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AS4C128M8D2A-25BINTR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: ALLIANCE MEMORY
产品描述: 1Gb (128M x 8) 1.7V 1.9V 400MHz Parallel 贴片安装,黏合安装
供应商型号: FA-AS4C128M8D2A-25BINTR
供应商: Avnet
标准整包数: 2000
ALLIANCE MEMORY 动态随机存储器(DRAM) AS4C128M8D2A-25BINTR

AS4C128M8D2A-25BINTR概述


    产品简介


    基本介绍
    产品名称: AS4C128M8D2A
    产品类型: 128M x 8位 DDR2 SDRAM
    主要功能: AS4C128M8D2A是一款高性能CMOS双倍速率第二代(DDR2)同步动态随机存取存储器(SDRAM),具有1024 Mbit的容量和8位宽的数据输入输出(DIO)。该设备内部配置为一个8个银行的DRAM,每银行包含16 Mb的地址空间和8位的I/O端口。
    应用领域:
    - 商用环境:商业计算机系统
    - 工业环境:工业自动化控制、通信系统、存储系统

    技术参数


    主要

    技术参数


    - 数据传输速率: 400 MHz
    - 电源电压: VDD & VDDQ = +1.8V ± 0.1V
    - 输入时钟: 支持JEDEC标准时钟抖动规范,双极差分时钟(CK和CK#)
    - I/O接口: 60球FBGA封装,支持双向单端/差分数据选通(DQS和DQS#)
    - 数据总线宽度: 8位
    - 工作温度范围:
    - 商用:0°C 到 85°C
    - 工业:-40°C 到 95°C
    - 刷新周期: 每64毫秒进行7800次刷新(@-40°C 到 +85°C)
    电气特性
    - 输入/输出阻抗调整: 支持输出驱动强度调整
    - 内置终端电阻(ODT): 支持片上终端
    - 低功耗模式: 支持预充电和活动功率下电

    产品特点和优势


    - JEDEC标准合规: 符合JEDEC标准,确保设备的通用性和可靠性
    - 高集成度: 内置多个控制器和信号处理器,提高系统集成度
    - 高速数据传输: 最大频率可达400 MHz,适用于高速数据处理需求
    - 多银行操作: 支持8个内部银行并发操作,提高数据访问效率
    - 低功耗设计: 支持多种低功耗模式,减少能耗

    应用案例和使用建议


    使用案例
    AS4C128M8D2A广泛应用于各类需要高性能存储器的应用场合,例如:
    - 工业自动化控制系统: 处理实时数据和控制指令
    - 通信系统: 存储和传输大量数据包
    使用建议
    - 初始化步骤: 在首次使用前需严格按照数据手册中的初始化步骤进行初始化操作
    - 电源管理: 确保电源稳定,特别是在高温环境下,注意温度限制
    - 数据完整性: 使用读写时钟同步机制,确保数据完整性

    兼容性和支持


    兼容性
    - 该产品支持60球FBGA封装,易于在电路板上安装和布局
    - 与JEDEC标准兼容,确保与其他兼容产品互操作
    支持服务
    - Alliance Memory Inc.提供详尽的技术文档和参考设计
    - 支持团队可提供故障排除和技术咨询

    常见问题与解决方案


    常见问题
    - 问题1: 电源电压不稳定导致设备不能正常启动
    - 解决办法: 确保电源稳定且符合规定的电压范围,检查电路板上的电源滤波电容是否正常工作
    - 问题2: 设备无法完成初始化
    - 解决办法: 按照数据手册中的初始化步骤进行,特别是确保所有初始化命令按顺序执行

    总结和推荐


    AS4C128M8D2A是一款高性能、高可靠性的DDR2 SDRAM存储器,适用于多种应用场合,特别是在需要高数据带宽和快速数据处理的系统中表现优异。凭借其高集成度、低功耗特性和良好的兼容性,该产品在商用和工业环境中均表现出色。强烈推荐用于需要高性能存储解决方案的设计项目中。

AS4C128M8D2A-25BINTR参数

参数
最大供电电流 -
最大时钟频率 400MHz
最大工作供电电压 1.9V
最小工作供电电压 1.7V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 1Gb (128M x 8)
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

AS4C128M8D2A-25BINTR厂商介绍

Alliance Memory是一家专注于提供广泛的半导体存储解决方案的公司,其产品包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、闪存(Flash)和可擦写可编程只读存储器(EPROM)。这些产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、医疗设备、通信设备和计算机等领域。

Alliance Memory的产品分类主要包括:
1. SRAM:提供高速、低功耗的存储解决方案,适用于需要快速数据访问的应用。
2. DRAM:提供大容量存储,适用于需要存储大量数据的应用。
3. Flash:提供非易失性存储,适用于需要在断电后保持数据的应用。
4. EPROM:提供可擦写可编程存储,适用于需要频繁更新数据的应用。

Alliance Memory的优势在于:
1. 丰富的产品线:提供多种类型的存储解决方案,满足不同客户的需求。
2. 高性能:产品具有高速、低功耗、高可靠性等特点。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化的存储解决方案。
4. 技术支持:提供专业的技术支持,帮助客户解决技术问题。

AS4C128M8D2A-25BINTR数据手册

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AS4C128M8D2A-25BINTR封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ $ 5.4303 ¥ 44.8539
4000+ $ 5.4027 ¥ 44.6259
8000+ $ 5.3749 ¥ 44.3969
12000+ $ 5.3472 ¥ 44.168
16000+ $ 5.3195 ¥ 43.939
库存: 10000
起订量: 2000 增量: 0
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最小起订量为:2000
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