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JMTK080P03A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: JMTK080P03A
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2500
JJW/江苏捷捷微电子 场效应管(MOSFET) JMTK080P03A

JMTK080P03A概述

    JMTK080P03A 技术手册解析

    1. 产品简介


    JMTK080P03A 是一款由 JieJie Microelectronics 推出的 P沟道增强型功率MOSFET。这种器件适用于多种高要求的功率管理应用,例如脉宽调制(PWM)电路、负载开关和电源管理系统。其核心设计采用先进的深槽技术,确保低导通电阻(RDS(ON))和极低的栅极电荷,能够满足高性能、高效率的应用需求。
    主要功能:
    - 高可靠性 P 沟道功率 MOSFET
    - 电压范围:-30V
    - 最大连续漏极电流:-60A
    应用领域:
    - PWM 应用
    - 负载开关
    - 功率管理和切换应用

    2. 技术参数


    以下是 JMTK080P03A 的关键技术规格及性能指标:
    | 参数 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |

    | VDSS | - | - | -30 | V |
    | VGSS | ±20 V |
    | ID | - | -60 | -39 | A |
    | IDM | - | - | -240 | A |
    | RDS(ON) | - | 5.8~7.5 mΩ |
    | Ciss | - | - | 4650 | pF |
    | Qg | - | 45 nC |
    工作环境参数:
    - 结温范围:-55°C 至 +175°C
    - 储存温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 热阻:2.8°C/W
    - 单脉冲雪崩能量:144 mJ
    封装信息:
    - 封装形式:TO-252(DPAK)
    - 每卷数量:2500 PCS
    - 每箱数量:25000 PCS

    3. 产品特点和优势


    独特功能和优势:
    - 低导通电阻:在 VGS = -10V 下,RDS(ON) ≤ 7.5mΩ;在 VGS = -4.5V 下,RDS(ON) ≤ 12.6mΩ,显著降低功耗。
    - 高可靠性设计:经过 100% 的雪崩耐受测试(UIS 测试)和栅源电压测试(ΔVds)。
    - 先进工艺:采用深槽技术,实现高效的 RDS(ON) 和低栅极电荷。
    - 无铅设计:符合环保标准,适合现代化工业生产。
    市场竞争力:
    JMTK080P03A 凭借其高效率、高可靠性和良好的性价比,在 PWM 控制、开关电源和功率分配等场景中具有较强的市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用场景:
    - PWM 控制器:用于高效能电源模块的控制电路。
    - 负载开关:适用于需要快速开关特性的高压电源系统。
    - 高精度电源:结合其他功率器件,提供稳定的电压输出。
    使用建议:
    - 确保电路设计中 VDSS 电压不会超过器件最大额定值,以避免损坏。
    - 在高电流或高频运行时,需要合理控制热耗散,确保结温不超过规定范围。
    - 使用过程中注意驱动电压的选择,推荐 VGS = -10V 来获得最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    JMTK080P03A 支持标准 TO-252(DPAK) 封装,可轻松替换市面上常见的同类产品,例如 IRFZ44N 或 STP50NE55。
    技术支持:
    JieJie Microelectronics 提供详尽的技术文档、测试报告和全面的技术支持服务。如有任何问题,可通过官方客服渠道获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 检查 VGS 是否达到阈值电压。 |
    | 工作温度超出限制 | 改善散热设计或降低功耗。 |
    | 开关速度过慢 | 检查驱动电路的设计是否匹配器件需求。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    JMTK080P03A 是一款高效、可靠的 P 沟道功率 MOSFET,特别适合对功耗和效率要求较高的应用场景。其低导通电阻和出色的热管理能力使其成为 PWM 应用和负载开关的理想选择。此外,该器件通过了严格的测试认证,展现出卓越的可靠性和稳定性。
    推荐结论:
    我们高度推荐 JMTK080P03A 用于现代电子设计,尤其是在需要高效率、低成本和小体积的电力电子系统中。对于希望提升系统性能的工程师,这是一款值得信赖的选择。

JMTK080P03A参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-252-2

JMTK080P03A厂商介绍

JJW公司是一家领先的工业设备和解决方案提供商,专注于为全球客户提供高质量的产品和服务。公司主营产品包括:

1. 工业自动化设备:涵盖机器人、自动化生产线、传感器等,广泛应用于制造业、物流等领域。
2. 能源管理解决方案:包括智能电网、太阳能发电系统等,服务于电力、可再生能源行业。
3. 环保技术产品:如废水处理设备、空气净化系统,应用于环保、化工等行业。

JJW的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,确保产品技术领先。
- 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同行业特定需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和分销网络,确保全球客户都能获得优质服务。
- 质量保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。

JJW公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动工业进步。

JMTK080P03A数据手册

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JJW/江苏捷捷微电子 场效应管(MOSFET) JJW/江苏捷捷微电子 JMTK080P03A JMTK080P03A数据手册

JMTK080P03A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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5000+ ¥ 0.7823
7500+ ¥ 0.7625
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