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AS7C1026B-10TC N

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
厂牌: ALLIANCE MEMORY
产品描述: 1Mb (64K x 16) 64 k x 16 4.5V 110mA 5.5V Parallel SOP 贴片安装
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ALLIANCE MEMORY 静态随机存储器(SRAM) AS7C1026B-10TC N

AS7C1026B-10TC N概述

    AS7C1026B 5V 64K X 16 CMOS SRAM 技术手册

    产品简介


    AS7C1026B 是一款高性能的 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM),由 Alliance Semiconductor 生产。该产品采用 64K x 16 位的组织结构,适合需要高速数据访问、低功耗及简单接口的应用场景。它的主要应用领域包括工业和商业版本,适用于内存扩展和其他多种场合。

    技术参数


    AS7C1026B 的主要技术规格如下:
    - 地址访问时间(tAA):10/12/15/20 ns
    - 输出使能访问时间(tOE):5/6/7/8 ns
    - 最大操作电流(ICC):110/100/90/80 mA
    - 最大静态功耗电流(ISB):55 mW(最大值)
    - 工作电压范围(VCC):4.5V 到 5.5V
    - 输入电压范围(VIH/VIL):0.8V 到 VCC + 0.5V
    - 工作温度范围:
    - 商业级:0°C 至 70°C
    - 工业级:-40°C 至 85°C
    - 封装:44-pin SOJ (400 mil) 或 44-pin TSOP 2-400

    产品特点和优势


    1. 低功耗:无论是活跃状态还是待机状态,AS7C1026B 都能提供出色的低功耗特性。
    2. 高速性能:具有极快的地址访问时间和输出使能时间,非常适合高要求的应用。
    3. 易扩展性:通过 CE 和 OE 输入引脚,易于进行内存扩展。
    4. 可靠性高:具备 ESD 保护(≥2000V),能够在恶劣环境下稳定运行。
    5. 行业标准封装:采用通用行业标准封装,便于集成到各种电路设计中。

    应用案例和使用建议


    - 工业自动化:可用于控制面板、机器视觉系统等需要高性能存储器的场合。
    - 通信设备:适合作为高速缓冲存储器,提高数据处理效率。
    - 消费电子产品:例如智能手机、平板电脑等需要快速响应的数据存储器。
    使用建议:
    - 在写入数据时,确保 CE 和 WE 信号正确配置以避免数据错误。
    - 适当使用输出使能信号(OE)可以有效降低功耗并减少数据冲突风险。
    - 针对不同的应用场景,选择合适的温度等级版本(商业级或工业级)。

    兼容性和支持


    - AS7C1026B 采用 JEDC 标准封装,可与其他常用封装形式的产品兼容。
    - Alliance Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线技术咨询和故障排除指南。

    常见问题与解决方案


    - 问题:无法正常读取数据
    - 解决方案:检查 CE 和 OE 信号是否正确配置,确保所有输入信号符合规格要求。
    - 问题:功耗过高
    - 解决方案:确认系统中所有输入信号稳定,尽量减少信号波动;同时优化电源管理策略。
    - 问题:温度过高
    - 解决方案:选用适合的温度等级版本,并采取散热措施,如加装散热片或风扇。

    总结和推荐


    总体而言,AS7C1026B 是一款优秀的高性能 CMOS SRAM 产品,具备出色的低功耗、高速度和易扩展特性。它不仅适用于广泛的工业和商业应用场景,而且可靠性高、支持全面。对于需要高效数据存储和处理的应用,我们强烈推荐使用 AS7C1026B。

AS7C1026B-10TC N参数

参数
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 1Mb (64K x 16)
最大供电电流 110mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 5.5V
最小工作供电电压 4.5V
组织 64 k x 16
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 托盘

AS7C1026B-10TC N厂商介绍

Alliance Memory是一家专注于提供广泛的半导体存储解决方案的公司,其产品包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、闪存(Flash)和可擦写可编程只读存储器(EPROM)。这些产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、医疗设备、通信设备和计算机等领域。

Alliance Memory的产品分类主要包括:
1. SRAM:提供高速、低功耗的存储解决方案,适用于需要快速数据访问的应用。
2. DRAM:提供大容量存储,适用于需要存储大量数据的应用。
3. Flash:提供非易失性存储,适用于需要在断电后保持数据的应用。
4. EPROM:提供可擦写可编程存储,适用于需要频繁更新数据的应用。

Alliance Memory的优势在于:
1. 丰富的产品线:提供多种类型的存储解决方案,满足不同客户的需求。
2. 高性能:产品具有高速、低功耗、高可靠性等特点。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化的存储解决方案。
4. 技术支持:提供专业的技术支持,帮助客户解决技术问题。

AS7C1026B-10TC N数据手册

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ALLIANCE MEMORY 静态随机存储器(SRAM) ALLIANCE MEMORY AS7C1026B-10TC N AS7C1026B-10TC N数据手册

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