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FDMC86160

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 72W 20V 33.5nC 2个N沟道 100V 20mΩ 40A 1.1906nF DFN5X6-8L 贴片安装
供应商型号: FDMC86160 DFN5X6-8L
供应商: 期货订购
标准整包数: 1
LEIDITECH/上海雷卯电子 场效应管(MOSFET) FDMC86160

FDMC86160概述

    FDMC86160 MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FDMC86160 是一款先进的 N-Channel 增强型场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor),采用超结技术(SGT)设计,旨在提供低 RDS(ON)(导通电阻)、低栅极电荷、快速开关特性和卓越的雪崩特性。这款器件特别设计用于提高坚固性和耐用性,适用于多种电力电子应用,如消费电子电源、电机控制、同步整流以及隔离式直流应用。

    技术参数


    - 电气特性
    - 导通电压 BVDSS:100V
    - 栅极阈值电压 VGS(th):1.0 V 至 2.5 V
    - 导通电阻 RDS(ON):16 mΩ 至 20 mΩ(VGS = 10 V, ID = 8 A)
    - 输入电容 Ciss:1190.6 pF(VGS = 0 V, VDS = 50 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 Coss:194.6 pF
    - 反向传输电容 Crss:4.1 pF
    - 开启延迟时间 td(on):17.8 ns(VGS = 10 V, VDS = 50 V, RG = 2.2 Ω, ID = 10 A)
    - 关闭延迟时间 td(off):33.5 ns
    - 总栅极电荷 Qg:19.8 nC
    - 正向电流 IS:40 A
    - 脉冲源电流 ISP:120 A
    - 正向电压 VSD:1.3 V
    - 反向恢复时间 trr:50.2 ns
    - 反向恢复电荷 Qrr:95.1 nC
    - 峰值反向恢复电流 Irrm:2.5 A
    - 绝对最大额定值
    - 源漏极电压 VDS:100 V
    - 栅极源极电压 VGS:±20 V
    - 连续漏极电流 ID:40 A(TC=25 ℃)
    - 脉冲漏极电流 ID, pulse:120 A(TC=25 ℃)
    - 功耗 PD:72 W(TC=25 ℃)
    - 单脉冲雪崩能量 EAS:30 mJ
    - 工作和存储温度范围 Tstg, Tj:-55 ℃ 至 150 ℃
    - 热阻
    - 结至外壳热阻 RθJC:1.74 ℃/W
    - 结至环境热阻 RθJA:62 ℃/W

    产品特点和优势


    FDMC86160 的核心优势在于其低 RDS(ON) 和极低的开关损耗,这使得它在高频应用中表现尤为出色。此外,其出色的稳定性和均匀性使其非常适合在各种电力电子系统中使用,特别是在消费电子电源、电机控制和同步整流应用中。FDMC86160 的这些特点使其在市场上具有较强的竞争力和广泛的应用前景。

    应用案例和使用建议


    - 消费电子电源
    在消费电子产品(如手机充电器、笔记本电脑适配器)中,FDMC86160 可以显著提高电源转换效率,减少功耗和发热,从而延长设备使用寿命。
    - 电机控制
    电机驱动应用中,FDMC86160 可以实现更快的响应速度和更精确的控制,提升系统的整体性能。
    - 同步整流
    在同步整流电路中,FDMC86160 的低 RDS(ON) 和快速开关特性有助于降低功率损耗,提高能效。
    使用建议:
    - 为了充分发挥其性能,建议在设计时选择合适的栅极电阻以优化开关时间和栅极电荷。
    - 遵循推荐的工作温度范围和绝对最大额定值,确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    FDMC86160 与常见的电路板布局标准兼容,适合在大多数电力电子应用中使用。厂商 Leiditech 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和应用这款器件。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 设备出现过热现象?
    - 解决方案: 确认散热设计符合要求,必要时增加外部散热片或风扇。

    - 问题: 开关频率不稳定?
    - 解决方案: 检查栅极驱动电路,调整栅极电阻以优化开关时间。
    - 问题: 设备在高压环境下不稳定?
    - 解决方案: 确保实际工作电压不超过绝对最大额定值,并适当增加外部保护电路。

    总结和推荐


    综上所述,FDMC86160 MOSFET 是一款性能优异、用途广泛的电子元器件,尤其适合需要高效率、高速开关和高可靠性的应用场合。其独特的技术和性能使其在多个领域中具有明显的竞争优势。强烈推荐给寻求高性能电力电子解决方案的设计工程师和技术采购人员。

FDMC86160参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.1906nF
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ
Id-连续漏极电流 40A
栅极电荷 33.5nC
最大功率耗散 72W
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 DFN5X6-8L
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDMC86160厂商介绍

Leiditech(雷迪泰克)是一家专注于智能传感器技术的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能传感器产品。公司主营产品包括但不限于:

1. 光电传感器:用于检测物体的存在和位置,广泛应用于自动化设备、机器人、智能交通等领域。
2. 接近传感器:用于检测物体的接近程度,常用于工业自动化、汽车制造等行业。
3. 光纤传感器:以其高精度和抗干扰能力,被广泛应用于精密测量、环境监测等场合。
4. 视觉传感器:通过图像识别技术,实现对物体的识别、定位和测量,广泛应用于智能制造、质量检测等领域。

Leiditech的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 产品性能:产品具有高灵敏度、高稳定性和高可靠性,满足严苛工业环境需求。
- 定制服务:提供定制化解决方案,满足客户特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的国际销售网络,产品远销全球多个国家和地区。

Leiditech以其卓越的技术和服务,为客户提供高质量的传感器解决方案,助力各行各业实现智能化升级。

FDMC86160数据手册

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LEIDITECH/上海雷卯电子 场效应管(MOSFET) LEIDITECH/上海雷卯电子 FDMC86160 FDMC86160数据手册

FDMC86160封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 3.6225
5000+ ¥ 2.415
15000+ ¥ 2.373
25000+ ¥ 2.31
30000+ ¥ 2.163
库存: 5000
起订量: 100 增量: 5000
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