

Alliance Memory是一家专注于提供广泛的半导体存储解决方案的公司,其产品包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、闪存(Flash)和可擦写可编程只读存储器(EPROM)。这些产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、医疗设备、通信设备和计算机等领域。

Alliance Memory的产品分类主要包括:
1. SRAM:提供高速、低功耗的存储解决方案,适用于需要快速数据访问的应用。
2. DRAM:提供大容量存储,适用于需要存储大量数据的应用。
3. Flash:提供非易失性存储,适用于需要在断电后保持数据的应用。
4. EPROM:提供可擦写可编程存储,适用于需要频繁更新数据的应用。

Alliance Memory的优势在于:
1. 丰富的产品线:提供多种类型的存储解决方案,满足不同客户的需求。
2. 高性能:产品具有高速、低功耗、高可靠性等特点。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化的存储解决方案。
4. 技术支持:提供专业的技术支持,帮助客户解决技术问题。

AS7C256A-20TINTR数据手册

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