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GS66508B-E01-MR

产品分类: 氮化镓场效应管
厂牌: GAN SYSTEMS
产品描述: 1 7V 1.7V 5.8nC 650V 50mΩ 30A 独立式 1个N沟道 GANPX-4 贴片安装,黏合安装 8.8mm*7mm*510μm
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
GAN SYSTEMS 氮化镓场效应管 GS66508B-E01-MR

GS66508B-E01-MR概述

    GS66508B:底部冷却型650V E模式GaN晶体管

    1. 产品简介


    GS66508B 是一款650V增强模式氮化镓(GaN)功率晶体管,具有出色的开关性能。它采用独特的底部冷却设计,结合低导通电阻和高电流处理能力,适用于多种高性能电力转换应用。
    产品类型:650V增强模式GaN晶体管
    主要功能:
    - 高电压阻断
    - 高效率功率转换
    - 快速开关
    - 低寄生效应
    - 易于驱动
    - 底部冷却配置
    应用领域:
    - 高效电源转换
    - 高密度电源转换
    - AC-DC转换器
    - 桥式无源钳位(Totem Pole PFC)
    - 准谐振零电压开关全桥
    - 半桥拓扑
    - 同步升降压
    - 不间断电源(UPS)
    - 工业电机驱动
    - 三相逆变器腿
    - 太阳能和风力发电
    - 快速电池充电
    - Class D音频放大器
    - DC-DC转换器
    - 车载电池充电器
    - 牵引驱动

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - 堵塞电压(BVDS):650V
    - 最大瞬态电压(VDS(transient)):750V
    - 栅极-源极电压(VGS):-10至+7V
    - 最大瞬态栅极-源极电压(VGS(transient)):-20至+10V
    - 电流参数
    - 连续漏极电流(Tcase=25°C):30A
    - 连续漏极电流(Tcase=100°C):25A
    - 电阻参数
    - 导通电阻(RDS(on)):50mΩ(VGS=6V,TJ=25°C)
    - 导通电阻(RDS(on)):129mΩ(VGS=6V,TJ=150°C)
    - 热特性
    - 结点到外壳热阻(底部):0.5°C/W
    - 结点到顶部热阻:8.5°C/W
    - 结点到环境热阻:27°C/W
    - 其他参数
    - 有效输出电容(CO(ER)):88pF
    - 输出电荷(QOSS):57nC
    - 有效输出电容(CO(TR)):142pF
    - 开关能量(Eon):47.5µJ
    - 关断开关能量(Eoff):7.5µJ

    3. 产品特点和优势


    产品特点:
    - 底部冷却设计,提供更低的结点到外壳热阻,适用于高功率需求。
    - 低导通电阻(RDS(on)=50mΩ),支持高电流(IDS(max)=30A)。
    - 零反向恢复损耗,提高整体系统效率。
    - 小巧的PCB尺寸(7.1x8.5mm²),适合紧凑设计。
    - 专用源感应(SS)引脚,实现优化的栅极驱动。
    - 符合RoHS 6标准,环保可靠。
    产品优势:
    - 非常高的开关频率(>10MHz),提供更快的响应时间。
    - 反向电流能力,确保更安全的操作环境。
    - 非常低的栅极驱动要求(0V至6V),易于集成。
    - 专利Island Technology®技术,实现高电流性能。
    - GaNPX®封装,提供低电感和低热阻。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - AC-DC转换器:利用其高效率和快速开关特性,实现高效的AC到DC转换。
    - 三相逆变器:由于其高功率密度和底部冷却设计,适合应用于需要高可靠性且紧凑设计的逆变器系统。
    - 不间断电源(UPS):具备高可靠性及快速响应能力,确保电力供应的稳定性。
    使用建议:
    - 平行操作:建议在PCB上设置宽轨道或多边形布局以分发栅极驱动信号,确保每个设备的驱动环路长度尽可能短且一致。
    - 源感应(Source Sensing):通过使用专用的源感应引脚,消除共源电感,进一步提升性能。
    - 栅极驱动:使用标准MOSFET驱动器,并确保其支持6V栅极驱动。建议使用低阻抗和高峰值电流的驱动器以实现快速开关。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与非隔离半桥MOSFET驱动器兼容,但需注意选择合适的UVLO阈值。
    - 支持和维护:制造商提供详细的门驱动应用说明(GN001),并在其官方网站提供技术支持和资料下载。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:是否可以使用低于6V的栅极驱动?
    A:可以,但可能降低工作效率。建议使用6V驱动电压以达到最佳效率。
    - Q:如何防止栅极驱动信号的寄生振荡?
    A:建议在每个栅极上添加一个小电阻(1-2Ω)以减少寄生振荡。
    - Q:在高温度环境下如何保持系统的正常运行?
    A:推荐清洁“非清洁”助焊剂残留物以避免不必要的导电路径。

    7. 总结和推荐


    总结:
    GS66508B是一款高性能的650V增强模式GaN晶体管,其出色的开关性能、低功耗和高可靠性使其成为高效电力转换应用的理想选择。特别是在AC-DC转换器、三相逆变器和不间断电源系统中,其优异的表现显著提高了整体系统的性能和效率。
    推荐:
    基于其卓越的性能和广泛的应用范围,强烈推荐GS66508B用于各种电力转换应用,尤其是需要高效率、高功率密度的设计。

GS66508B-E01-MR参数

参数
击穿电压 -
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 30A
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 5.8nC
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 7V
最大功率 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Idss-饱和漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ
配置 独立式
长*宽*高 8.8mm*7mm*510μm
通用封装 GANPX-4
安装方式 贴片安装,黏合安装
包装方式 卷带包装

GS66508B-E01-MR厂商介绍

GaN Systems是一家领先的氮化镓(GaN)功率晶体管制造商,专注于提供高性能的半导体解决方案。公司主营产品包括GaN功率晶体管、集成电路(IC)和模块,这些产品广泛应用于多个领域,如电动汽车、可再生能源、数据中心、工业电机控制和消费电子产品。

GaN Systems的产品分类主要分为:
1. 功率晶体管:提供高效率、高功率密度和快速开关特性的GaN晶体管。
2. 集成电路:集成了GaN晶体管和其他电路元件,以实现更复杂的功能和更高的集成度。
3. 模块:将多个GaN器件集成在一个模块中,简化设计和提高可靠性。

GaN Systems的优势在于:
- 高效率:GaN技术比传统硅技术更高效,可以减少能量损失,提高系统性能。
- 快速开关:GaN器件的开关速度比硅器件快,有助于提高功率转换效率和减少电磁干扰。
- 功率密度:GaN器件可以在更小的封装中提供更高的功率,有助于缩小设备尺寸和重量。
- 耐高温:GaN器件能够在更高的温度下工作,提高系统的可靠性和耐用性。

GaN Systems通过其创新的GaN技术,为客户提供了一种更高效、更可靠和更紧凑的电力电子解决方案。

GS66508B-E01-MR数据手册

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GAN SYSTEMS 氮化镓场效应管 GAN SYSTEMS GS66508B-E01-MR GS66508B-E01-MR数据手册

GS66508B-E01-MR封装设计

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