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PMV50EPEA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: PMV50EPEA SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
LEIDITECH/上海雷卯电子 场效应管(MOSFET) PMV50EPEA

PMV50EPEA概述

    # PMV50EPEA P-Channel Super Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    PMV50EPEA 是一款采用沟槽功率LV MOSFET技术的P通道超增强模式金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件适用于电池保护、负载开关和电源管理等领域,具备高密度单元设计以实现低导通电阻(RDS(ON)),并具有高速开关性能。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | -30 V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 漏电流 | ID -4.1 A |
    | 脉冲漏电流 | AIDM -15 | A |
    | 总耗散功率 | PD 1.5 | W |
    | 热阻(结到环境) | B RθJA 82 | ℃/W |
    | 工作温度范围 | TJ, TSTG | -55 +150 | ℃ |
    | 静态参数
    | 漏源击穿电压 | BVDSS -30 | V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS -1 | μA |
    | 栅体泄漏电流 | IGSS ±100 | nA |
    | 栅阈值电压 | VGS(th) | -1.0 | -1.5 | -2.4 | V |
    | 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) 46 | 60 | mΩ |
    | (VGS=-10V, ID=-4.1A)
    | 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) 58 | 75 | mΩ |
    | (VGS=-4.5V, ID=-3.5A)
    | 二极管正向电压 | VSD | -0.8 -1.2 | V |
    | 最大体二极管连续电流 | IS -4.1 | A |

    产品特点和优势


    PMV50EPEA 具有以下几个显著的特点和优势:
    - 低导通电阻(RDS(ON)):在栅源电压 VGS = -10V 时,RDS(ON) 为 46 mΩ,使器件在大电流条件下表现出优异的效率。
    - 高速开关性能:该器件具备快速的开关能力,适合用于高频开关应用。
    - 高密度单元设计:通过采用高密度单元设计,实现了较小的体积和更高的集成度。
    - 宽工作温度范围:能够在极端环境下稳定工作,适用于多种恶劣环境下的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    PMV50EPEA 广泛应用于电池保护、负载开关和电源管理领域。例如,在电池保护电路中,它能够有效地限制过流情况的发生;在负载开关中,它可以作为高效的开关元件来控制电流的流动。
    使用建议
    为了更好地发挥 PMV50EPEA 的性能,建议在使用过程中注意以下几点:
    - 散热管理:由于总耗散功率为 1.5 W,需要确保良好的散热措施,如安装散热片或使用散热性能好的PCB。
    - 布局设计:根据SOT-23封装的建议布局,合理安排电路板上的元件位置,以减小寄生电容的影响。
    - 驱动电路:考虑使用合适的驱动电路,确保栅极驱动信号的可靠性和稳定性。

    兼容性和支持


    PMV50EPEA 可以与其他标准的SOT-23封装元件兼容,方便在现有设计中替换或升级。制造商提供详细的技术文档和支持服务,包括详细的电路图、测试报告和样品申请。

    常见问题与解决方案


    1. 问:PMV50EPEA的最大工作温度是多少?
    - 答:PMV50EPEA的最大工作温度范围为-55℃至+150℃。
    2. 问:如何提高PMV50EPEA的散热性能?
    - 答:建议使用散热片或采用良好的PCB布局,以提高散热效果。
    3. 问:PMV50EPEA是否支持脉冲操作?
    - 答:支持,但需确保脉冲宽度不超过300μs,且占空比不超过2%。

    总结和推荐


    综上所述,PMV50EPEA凭借其低导通电阻、高速开关能力和宽工作温度范围等特性,是一款非常优秀的P通道超增强模式MOSFET。适用于电池保护、负载开关和电源管理等多种应用场合。总体而言,强烈推荐使用这款高性能的MOSFET器件。

PMV50EPEA参数

参数
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通用封装 SOT-23

PMV50EPEA厂商介绍

Leiditech(雷迪泰克)是一家专注于智能传感器技术的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能传感器产品。公司主营产品包括但不限于:

1. 光电传感器:用于检测物体的存在和位置,广泛应用于自动化设备、机器人、智能交通等领域。
2. 接近传感器:用于检测物体的接近程度,常用于工业自动化、汽车制造等行业。
3. 光纤传感器:以其高精度和抗干扰能力,被广泛应用于精密测量、环境监测等场合。
4. 视觉传感器:通过图像识别技术,实现对物体的识别、定位和测量,广泛应用于智能制造、质量检测等领域。

Leiditech的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 产品性能:产品具有高灵敏度、高稳定性和高可靠性,满足严苛工业环境需求。
- 定制服务:提供定制化解决方案,满足客户特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的国际销售网络,产品远销全球多个国家和地区。

Leiditech以其卓越的技术和服务,为客户提供高质量的传感器解决方案,助力各行各业实现智能化升级。

PMV50EPEA数据手册

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LEIDITECH/上海雷卯电子 场效应管(MOSFET) LEIDITECH/上海雷卯电子 PMV50EPEA PMV50EPEA数据手册

PMV50EPEA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 0.621
3000+ ¥ 0.414
9000+ ¥ 0.4068
15000+ ¥ 0.396
33000+ ¥ 0.3708
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